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本发明公开了一种分裂栅SiC垂直功率MOS器件及其制备方法，采用新型分裂栅结构，常规沟槽VDMOS器件具有非常大的栅‑漏重叠电容。由于栅漏电荷密勒效应，当元件处于高频状态中，器件的频率响应大大降低，导致器件性能损失。要优化VDMOS在高频条...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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