【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，特别是涉及叠层太阳能电池的制作方法。
技术介绍
1、相关技术中，叠层太阳能电池通常以topcon底电池的掺杂多晶硅层为顶部接触面，在掺杂多晶硅层上制备复合层后再制备顶部的钙钛矿顶电池，以提高电池的能量转换效率。其中，复合层是用于连接topcon底电池和钙钛矿顶电池的界面层。然而，制备复合层容易损伤topcon底电池的掺杂多晶硅层，进而影响叠层太阳能电池的性能。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种叠层太阳能电池的制作方法，以改善损伤掺杂多晶硅层的情形，提高叠层太阳能电池的性能。
2、本申请实施例提供了一种叠层太阳能电池的制作方法，包括：
3、提供第一电池；第一电池包括基底、以及依次层叠设于基底的第一表面的第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层；
4、通过热蒸发工艺在第一掺杂多晶硅层背离于第一隧穿氧化层的一侧形成复合层；
5、在复合层背离于第一掺杂多晶硅层的一侧制作第二电池，形成叠层太阳能电池。
6、在其中一个实施例中，通过热蒸发工艺在第一掺杂多晶硅层背离于第一隧穿氧化层的一侧形成复合层，包括：
7、以预设间距将第一电池放置于材料源的一侧；其中，第一电池的第一掺杂多晶硅层朝向材料源；
8、以预设温度、预设时间加热蒸发材料源，使得材料源气化并沉积于第一掺杂多晶硅层背离于第一隧穿氧化层的一侧，形成复合层；
9、其中，预设间距l满足条件：10cm≤l≤100cm；预设温度c满
10、在其中一个实施例中，在形成复合层的步骤中，材料源的材质为ito、iwo、ico、izo、azo、gzo、sno2、tio2的一种或至少两种的组合。
11、在其中一个实施例中，复合层的厚度为1nm-100nm。
12、在其中一个实施例中，基底还具有与基底的第一表面相对设置的第二表面；
13、第一电池还包括依次层叠设于基底的第二表面的第二隧穿氧化层、第二掺杂多晶硅层、钝化膜层和第一栅线；
14、第一栅线和第二掺杂多晶硅层欧姆接触。
15、在其中一个实施例中，基底还具有与基底的第一表面相对设置的第二表面；
16、第一电池还包括依次层叠设于基底的第二表面的掺杂导电层、钝化膜层和第一栅线；
17、第一栅线和掺杂导电层欧姆接触。
18、在其中一个实施例中，第二电池包括依次层叠设于复合层背离于第一掺杂多晶硅层的一侧的第一电荷传输层、光吸收层、第二电荷传输层、透明电极层和第二栅线。
19、在其中一个实施例中，光吸收层为钙钛矿层。
20、在其中一个实施例中，光吸收层中的钙钛矿的化学式为abx3；
21、其中，a包括有机阳离子、无机阳离子或者有机无机混合的阳离子，b包括有机阳离子、无机阳离子或者有机无机混合的阳离子，x包括有机阴离子、无机阴离子或者有机无机混合的阴离子。
22、在其中一个实施例中，光吸收层的带隙为1.4ev-2.3ev；和/或
23、光吸收层的厚度为1nm-5000nm。
24、上述叠层太阳能电池的制作方法中，通过热蒸发工艺在第一电池的第一掺杂多晶硅层上形成复合层，相较于采用溅射工艺等其他工艺制作复合层的方式而言，由于热蒸发工艺的离子动能较低，可以降低对第一掺杂多晶硅层的损伤，进而减小了复合层与多晶硅层之间的界面损伤，从而减少了因界面损伤带来的复合行为，提升了叠层太阳能电池的性能。
25、本申请实施例的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请实施例的实践了解到。
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1.一种叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述通过热蒸发工艺在所述第一掺杂多晶硅层背离于所述第一隧穿氧化层的一侧形成复合层，包括：
3.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，在形成所述复合层的步骤中，材料源的材质为ITO、IWO、ICO、IZO、AZO、GZO、SnO2、TiO2的一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1-3任一项所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述复合层的厚度为1nm-100nm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基底还具有与所述基底的第一表面相对设置的第二表面；
6.根据权利要求1-3任一项所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基底还具有与所述基底的第一表面相对设置的第二表面；
7.根据权利要求1-3任一项所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二电池包括依次层叠设于所述复合层背离于所述第一掺杂多晶硅层的一侧的第一电荷传
8.根据权利要求7所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述光吸收层为钙钛矿层。
9.根据权利要求8所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述光吸收层中的钙钛矿的化学式为ABX3；
10.根据权利要求8所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述光吸收层的带隙为1.4eV-2.3eV；和/或
...【技术特征摘要】
1.一种叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述通过热蒸发工艺在所述第一掺杂多晶硅层背离于所述第一隧穿氧化层的一侧形成复合层，包括：
3.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，在形成所述复合层的步骤中，材料源的材质为ito、iwo、ico、izo、azo、gzo、sno2、tio2的一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1-3任一项所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述复合层的厚度为1nm-100nm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基底还具有与所述基底的第一表面相对设置的第二表面；
【专利技术属性】
技术研发人员：夏锐，杨广涛，张学玲，冯志强，陈达明，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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