半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备形成有多个单元的单元区域和包围单元区域的外周区域。单元区域具备覆盖多个单元的绝缘膜和具有层叠在绝缘膜上的层叠部的电极部。外周区域具备第一半导体层、第二半导体区域、外周绝缘膜、外周电极部、阻挡层和钝化膜。外周绝缘膜覆盖第一半导体层的表面和第二半导体区域的表面并具有使第二半导体区域的表面的一部分露出的开口部。外周电极部具有层叠在外周绝缘膜上的突出部，与第二半导体区域的表面中的通过开口部露出的部分相接。阻挡层覆盖外周绝缘膜和外周电极部双方，扩散系数比外周绝缘膜小。钝化膜层叠于阻挡层，扩散系数比阻挡层大。突出部的厚度比层叠部的厚度薄。部的厚度薄。部的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]例如在车载用逆变器装置中使用的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)等半导体装置中，已知在电极上形成保护膜(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
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136472号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]然而，在使用例如聚酰亚胺等有机保护膜作为保护膜的情况下，外部离子有可能通过保护膜。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]解决上述课题的半导体装置具备：单元区域，其形成有多个单元；外周区域，其以包围所述单元区域的方式设置于所述单元区域的外侧，所述单元区域具备：绝缘膜，其覆盖所述多个单元；电极部，其具有层叠在所述绝缘膜上的层叠部，所述外周区域具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体区域，其在所述第一半导体层中局部地形成；外周绝缘膜，其覆盖所述第一半导体层的表面和所述第二半导体区域的表面，具有使所述第二半导体区域的表面的一部分露出的开口部；外周电极部，其具有从所述开口部向侧方突出并且层叠在所述外周绝缘膜上的突出部，与所述第二半导体区域的表面中的通过所述开口部露出的部分相接；阻挡层，其覆盖所述外周绝缘膜和所述外周电极部双方且扩散系数比所述外周绝缘膜小；钝化膜，其层叠于所述阻挡层且扩散系数比所述阻挡层大，所述突出部的厚度比所述层叠部的厚度薄。
[0010]解决上述课题的半导体装置具备：单元区域，其形成有多个单元；外周区域，其以包围所述单元区域的方式设置于所述单元区域的外侧，所述单元区域具备：绝缘膜，其覆盖所述多个单元；电极部，其具有层叠在所述绝缘膜上的层叠部，所述外周区域具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体区域，其在所述第一半导体层中局部地形成；外周绝缘膜，其覆盖所述第一半导体层的表面和所述第二半导体区域的表面，具有使所述第二半导体区域的表面的一部分露出的开口部，由氧化硅膜形成；外周电极部，其具有从所述开口部向侧方突出并且层叠在所述外周绝缘膜上的突出部，与所述第二半导体区域的表面中的通过所述开口部露出的部分相接；阻挡层，其覆盖所述外周绝缘膜和所述外周电极部双方，由氮化硅膜形成；钝化膜，其层叠于所述阻挡层，由有机绝缘膜形成，所述突出部的厚度比所述层叠部的厚度薄。
[0011]专利技术效果
[0012]根据上述半导体装置，能够抑制外部离子向半导体层的侵入。
附图说明
[0013]图1是第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0014]图2是从图1的半导体装置除去了保护膜的状态的俯视图。
[0015]图3是表示单元区域的剖面构造的一例的剖视图。
[0016]图4是表示图1的半导体装置的4
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4线的剖面构造的剖视图。
[0017]图5是图4的外周区域中的FLR部的一部分的放大图。
[0018]图6是图4的外周区域中的栅极指状部和发射极引绕部的放大图。
[0019]图7是图4的外周区域中的等电位环的放大图。
[0020]图8是针对第一实施方式的半导体装置的制造方法来说明其制造工序的一例的说明图。
[0021]图9是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0022]图10是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0023]图11是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0024]图12是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0025]图13是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0026]图14是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0027]图15是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0028]图16是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0029]图17是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0030]图18是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0031]图19是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0032]图20是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0033]图21是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0034]图22是针对第二实施方式的半导体装置而表示单元区域的剖面构造的剖视图。
[0035]图23为表示外周区域中的FLR部的一部分的剖面构造的一例的剖视图。
[0036]图24是针对第二实施方式的半导体装置的制造方法而说明其制造工序的一例的说明图。
[0037]图25是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0038]图26是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0039]图27是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0040]图28是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0041]图29是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0042]图30是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0043]图31是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0044]图32是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0045]图33是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0046]图34是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0047]图35是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0048]图36是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
[0049]图37是说明半导体装置的制造方法的制造工序的一例的说明图。
具体实施方式
[0050]以下，参照附图对半导体装置的实施方式进行说明。以下所示的实施方式例示用于将技术思想具体化的结构、方法，各结构部件的材质、形状、构造、配置、尺寸等并不限定于下述内容。
[0051][第一实施方式][0052]参照图1～图21，对第一实施方式的半导体装置10进行说明。图1～图7表示半导体装置10的结构的一例，图8～图21表示半导体装置10的制造工序的一例。
[0053](半导体装置的结构)
[0054]参照图1～图7，对本实施方式的半导体装置10的结构进行说明。
[0055]如图1所示，本实施方式的半导体装置10是沟槽栅型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管))。该半导体装置10例如在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：单元区域，形成有多个单元；以及外周区域，其以包围所述单元区域的方式设置于所述单元区域的外侧，所述单元区域具备：绝缘膜，其覆盖所述多个单元；以及电极部，其具有层叠在所述绝缘膜上的层叠部，所述外周区域具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体区域，其在所述第一半导体层中局部地形成；外周绝缘膜，其覆盖所述第一半导体层的表面和所述第二半导体区域的表面，并具有使所述第二半导体区域的表面的一部分露出的开口部；外周电极部，其具有从所述开口部向侧方突出并且层叠在所述外周绝缘膜上的突出部，与所述第二半导体区域的表面中的通过所述开口部露出的部分相接；阻挡层，其覆盖所述外周绝缘膜和所述外周电极部双方且扩散系数比所述外周绝缘膜小；以及钝化膜，其层叠于所述阻挡层且扩散系数比所述阻挡层大，所述突出部的厚度比所述层叠部的厚度薄。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述突出部的厚度比所述外周绝缘膜的厚度薄。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述外周电极部具有被埋入所述开口部的埋入电极部，所述突出部与所述埋入电极部被一体化。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述外周电极部具有：电极层，其形成于所述外周绝缘膜的表面和构成所述开口部的所述外周绝缘膜的内侧面；以及埋入电极，其被埋入于所述开口部，所述突出部由所述电极层构成。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，所述突出部的厚度为2μm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，从所述第一半导体层的厚度方向观察，所述突出部覆盖所述第二半导体区域的整体。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，从所述第一半导体层的厚度方向观察，所述突出部具有比所述第二半导体区域的外缘突出的部分。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：大泽隆亨，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：