半导体封装及半导体封装的标记方法技术

本发明专利技术的实施方式提供一种视认性提高的半导体封装及半导体封装的标记方法。实施方式的半导体封装具备半导体元件、密封材料、屏蔽膜以及识别膜。所述密封材料设置在所述半导体元件的侧面上及上表面上。所述屏蔽膜设置在所述密封材料的侧面上及上表面上。所述识别膜设置在所述屏蔽膜的上表面上，具有含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及半导体封装的标记方法[相关申请]本申请享有以日本专利申请2017-56365号(申请日：2017年3月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体封装及半导体封装的标记方法。
技术介绍
在半导体封装中，为了降低EMI(ElectroMagneticInterference，电磁干扰)的影响，而在半导体元件之上隔着密封材料设置屏蔽膜。并且，为了识别半导体封装，而在半导体封装上形成标记。在对密封材料进行激光加工之后，沿着对密封材料加工而产生的凹凸形成屏蔽膜，由此形成标记。对于这种半导体封装，要求提高标记的视认性。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种视认性提高的半导体封装及半导体封装的标记方法。根据本专利技术的实施方式，提供一种具备半导体元件、密封材料、屏蔽膜以及识别膜的半导体封装。所述密封材料设置在所述半导体元件的侧面上及上表面上。所述屏蔽膜设置在所述密封材料的侧面上及上表面上。所述识别膜设置在所述屏蔽膜的上表面上，具有含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。附图说明图1(a)及(b)是表示实施方式的半导体封装的图。图2(a)及(b)是表示实施方式的变化例的半导体封装的图。图3是表示实施方式的半导体封装的标记方法的流程图。具体实施方式以下，一边参照附图，一边对本专利技术的各实施方式进行说明。此外，附图为示意图或概念图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与实物相同。而且，即便在表示相同部分的情况下，也有彼此的尺寸或比率根据附图而不同地表示的情况。此外，在本案说明书及各图中，对与关于已出现过的图在上文叙述过的要素相同的要素标注相同的符号并适当省略详细说明。(第1实施方式)图1(a)及(b)是表示实施方式的半导体封装的图。图2(a)及(b)是表示实施方式的变化例的半导体封装的图。如图1(a)及(b)所示，在半导体封装1中设置有衬底10、半导体元件20、密封材料30、屏蔽膜40、保护膜50以及识别膜60。衬底10例如为半导体衬底且包含硅(Si)。衬底10例如也可以包含金属。衬底10具有例如矩形状，且作为基底发挥功能。半导体元件20设置在衬底10上。半导体元件20例如为设置在衬底10上的半导体芯片。密封材料30以覆盖半导体元件20的侧面及上表面的方式设置在衬底10的上表面上。密封材料30例如包含树脂。作为形成密封材料30的树脂，可列举热硬化性树脂或热塑性树脂。密封材料30也可以由光硬化性树脂形成。屏蔽膜40设置在衬底10的侧面上及密封材料30上。屏蔽膜40覆盖衬底10的侧面、密封材料30的侧面及上表面。通过像这样设置屏蔽膜40，半导体元件20的侧面及上表面被覆盖，从而能够降低EMI的影响。屏蔽膜40例如包含铜(Cu)。保护膜50以覆盖侧面及上表面的方式设置在屏蔽膜40上。保护膜50例如包含铁(Fe)、铬(Cr)及镍(Ni)中的至少任一种。例如，保护膜50为不锈钢，且为铁(Fe)、铬(Cr)及镍(Ni)的合金或者铁(Fe)及铬(Cr)的合金。例如，保护膜50的厚度为300纳米以上。如图1(a)所示，识别膜60设置在保护膜50的上表面上。识别膜60也能以覆盖侧面及上表面的方式设置在保护膜50上。识别膜60例如为包含氧化钛(TiO)的膜。当识别膜60为包含氧化钛的膜时，例如，以钛(Ti)为靶使用氧气(O2)通过溅镀法成膜于保护膜50。也可以通过将包含氧化钛的材料进行丝网印刷而成膜，还可以通过喷涂将包含氧化钛的材料涂膜。如图1(b)所示，识别膜60具有第1部分60a及第2部分60b。第1部分60a是在保护膜50的上表面上形成识别膜60之后未进行激光照射的部分。另一方面，第2部分60b是在保护膜50的上表面上形成识别膜60之后进行了激光照射的部分。也就是说，第2部分60b是通过激光照射而被加工后的部分，相当于被标记的部分。