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本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于所述半导体衬底的上表面，所述外延层与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，位于所述外延层内，且沿所述外延层...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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