LDMOS开关器件及其制作方法技术

本申请提供了LDMOS开关器件及其制作方法。该LDMOS开关器件包括第一半导体衬底以及栅极、栅氧化层、漂移区和源/漏区，源/漏区中的漏区位于漂移区中，器件还包括半导体层，位于第一半导体衬底的一侧，半导体层具有远离第一半导体衬底一侧的第一表面，栅氧化层位于第一表面上，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧，源/漏区位于栅极两侧的半导体层中；绝缘氧化层，位于半导体层与第一半导体衬底之间；电荷陷阱层，位于绝缘氧化层与第一半导体衬底之间。电荷陷阱层能够用于陷阱住漂移区感应产生的电荷，不会产生衬底和漂移区之间的电容，从而可以通过调整绝缘氧化层的厚度，使器件兼具较低的输出电容和较高的散热能力。较低的输出电容和较高的散热能力。较低的输出电容和较高的散热能力。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS开关器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种LDMOS开关器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有的CMOS开关通常通过叠加实现高压，而LDMOS开关则可以通过调节漂移区长度实现不同的开关耐压需求，并且LDMOS器件比其他的DMOS器件具有更好的开关速度。对于传统的LDMOS器件，由于漂移区和衬底直接的结电容，器件的总体输出电容很大，SOI LDMOS器件能够减少漂移区和衬底的结电容，降低总体的输出电容。
[0003]对于SOI LDMOS器件而言，电容降低的比例和衬底上绝缘氧化层的厚度正相关，但是SOI器件的绝缘氧化层越厚，器件的散热能力越差，器件的效率越低。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种LDMOS开关器件及其制作方法，以解决现有技术中LDMOS器件低输出电容和散热能力无法兼顾的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种LDMOS开关器件，包括第一半导体衬底以及位于第一半导体衬底一侧的栅极、栅氧化层、漂移区和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS开关器件，包括第一半导体衬底以及位于所述第一半导体衬底一侧的栅极、栅氧化层、漂移区和源/漏区，所述源/漏区中的漏区位于所述漂移区中，其特征在于，所述LDMOS开关器件还包括：半导体层，位于所述第一半导体衬底的一侧，所述半导体层具有远离所述第一半导体衬底一侧的第一表面，所述栅氧化层位于所述第一表面上，所述栅极位于所述栅氧化层远离所述第一表面的一侧，所述源/漏区位于所述栅极两侧的所述半导体层中；绝缘氧化层，位于所述半导体层与所述第一半导体衬底之间；电荷陷阱层，位于所述绝缘氧化层与所述第一半导体衬底之间。2.根据权利要求1所述的LDMOS开关器件，其特征在于，所述电荷陷阱层为多晶硅层。3.根据权利要求2所述的LDMOS开关器件，其特征在于，所述电荷陷阱层的厚度是0.2μm～5μm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的LDMOS开关器件，其特征在于，所述LDMOS开关器件还包括：漏区缓冲区，位于所述漂移区中，且所述漏区位于所述漏区缓冲区中；和/或漏区增强区，位于所述漂移区中所述漏区靠近所述第一表面的一侧，且所述漏区增强区与所述漏区接触。5.根据权利要求1至3中任一项所述的LDMOS开关器件，其特征在于，所述LDMOS开关器件还包括：体区，位于所述半导体层远离所述第一半导体衬底的一侧，且所述源/漏区中的源区位于所述体区中。6.根据权利要求5所述的LDMOS开关器件，其特征在于，所述LDMOS开关器件还包括：体区接触区，位于所述体区中所述源区的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫海锋，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：