【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种igbt器件结构及其制备方法。
技术介绍
1、igbt（insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件通常应用于电机，变频器，pfc等多种大电流应用领域，在大多数igbt领域中，需要igbt器件能够有10us的短路时间，为保igbt证器件有10us的短路时间，需降低igbt器件电流密度，这样会极大的增加igbt器件的导通损耗，使得igbt器件的工作效率降低。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种igbt器件结构及其制备方法，旨在解决现有igbt器件为了达到igbt器件的短路能力，需要降低igbt器件的电流密度，从而极大的增加igbt器件的导通损耗，使得igbt器件的工作效率降低的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种igbt器件结构，包括：
3、电路板；
4、第一芯片，位于所述电路板上；所述第一芯片内具有igbt器件，所述igbt器件包括igbt栅极、igbt发射极和igbt集电极；
5、第二芯片，位于所述第一芯片的上方；所述第二芯片包括pmos管，所述pmos管包括源极、漏极及栅极；所述pmos管的漏极经由所述电路板与所述igbt发射极电连接，所述pmos管的栅极经由所述电路板与所述igbt栅极电连接。
6、本专利技术的igbt器件结构中，通过将包括所述igbt 器件的所述第一芯片和具有所述pmos管的
7、在其中一个实施例中，所述电路板的正面设有多个焊盘，多个所述焊盘包括间隔排布的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘；所述第一焊盘与所述pmos管的漏极相连接，所述第二焊盘与所述igbt发射极相连接，所述第三焊盘与所述pmos管的栅极相连接，所述第四焊盘与所述igbt栅极相连接；第一焊盘与所述第二焊盘经由所述电路板电连接；所述第三焊盘与所述第四焊盘经由所述电路板电连接。
8、在其中一个实施例中，所述igbt器件结构还包括多条连接导线，多条所述连接导线包括：
9、第一连接导线，所述第一连接导线一端与所述第一焊盘相连接，另一端与所述pmos管的漏极相连接；
10、第二连接导线，所述第二连接导线一端与所述第二焊盘相连接，另一端与所述igbt发射极相连接；
11、第三连接导线，所述第三连接导线一端与所述第三焊盘相连接，另一端与所述pmos管的栅极相连接；
12、第四连接导线，所述第四连接导线一端与所述第四焊盘相连接，另一端与所述igbt栅极相连接。
13、在其中一个实施例中，所述igbt器件结构还包括：
14、介质保护层，位于所述电路板的背面；
15、多个焊球，多个所述焊球包括第一焊球、第二焊球、第三焊球及第四焊球；所述第一焊球、所述第二焊球、所述第三焊球及所述第四焊球均位于所述电路板的背面，并贯穿所述介质保护层，延伸至所述介质保护层远离所述电路板的一侧；
16、多个导电连接柱，多个所述导电连接柱包括第一导电连接柱、第二导电连接柱、第三导电连接柱及第四导电连接柱；所述第一导电连接柱、所述第二导电连接柱、所述第三导电连接柱及所述第四导电连接柱均位于所述电路板内，自所述电路板的正面延伸至所述电路板的背面，一端与所述第一焊球、所述第二焊球、所述第三焊球及所述第四焊球一一对应连接，另一端与所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘和所述第四焊盘一一对应连接。
17、在其中一个实施例中，所述igbt器件结构还包括：
18、第一daf层，位于所述电路板与所述第一芯片之间；
19、第二daf层，位于所述第二芯片与所述第一芯片之间。
20、第二方面，本专利技术还提供了一种igbt器件结构的制备方法，包括：
21、提供电路板；
22、提供第一芯片，所述第一芯片内具有igbt器件，所述igbt器件包括igbt栅极、igbt发射极和igbt集电极；
23、将所述第一芯片键合于所述电路板的正面；
24、提供第二芯片，所述第二芯片包括pmos管，所述pmos管包括栅极、源极及漏极；
25、将所述第二芯片键合于所述第一芯片的上方；
26、将所述pmos管的漏极经由所述电路板与所述igbt发射极电连接，并将所述pmos管的栅极经由所述电路板与所述igbt栅极电连接。
27、本专利技术的igbt器件结构的制备方法中，通过将包括所述igbt 器件的所述第一芯片和具有所述pmos管的所述第二芯片键合到同一个所述电路板上，并将所述pmos管连接至igbt器件的igbt发射极和igbt栅极之间，具体为将所述pmos管的漏极与所述igbt发射极电连接，所述pmos管的栅极与所述igbt栅极电连接；当所述igbt器件结构短路发生时，所述pmos管的栅极会导通，将所述igbt器件的igbt栅极和igbt发射极短接，关断所述igbt器件，降低电流，不需要降低igbt器件的电流密度即可保证igbt器件的短路能力，会降低igbt器件的导通损耗，可以提高igbt器件的工作效率；同时，由于所述igbt器件在所述pmos管的协助下可以自己关断，使得所述igbt器件具有更快的关断速度和更高的电流密度。又所述pmos管与所述igbt器件通过电路板相连接，可以通过调节连接节点的位置，调整连接电阻，从而达到调整所述pmos管导通时所述igbt器件的短路电流，使得igbt器件结构有更为广泛的使用范围。
28、在其中一个实施例中，所述电路板的正面设有多个焊盘，多个所述焊盘包括间隔排布的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘；第一焊盘与所述第二焊盘经由所述电路板电连接；所述第三焊盘与所述第四焊盘经由所述电路板电连接；将所述pmos管的漏极经由所述电路板与所述igbt发射极电连接，并将所述pmos管的栅极经由所述电路板与所述igbt栅极电连接包括：
29、将所述第一焊盘与所述p本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种IGBT器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的IGBT器件结构，其特征在于，所述电路板的正面设有多个焊盘，多个所述焊盘包括间隔排布的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘；所述第一焊盘与所述PMOS管的漏极相连接，所述第二焊盘与所述IGBT发射极相连接，所述第三焊盘与所述PMOS管的栅极相连接，所述第四焊盘与所述IGBT栅极相连接；第一焊盘与所述第二焊盘经由所述电路板电连接；所述第三焊盘与所述第四焊盘经由所述电路板电连接。
3.根据权利要求2所述的IGBT器件结构，其特征在于，所述IGBT器件结构还包括多条连接导线，多条所述连接导线包括：
4.根据权利要求2所述的IGBT器件结构，其特征在于，所述IGBT器件结构还包括：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的IGBT器件结构，其特征在于，所述IGBT器件结构还包括：
6.一种IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，所述电路板的正面设有多个焊盘，多个所述焊盘包括间隔排
8.根据权利要求7所述的IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，将所述第一焊盘与所述PMOS管的漏极相连接，将所述第二焊盘与所述IGBT发射极相连接，将所述第三焊盘与所述PMOS管的栅极相连接，并将所述第四焊盘与所述IGBT栅极相连接包括：
9.根据权利要求7所述的IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，将所述PMOS管的漏极经由所述电路板与所述IGBT发射极电连接，并将所述PMOS管的栅极经由所述电路板与所述IGBT栅极电连接之后，还包括：
10.根据权利要求6至9中任一项所述的IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种igbt器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的igbt器件结构，其特征在于，所述电路板的正面设有多个焊盘，多个所述焊盘包括间隔排布的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘；所述第一焊盘与所述pmos管的漏极相连接，所述第二焊盘与所述igbt发射极相连接，所述第三焊盘与所述pmos管的栅极相连接，所述第四焊盘与所述igbt栅极相连接；第一焊盘与所述第二焊盘经由所述电路板电连接；所述第三焊盘与所述第四焊盘经由所述电路板电连接。
3.根据权利要求2所述的igbt器件结构，其特征在于，所述igbt器件结构还包括多条连接导线，多条所述连接导线包括：
4.根据权利要求2所述的igbt器件结构，其特征在于，所述igbt器件结构还包括：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的igbt器件结构，其特征在于，所述igbt器件结构还包括：
6.一种igbt器件结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的igbt器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓伟，柴展，罗杰馨，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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