温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请的实施例提出了一种超结器件及其制作方法和电子器件。超结器件包括衬底、第一导电型外延层和复合区域，其中，第一导电型外延层设置在衬底的一侧，第一导电型外延层上形成有多个深沟槽，深沟槽内填充有第二导电型多晶硅；复合区域位于第一导电型外延层，...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。