大功率智能IGBT模块及其加工工艺制造技术

本发明专利技术公开一种大功率智能IGBT模块及其加工工艺，模块包括外壳、底板、驱动板、芯片、绝缘衬底、粘接胶、功率端子和信号端子，所述外壳具有容置腔，所述底板固定于外壳底部，驱动板位于底板上方，于底板和驱动板之间填充有绝缘涂覆胶；所述芯片位于驱动板侧旁，并位于底板上方，并于底板上设置有绝缘衬底，芯片位于绝缘衬底上方；所述驱动板和芯片之间连接有键合线，所述功率端子连接于外壳上，所述信号端子连接于驱动板上，所述粘接胶位于底板和外壳之间；并于容置腔中灌注有环氧树脂。加工工艺包括清洗、烧结、粘接、键合、灌胶和检测步骤。有效解决了灌封模块厚度问题以及散热问题，使得模块更加轻薄，具备小型化、散热能力强的特点。散热能力强的特点。散热能力强的特点。

【技术实现步骤摘要】
大功率智能IGBT模块及其加工工艺


[0001]本专利技术涉及智能功率模块领域技术，尤其是指一种大功率智能IGBT模块及其加工工艺。

技术介绍

[0002]本领域灌封智能功率模块的驱动板与芯片及功率部分采用叠层设计，驱动板通过内部信号端子、铝丝与芯片连接。由于驱动板处于芯片上方，驱动板必须与芯片、铝丝保留安全空间，防止大电压击穿。此种设计在模块纵向需要保留足够的安装空间和安全空间，导致智能功率模块整体厚度偏高，在狭小空间无法安装摆放。降低驱动板高度直至与芯片贴合，可以使整个模块高度大大减小，但是对于现有封装工艺是无法完成的。本领域模块上盖设计为扣合结构、粘接结构，同样导致模块结构复杂、纵向高度大，厚度偏高。模块内部填充硅凝胶保护芯片等器件，由于灌胶后再进行真空脱泡后，仍然存有少量气泡，在工作过程中芯片发热会导致硅凝胶内部气体膨胀。因此，上盖设计普遍与硅凝胶保留足够空间，防止因硅凝胶膨胀而溢出，或损坏上盖。
[0003]而塑封智能功率模块使用引线框架与芯片烧结而成，最终使用环氧树脂材料将产品封装，此种设计没有灌封底板结构，在大功率领域很难本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率智能IGBT模块，其特征在于：包括有外壳、底板、驱动板、芯片、绝缘衬底、粘接胶、功率端子和信号端子，所述外壳内形成有容置腔，所述底板固定于外壳底部，所述驱动板位于底板上方，并于底板和驱动板之间填充有绝缘涂覆胶，将驱动板粘接固定于底板上；所述芯片位于驱动板侧旁，并位于底板上方，并于底板上设置有用于放置芯片的绝缘衬底，芯片位于绝缘衬底上方；所述驱动板和芯片之间连接有键合线，所述功率端子连接于外壳上，所述信号端子连接于驱动板上，所述粘接胶位于底板和外壳之间；并于容置腔中灌注有环氧树脂，环氧树脂将驱动板、芯片和键合线完全覆盖。2.根据权利要求1所述的大功率智能IGBT模块，其特征在于：所述绝缘衬底与底板之间设置有绝缘涂覆胶。3.根据权利要求1所述的大功率智能IGBT模块，其特征在于：所述芯片包括有IGBT芯片和FRD芯片，所述芯片和外壳内壁之间也连接有键合线。4.根据权利要求3所述的大功率智能IGBT模块，其特征在于：所述外壳内壁上具有一台阶，所述键合线一端连接于芯片上，一端连接于所述台阶上。5.根据权利要求1所述的大功率智能IGBT模块，其特征在于：所述底板上设置有用于放置芯片的支撑座，所述芯片固定于支撑座上表面，所述绝缘衬底位于支撑座中部。6.根据权利要求1所述的大功率智能IGBT模块，其特征在于：所述绝缘衬底为导热率高、热膨胀低的陶瓷覆铜材质。7.根据权利要求1所述的大功率智能IGBT模块，其特征在于：所述底板为铝硅合成材质。8.一种如权利要求1
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7任意一项所述的大功率智能IGBT模块的加工工艺，其特征在于，包括有如下步骤：S1、将模块所需配件进行等离子清洗，去除配件表面的污物、粉尘；S2、将7颗IGBT芯片、7颗FRD芯片通过真空烧结炉与绝缘衬底进行烧结固定，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佰龙，曲赫然，许冬梅，何咏欣，徐宁，宋吉昌，
申请(专利权)人：深圳吉华微特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：