半导体装置制造方法及图纸

目的在于提供一种能够将贴合起来的第1半导体装置以及第2半导体装置之间的间隙减小的技术。第1半导体装置的第1电极与第2半导体装置的第2电极之间、以及第1半导体装置的第2电极与第2半导体装置的第1电极之间的至少任意一者被电连接，对于第1半导体装置以及第2半导体装置的每一者，从第1连接部分至第2连接部分为止的部分的厚度以及保持部件的厚度分别小于或等于第1主体部分的厚度或第2主体部分的厚度。厚度。厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]针对电力用半导体装置等半导体装置提出了下述技术，即，准备多个具有1个桥臂的1个模块，通过将这些模块贴合，从而构成具有多个桥臂的1个模块(例如专利文献1)。此外，具有1个桥臂的1个模块有时也被称为单一功能模块、单相模块、1合1模块等。作为具有多个桥臂的1个模块，存在例如2合1模块、6合1模块等。根据上述专利文献1这样的技术，能够实现半导体装置的小型化。
[0003]专利文献1：日本特开2013
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038105号公报

技术实现思路

[0004]然而，在现有技术中，保持半导体元件的封装部件整体较厚，因此在贴合起来的多个单一功能模块的电极彼此之间产生间隙。其结果，存在半导体装置的组装性以及小型化变差的问题。
[0005]因此，本专利技术就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够将贴合起来的第1半导体装置以及第2半导体装置之间的间隙减小的技术。
[0006]本专利技术涉及的半导体装置具有能够彼此贴合的第1半导体装置以及第2半导体装置，所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置各自包含：半导体元件；第1电极，其具有第1连接部分和第1主体部分，该第1连接部分相对于所述半导体元件配设于所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置的贴合方向即上下方向的第1侧，与所述半导体元件连接，该第1主体部分配设于所述半导体元件的侧方，与所述第1连接部分连接；第2电极，其具有第2连接部分和第2主体部分，该第2连接部分相对于所述半导体元件配设于所述上下方向的第2侧，与所述半导体元件连接，该第2主体部分配设于所述半导体元件的侧方，与所述第2连接部分连接；以及保持部件，其保持所述半导体元件、所述第1电极以及所述第2电极，将所述第1电极的所述第1侧的面和所述第2电极的所述第2侧的面露出，所述第1半导体装置的所述第1电极与所述第2半导体装置的所述第2电极之间、以及所述第1半导体装置的所述第2电极与所述第2半导体装置的所述第1电极之间的至少任意一者被电连接，对于所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置的每一者，从所述第1连接部分至所述第2连接部分为止的部分的厚度以及所述保持部件的厚度，分别小于或等于所述第1主体部分的厚度或所述第2主体部分的厚度。
[0007]专利技术的效果
[0008]根据本专利技术，第1半导体装置的第1电极与第2半导体装置的第2电极之间、以及第1半导体装置的第2电极与第2半导体装置的第1电极之间的至少任意一者被电连接，对于第1半导体装置以及第2半导体装置的每一者，从第1连接部分至第2连接部分为止的部分的厚度以及保持部件的厚度分别小于或等于第1主体部分的厚度或第2主体部分的厚度。根据这
样的结构，能够将贴合起来的第1半导体装置以及第2半导体装置之间的间隙减小。
[0009]本专利技术的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图而变得更加清楚。
附图说明
[0010]图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的剖视图。
[0011]图2是表示实施方式1涉及的第1半导体装置的结构的平面图。
[0012]图3是表示实施方式1涉及的第1半导体装置的结构的剖视图。
[0013]图4是表示实施方式1涉及的第1半导体装置的结构的侧视图。
[0014]图5是表示实施方式1涉及的第2半导体装置的结构的平面图。
[0015]图6是表示实施方式1涉及的第2半导体装置的结构的剖视图。
[0016]图7是表示实施方式1涉及的第2半导体装置的结构的侧视图。
[0017]图8是表示将实施方式1涉及的1个第1半导体装置和1个第2半导体装置贴合后的结构的剖视图。
[0018]图9是表示将实施方式1涉及的1个第1半导体装置和1个第2半导体装置贴合后的结构的侧视图。
[0019]图10是表示将实施方式1涉及的2个第1半导体装置和1个第2半导体装置贴合后的结构的剖视图。
[0020]图11是表示实施方式2涉及的第1半导体装置以及第2半导体装置的结构的剖视图。
[0021]图12是表示实施方式3涉及的第1半导体装置以及第2半导体装置的结构的剖视图。
[0022]图13是表示实施方式4涉及的第2半导体装置的结构的平面图。
[0023]图14是表示实施方式9涉及的半导体装置的结构的剖视图。
[0024]图15是表示实施方式10涉及的半导体装置的结构的剖视图。
[0025]图16是表示实施方式13涉及的第1半导体装置的结构的剖视图。
[0026]图17是表示实施方式13涉及的第1半导体装置的结构的平面图。
[0027]图18是表示实施方式14涉及的半导体装置的结构的剖视图。
[0028]图19是表示实施方式15涉及的半导体装置的结构的剖视图。
具体实施方式
