【技术实现步骤摘要】
一种多功能功率器件及其制作方法
[0001]本专利技术属于半导体器件及制造
，涉及一种多功能功率器件及其制作方法
。
技术介绍
[0002]在军事
、
电信
、
金融等领域，技术设备投入运行后必须夜以继日持续运转，而对这些设备的部件进行拆装装修
、
维护
、
扩展时，需要保证系统不能停机，以至于需要设备部件能够在系统带电运行的情况下进行接入或移出，但是在单个部件接入带电系统时会发生电源母线上的瞬态浪涌电流，高水平的浪涌电流会造成系统供电不正常的情况发生，而当单个部件移出带电系统是，由于电源突然与负载断开，电路寄生电感元件上的大电流摆动还会发生剧烈的电压尖峰，可能对电路上的电子元件造成损坏
。
在此背景下热插拔技术应运而生，热插拔
(
又称带电插拔
)
是指将设备板卡或模块等带电接入或移出正在工作的系统而不影响系统工作的技术
。
[0003]目前，热插拔技术的实施方式中包括利用
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种多功能功率器件，其特征在于，包括：半导体层，具有多个间隔排列的沟槽，所述沟槽自所述半导体层的上表面开口并向下延伸；第一屏蔽栅多晶硅及第二屏蔽栅多晶硅，位于所述沟槽中，所述第一屏蔽栅多晶硅与所述第二屏蔽栅多晶硅间隔设置且所述第二屏蔽栅多晶硅位于所述第一屏蔽栅多晶硅的上方；栅极多晶硅，位于所述沟槽中，所述栅极多晶硅与所述第一屏蔽栅多晶硅及所述第二屏蔽栅多晶硅均间隔设置，所述栅极多晶硅位于所述第一屏蔽栅多晶硅的上方；金属层，位于所述半导体层上，所述金属层包括间隔设置的第一金属
、
第二金属及第三金属，所述第一金属与所述第一屏蔽栅多晶硅电连接，所述第二金属与所述第二屏蔽栅多晶硅电连接，所述第三金属与所述栅极多晶硅电连接
。2.
根据权利要求1所述的多功能功率器件，其特征在于：所述第一金属与所述第二金属电连接
。3.
根据权利要求1所述的多功能功率器件，其特征在于：所述第一金属与所述第三金属电连接
。4.
根据权利要求1所述的多功能功率器件，其特征在于：所述第二屏蔽栅多晶硅的至少一部分顶面低于所述栅极多晶硅的顶面，所述栅极多晶硅位于所述第二屏蔽栅多晶硅的上方
。5.
根据权利要求1所述的多功能功率器件，其特征在于：所述第二屏蔽栅多晶硅的顶面与所述栅极多晶硅的顶面平齐，所述栅极多晶硅环绕所述第二屏蔽栅多晶硅设置
。6.
根据权利要求1所述的新型功率器件，其特征在于：还包括第一隔离层
、
第二隔离层及第三隔离层，所述第一隔离层环绕所述第一屏蔽栅多晶硅及所述第二屏蔽栅多晶硅设置，所述第二隔离层位于所述第一屏蔽栅多晶硅与所述第二屏蔽栅多晶硅之间，所述第三隔离层位于所述第二屏蔽栅多晶硅与所述栅极多晶硅之间
。7.
一种多功能功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体层，所述半导体层中具有多个间隔排列的沟槽，所述沟槽自所述半导体层的上表面开口...
【专利技术属性】
技术研发人员：高学，柴展，罗杰馨，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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