【技术实现步骤摘要】
一种分裂栅SiC垂直功率MOS器件及其制备方法
本专利技术涉及一种能够改善品质因数的分裂栅SiC垂直功率MOSFET器件及其的制作方法，属于微电子
该器件在相同的比导通电阻下具有更低的反向传输电容和栅漏电荷，并提高器件的击穿电压，改善器件安全区特性。
技术介绍
SiC具有独特的物理、化学及电学特性，是在高温、高频、大功率及抗辐射等极端应用领域极具发展潜力的半导体材料。而SiC功率器件具有输入阻抗高、开关速度快、工作频率高耐高压等一系列优点，在开关稳压电源、高频以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。1993年，J.W.Palmour提出了一种垂直型UMOSFET结构，基于碳化硅材料中该时刻未成熟的离子注入工艺，因此，该结构通过外延消除了离子注入引起的晶格损耗，并且使该装置的耐电压达到330V，特征导通电阻为33mΩ▪cm2，由于UMOS结构工艺过程中存在许多问题，在最近几年，更多的研究者投入到了VDMOS器件的研究上。而常规沟槽VDMOS器件具有非常大的栅-漏重叠电容。由于栅漏电荷密勒效应，当元件处于高频状态中，器件的频率响应大大降低，导致器件性能损失。要优...
【技术保护点】
1.一种分裂栅SiC 垂直功率MOS器件，其特征在于，包括N+/N‑型SiC衬底基片，其构成是在N‑漂移区的底部设有N+衬底层，在N‑漂移区的上面设有左右对称的P‑阱区，在两个P‑阱区的上部相背对的一侧各设有P+接地区，在两个该P+接地区相对的一侧设有N+源区，在两个该N+源区相对的一侧留有P‑WELL阱区；在两个该N+源区之间的上面设有栅极绝缘层，在该N+源区和P+接地区的上面设有源电极；在该栅极绝缘层的上面左右对称并间隔设置有两个栅电极；在所述的栅电极和源电极的上面设有互连电极。
【技术特征摘要】
1.一种分裂栅SiC垂直功率MOS器件，其特征在于，包括N+/N-型SiC衬底基片，其构成是在N-漂移区的底部设有N+衬底层，在N-漂移区的上面设有左右对称的P-阱区，在两个P-阱区的上部相背对的一侧各设有P+接地区，在两个该P+接地区相对的一侧设有N+源区，在两个该N+源区相对的一侧留有P-WELL阱区；在两个该N+源区之间的上面设有栅极绝缘层，在该N+源区和P+接地区的上面设有源电极；在该栅极绝缘层的上面左右对称并间隔设置有两个栅电极；在所述的栅电极和源电极的上面设有互连电极。2.根据权利要求1所述的分裂栅SiC垂直功率MOS器件，其特征在于，所述的栅极绝缘层为SiO2。3.一种权利要求1所述的分裂栅SiC垂直功率MOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）选取N+/N-型SiC衬底基片；（2）P-阱区通过离子注入形成；（3）离子注入形成P+接地区；（4）离子注入形成N+源区；（5）在离子注入区形成之后，统一进行高温退火；（6）制备栅绝缘层；（7）制备源电极；（8）制备栅电极；（9）制备互连电极。4.根据权利要求3所述的制备方法，其...
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