本发明涉及一种IGBT器件结构及其制备方法。IGBT器件结构包括：电路板；第一芯片，位于电路板上；第一芯片内具有IGBT器件；第二芯片，位于第一芯片的上方；第二芯片包括PMOS管；PMOS管的漏极经由电路板与IGBT发射极电连接，PMO...

本发明涉及半导体技术领域

本发明涉及半导体技术领域

本发明涉及半导体技术领域

本发明提供一种屏蔽栅沟槽

本发明提供一种多功能屏蔽栅沟槽型功率器件及其制作方法，该器件具有调节焊盘

本发明提供一种反并联二极管的

本发明提供一种具有结温检测二极管的沟槽型

本发明涉及半导体技术领域，提供一种功率器件及其制备方法，该功率器件包括：

本发明提供一种反并联二极管的沟槽型

本发明涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种超结器件，其布局包括平面栅极及设在其上的金属结构区，金属结构区包括栅极金属区

本发明提供一种多功能功率器件及其制作方法，该多功能功率器件包括半导体层

本发明提供一种新型功率器件及其制作方法，该新型功率器件包括衬底

本发明提供一种多功能功率器件及其制作方法，该器件包括半导体层

本发明提供一种具有结温检测二极管的IGBT芯片及其制作方法，该制作方法包括步骤：提供具有第一导电类型漂移层的半导体层，第一导电类型漂移层包括元胞区；于元胞区形成至少一元胞并于元胞区外围的第一导电类型掺杂层形成多个间隔分布的第一导电类型阱...

本发明提供一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，该制作方法包括步骤：提供一具有第一导电类型漂移区的半导体层，形成元胞于第一导电类型漂移区，元胞包括第二导电类型阱区、第一导电类型掺杂区及沟槽栅，第二导电类型阱区及第一导电类型掺杂区均位于沟槽...

本发明涉及一种IGBT器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上形成有IGBT芯片的IGBT发射极、IGBT栅极和IGBT集电极；NMOS管，所述NMOS管设置于所述衬底上，且设置于所述IGBT栅极和所述IGBT发射极之间，所述NMOS管...

本发明属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种IGBT器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上形成有IGBT器件的IGBT发射极、IGBT栅极和IGBT集电极；NMOS管，所述NMOS管设置于所述衬底上，且设置于所述IGBT栅极...

本申请的实施例提出了一种超结器件和电子器件。超结器件包括衬底、外延层、栅极多晶硅和栅极金属。其中，外延层位于衬底的一侧，外延层上形成有交替排布的P柱和N柱；栅极多晶硅位于外延层远离衬底的一侧，栅极多晶硅包括第一栅和第二栅，第一栅和第二栅...

本申请的实施例提出了一种超结器件及电子器件，超结器件包括cell区和位于cell区两侧的终端区，超结器件还包括衬底、外延层、源极多晶硅层和第一金属层；外延层位于衬底的一侧，外延层的cell区包括多个P柱及多个N柱，多个P柱与多个N柱依次...