超结器件及其制作方法和电子器件技术

本申请的实施例提出了一种超结器件及其制作方法和电子器件。超结器件包括衬底、第一导电型外延层和复合区域，其中，第一导电型外延层设置在衬底的一侧，第一导电型外延层上形成有多个深沟槽，深沟槽内填充有第二导电型多晶硅；复合区域位于第一导电型外延层，且复合区域设置在第二导电型多晶硅与衬底之间，复合区域注入有氦离子，其中，第一导电型与第二导电型的导电类型相反。根据本申请实施例中的超结器件，在体二极管反向恢复时，由于复合区域的存在，部分载流子会在复合区域先复合减少，然后再通过衬底的作用，缓慢被抽出器件，降低其反向恢复时的尖峰电流，以此改善超结器件的反向恢复特性。反向恢复特性。反向恢复特性。

【技术实现步骤摘要】
超结器件及其制作方法和电子器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种超结器件及其制作方法和电子器件。

技术介绍

[0002]相对于传统MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），超结MOSFET在N
‑
漂移区中引入了交替排列的N型柱、P型柱，如此，在正向导通阶段，P型柱与N型柱之间能够形成横向电场，即所谓电荷平衡，但是超结MOSFET本质上仍为MOSFET，其内部依然存在寄生体二极管（简称体二极管），超结MOSFET的源极为体二极管的阳极，漏极为体二极管的阴极。
[0003]在超结MOSFET体二极管正向导通阶段，体二极管中的N
‑
漂移区存在自由载流子，为了能实现从正偏到反偏的过程，N
‑
漂移区的自由载流子要被外加电压抽取，形成能够承担反向电压的耗尽区，体二极管从通态到断态的过程称为反向恢复。超结器件由于P型柱的存在，体二极管P区与N区接触面积远大于传统MOSFET本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超结器件，其特征在于，包括：衬底；第一导电型外延层，所述第一导电型外延层设置在所述衬底的一侧，所述第一导电型外延层上形成有多个深沟槽，所述深沟槽内填充有第二导电型多晶硅；复合区域，所述复合区域位于所述第一导电型外延层，且所述复合区域设置在所述第二导电型多晶硅与所述衬底之间，所述复合区域注入有氦离子，其中，所述第一导电型与所述第二导电型的导电类型相反。2.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述第一导电型外延层为N
‑
型外延层，所述第二导电型多晶硅为P型多晶硅。3.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述衬底包括第一导电型衬底和第一导电型缓冲层，其中，所述第一导电型衬底为高掺杂，所述第一导电型衬底的离子浓度大于所述第一导电型缓冲层的离子浓度，所述第一导电型缓冲层中离子的浓度大于所述第一导电型外延层中离子的浓度。4.根据权利要求3所述的超结器件，其特征在于，所述第一导电型缓冲层的厚度大于或等于5um。5.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述深沟槽沿所述衬底的水平方向呈阵列排布，且所述深沟槽沿所述衬底的厚度方向的尺寸大于或等于40um。6.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述超结器件还包括第一导电型区域、栅极氧化层和栅极多晶硅，所述第一导电型区域位于所述第二导电型多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗终盛，柴展，罗杰馨，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：