当识别膜60为包含氧化钛(TiO)的膜时，第1部分60a未被激光照射，因此包含二价氧化钛(TiO)。另一方面，第2部分60b被激光照射而包含四价氧化钛(TiO2)。第1部分60a(TiO)的颜色为黑色，第2部分60b(TiO2)的颜色为白色。也就是说，通过激光照射，识别膜60的一部分从黑色变化成白色。通过激光照射而进行由以下化学式(1)表示的反应。2TiO+O2→2TiO2…(1)作为激光照射的加工条件，激光例如为YAG(YttriumAluminumGarnet，钇-铝-石榴石)激光。所述化学式(1)表示的化学反应是在500℃到600℃的温度下进行，因此，激光输出就是所述化学式(1)表示的化学反应进行的程度的输出。例如，激光输出为5W。而且，500℃到600℃的温度是只要利用激光进行标记便能够达到的温度，使用半导体封装1的组装步骤或测试步骤为300℃左右，因此，在包含回焊处理等的组装步骤中，识别膜60不会变色，而能够确保被标记的部分(第2部分60b)的视认性。识别膜60的厚度达到了在通过激光使氧化钛反应后能够识别黑色(第1部分60a)及白色(第2部分60b)的程度。如果除了识别标记以外，还作为用来降低EMI的影响的保护膜使用，那么识别膜60的厚度理想为0.1微米以上。接下来，对半导体封装的变化例进行说明。如图2(a)及(b)所示，在半导体封装2中设置有衬底10、半导体元件20、密封材料30、屏蔽膜40以及识别膜60。也就是说，相较于半导体封装1，本变化例的半导体封装2中未设置保护膜50。如图2(a)所示，识别膜60以覆盖侧面及上表面的方式设置在屏蔽膜40上。当识别膜60为包含氧化钛的膜时，例如以钛为靶使用氧气通过溅镀法成膜于屏蔽膜40。如图2(b)所示，识别膜60具有第1部分60a及第2部分60b。第1部分60a是在屏蔽膜40的上表面上形成识别膜60后未进行激光照射的部分。另一方面，第2部分60b是在屏蔽膜40的上表面上形成识别膜60后进行了激光照射的部分。也就是说，第2部分60b是通过激光照射而被加工后的部分，相当于被标记的部分。当识别膜60为包含氧化钛的膜时，通过激光照射，识别膜60的一部分从黑色变化为白色。对半导体封装的标记方法进行说明。图3是表示实施方式的半导体封装的标记方法的流程图。如图3所示，准备配置有半导体元件20的衬底10(S110)。接着，在半导体元件20上形成密封材料30(S120)。密封材料30例如包含树脂，且覆盖半导体元件20的侧面及上表面。接着，在密封材料30上依次形成屏蔽膜40及保护膜50(S130)。屏蔽膜40覆盖密封材料30的侧面及上表面，保护膜50覆盖屏蔽膜40的侧面及上表面。屏蔽膜40及保护膜50是由众所周知的方法成膜。例如，屏蔽膜40及保护膜50由溅镀法形成。此外，保护膜50也可以不形成在屏蔽膜40上。接着，在保护膜50上形成识别膜60(S140)。识别膜60例如包含氧化钛，且覆盖保护膜50的上表面。例如，识别膜60由溅镀法形成。例如，在通过溅镀法形成屏蔽膜40、保护膜50及识别膜60的情况下，可以在相同的腔室内连续地形成。接着，对识别膜60进行激光照射而加工(S150)。作为激光照射的加工条件，例如，激光为YAG激光，激光输出为5W。通过激光照射，识别膜60具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，其特征在于具备：半导体元件；密封材料，设置在所述半导体元件的侧面上及上表面上；屏蔽膜，设置在所述密封材料的侧面上及上表面上；以及识别膜，设置在所述屏蔽膜的上表面上，具有含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。

【技术特征摘要】
2017.03.22 JP 2017-0563651.一种半导体封装，其特征在于具备：半导体元件；密封材料，设置在所述半导体元件的侧面上及上表面上；屏蔽膜，设置在所述密封材料的侧面上及上表面上；以及识别膜，设置在所述屏蔽膜的上表面上，具有含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述识别膜还设置在所述屏蔽膜的侧面上，含二价氧化钛的部分设置在所述屏蔽膜的侧面上的识别膜中...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野勇佑，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP