本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述半导体衬底上；第二导电类型的多个柱结构，形成于所述外延层中，且沿所述外延层的厚度方向延伸；多个所述柱结构在所述外延...

本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于所述半导体衬底的上表面，所述外延层与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，位于所述外延层内，且沿所述外...

本发明提供一种超结MOS器件结构及其制备方法。超结MOS器件结构包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；多个第二导电类型柱；多个第二导电类型阱区；第一导电类型源区；第二导电类型阱引出区；栅极；栅极间隔层，位于栅极内，包括间隔绝缘层及间...

本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述半导体衬底上；多个第二导电类型区，形成于所述外延层中；多个所述第二导电类型区在所述外延层中沿所述外延层的厚度方向及...

本发明提供了一种超结器件终端结构及其制备方法，所述超结器件终端结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述半导体衬底上；第二导电类型的多个柱结构，形成于所述外延层中，且沿所述外延层的厚度方向延伸；多个所述柱结构在...

本发明提供一种超结MOS器件结构及其制备方法。该器件结构包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；多个第二导电类型柱，间隔分布于第一导电类型外延层内以在各第二导电类型柱之间间隔出第一导电类型柱而形成超结结构；多个第二导电类型阱区；第一...

本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；外延叠层，形成于所述半导体衬底上；所述外延叠层包括至少两种沿所述外延叠层的厚度方向交替叠置的第一导电类型的外延层，且其中至少一种所述外延层具有与所...