【技术实现步骤摘要】
超结器件结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种超结器件结构及其制备方法。
技术介绍
电能与我们的生活息息相关，电能的高效利用是现在电力电子技术的重要研究课题。功率器件是电力电子技术的核心，在我们的日常生活中发挥了越来越重要的作用。功率器件在电力电子技术中主要是作为开关电源来应用。理想的开关应该具有极高的耐压能力和优异的导电能力，同时还有具有快速关断的特点。20世纪90年代，随着超结技术的出现，打破了传统硅基高压器件的限制，在实现高耐压的同时，具备了优异的导通特性。目前，超结功率器件寄生二极管反向恢复特性不够理想，使其开关速度受到一定的限制。在半桥和全桥等典型功率器件应用电路中，要求超结器件具有快速反向恢复能力来减小功耗和增加电路可靠性。为了解决超结器件反向恢复较慢的问题，优化电路设计参数、优化器件结构参数、优化器件物理参数等方法都已经进行了深入研究。其中最有效的方法是优化器件物理参数。具体来讲，是通过引入缺陷，增加载流子复合几率，降低载流子寿命，以实现在器件关断阶段载流子迅速减少的目的。引入缺陷的方法主要包括高能电子辐照、中子辐照、...
【技术保护点】
1.一种超结器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于所述半导体衬底的上表面，所述外延层与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，位于所述外延层内，且沿所述外延层的厚度方向延伸。
【技术特征摘要】
1.一种超结器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于所述半导体衬底的上表面，所述外延层与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，位于所述外延层内，且沿所述外延层的厚度方向延伸。2.根据权利要求1所述的一种超结器件结构，其特征在于，所述外延层包含锗硅层；所述半导体衬底包含硅衬底。3.根据权利要求2所述的一种超结器件结构，其特征在于，在所述锗硅层中，锗的原子数百分含量的范围介于0.5％至10％之间。4.根据权利要求1所述的一种超结器件结构，其特征在于，所述第一导电类型为n型且所述第二导电类型为p型；或所述第一导电类型为p型且所述第二导电类型为n型。5.根据权利要求1所述的一种超结器件结构，其特征在于，所述超结器件结构还包括：体接触区，位于所述外延层内，且位于所述柱结构的顶部；栅氧化层，位于所述外延层的上表面；多晶硅栅，位于所述栅氧化层的上表面；源区，位于所述体接触区内；层间电介质层，位于所述多晶硅栅的表面及侧壁；正面金属电极，位于所述体接触区、所述源区及所述层间电介质层的表面；背面金属电极，位于所述半导体衬底远离所述外延层的表面。6.一种超结器件结构的制备方法，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐大朋，梁欢，黄肖艳，薛忠营，罗杰馨，柴展，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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