[0029]以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。在以下的各实施方式中说明的特征是例示，并非所有特征都是必须的。另外，在以下所示的说明中，在多个实施方式中对同样的结构要素标注相同或类似的标号，主要针对不同的结构要素进行说明。另外，在以下所记载的说明中，“上”、“下”、“左”、“右”、“表”或“背”等特定的位置和方向并非必须与实际实施时的方向一致。
[0030]<实施方式1>
[0031]图1是表示本实施方式1涉及的半导体装置的结构的剖视图。本实施方式1涉及的半导体装置具有：能够彼此贴合的第1半导体装置1以及第2半导体装置2、脂状物(grease)60a、60b、60c、60d、绝缘板70a、70b和冷却鳍片80a、80b。
[0032]后面会进行详细说明，本实施方式1涉及的第1半导体装置1以及第2半导体装置2各自是2合1模块。因此，将1个第1半导体装置1和1个第2半导体装置2贴合后的图1的半导体装置成为4合1模块。以下，将第1半导体装置1以及第2半导体装置2的贴合方向设为上下方向，侧方设为对应于与上下方向正交的方向而进行说明。
[0033]绝缘板70a经由脂状物60a而配设于贴合起来的第1半导体装置1以及第2半导体装置2的上下方向的第1侧即上侧的面之上。冷却鳍片80a经由脂状物60b而配设于绝缘板70a的上侧的面之上。
[0034]绝缘板70b经由脂状物60c而配设于贴合起来的第1半导体装置1以及第2半导体装置2的上下方向的第2侧即下侧的面之上。冷却鳍片80b经由脂状物60d而配设于绝缘板70b的下侧的面之上。
[0035]此外，虽然在图1中，在第1半导体装置1以及第2半导体装置2的上侧的面以及下侧的面分别配设有脂状物、绝缘板以及冷却鳍片，但也可以仅将脂状物、绝缘板以及冷却鳍片配设于一个面。
[0036]图2是表示本实施方式1涉及的第1半导体装置1的结构的平面图，图3是表示该结构的剖视图，图4是表示该结构的侧视图。具体地说，图2(a)是从上侧的面观察第1半导体装置1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具有能够彼此贴合的第1半导体装置以及第2半导体装置，所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置各自包含：半导体元件；第1电极，其具有第1连接部分和第1主体部分，该第1连接部分相对于所述半导体元件配设于所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置的贴合方向即上下方向的第1侧，与所述半导体元件连接，该第1主体部分配设于所述半导体元件的侧方，与所述第1连接部分连接；第2电极，其具有第2连接部分和第2主体部分，该第2连接部分相对于所述半导体元件配设于所述上下方向的第2侧，与所述半导体元件连接，该第2主体部分配设于所述半导体元件的侧方，与所述第2连接部分连接；以及保持部件，其保持所述半导体元件、所述第1电极以及所述第2电极，将所述第1电极的所述第1侧的面和所述第2电极的所述第2侧的面露出，所述第1半导体装置的所述第1电极与所述第2半导体装置的所述第2电极之间、以及所述第1半导体装置的所述第2电极与所述第2半导体装置的所述第1电极之间的至少任意一者被电连接，对于所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置的每一者，从所述第1连接部分至所述第2连接部分为止的部分的厚度以及所述保持部件的厚度分别小于或等于所述第1主体部分的厚度或所述第2主体部分的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置各自还包含输出端子，该输出端子具有第3连接部分和第3主体部分，该第3连接部分与所述半导体元件连接，该第3主体部分配设于所述半导体元件的侧方，与所述第3连接部分连接，所述第1半导体装置的所述输出端子与所述第2半导体装置的所述输出端子之间电连接，对于所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置的每一者，从所述第1连接部分至所述第2连接部分为止的部分的厚度以及所述保持部件的厚度分别小于或等于所述第1主体部分的厚度、所述第2主体部分的厚度或所述第3主体部分的厚度。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，对于所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置的每一者，在所述第1连接部分、所述第1主体部分、所述第2主体部分、所述第3主体部分以及所述保持部件各自的所述第1侧的面之间没有台阶，在所述第2连接部分、所述第1主体部分、所述第2主体部分、所述第3主体部分以及所述保持部件各自的所述第2侧的面之间没有台阶。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，在所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置中一者的所述第1电极以及所述第2电极的至少任意一者配设有凹部，在所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置中另一者的所述第1电极以及所述第2电极的至少任意一者配设有与所述凹部嵌合的凸部。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述第1半导体装置以及所述第2半导体装置各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：白滨亮弥，饭塚新，冈本是英，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：