半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
目前半导体装置及半导体装置的制造方法是不适当的，例如导致过高的噪声敏感性、缺乏适当支撑的半导体封装、过多成本、降低的可靠性或过大的封装大小。通过比较常规及传统方法与如在本申请案的其余部分中参考图式阐述的本专利技术，所属领域的技术人员将显而易见此类方法的另外限制及缺点。
技术实现思路
本专利技术的各种方面提供一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本专利技术的各种方面提供一种半导体装置，其包括耦合到衬底且由穿孔金属平面环绕的半导体裸片，及一种制造所述半导体装置的方法。根据本专利技术的第一方面为一种半导体装置包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。前述第一方面中，所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径到所述顶部衬底表面。前述第一方面中，所述包封材料完全填充所述金属平面的所述第二孔径。前述第一方面中，所述包封材料延伸到所述金属平面的所述第一孔径中。前述第一方面中，所述金属平面的任何部分都不在所述半导体裸片正下方。前述第一方面中，所述金属平面的任何部分都不低于所述半导体裸片。前述第一方面中，所述金属平面包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部金属平面表面。前述第一方面中，所述半导体装置包括导电立柱，所述导电立柱从所述金属平面朝上延伸且包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部立柱表面。前述第一方面中，所述金属平面的侧表面从所述包封材料暴露。前述第一方面中，所述半导体装置包括耦合到所述金属平面的所述侧表面的导电屏蔽物。前述第一方面中，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面且以所述包封材料填充的多个额外孔径。根据本专利技术的第二方面为一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属层，其在所述顶部衬底表面上，所述金属层包括第一区段，其包括完全延伸通过所述第一区段的第一孔径及第二孔径；及第二区段，其与所述第一区段电隔离且包括完全延伸通过所述第二区段的第三孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述第一区段的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料填充所述第一区段的所述第二孔径及所述第二区段的所述第三孔径。前述第二方面中，所述金属层覆盖所述衬底的至少一半。前述第二方面中，所述金属层的所述第一区段及所述第二区段侧向地环绕所述半导体裸片。前述第二方面中，所述第一区段电耦合到第一电力供应信号，且所述第二区段电耦合到不同于所述第一电力供应信号的第二电力供应信号。前述第二方面中，所述第一电力供应信号包括接地信号，且所述第二电力供应信号包括非接地信号电力供应信号。根据本专利技术的第三方面为一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属层，其在所述顶部衬底表面上，所述金属层包括完全延伸通过所述金属层的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属层的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸到所述金属层的所述第二孔径中，其中暴露于所述包封材料的顶部表面处的金属表面电连接到所述金属层。前述第三方面中，暴露的所述金属表面为所述金属层的顶部表面。前述第三方面中，暴露的所述金属表面为附接到所述金属层的导电立柱的顶部表面。前述第三方面中，所述半导体装置包括暴露于所述包封材料的所述顶部表面处且电连接到所述金属层的第二金属表面，且其中：所述金属表面电连接到所述金属层的第一区段及第一电力供应信号；且所述第二金属表面电连接到所述金属层的第二区段及第二电力供应信号。附图说明图1示出根据本专利技术的各种方面的制造半导体装置的实例方法的流程图。图2A到2H示出在根据图1的实例方法制造期间的实例半导体装置的横截面图。图3A到3B示出根据本专利技术的各种方面的实例金属平面的平面图。图4示出根据本专利技术的各种方面的实例半导体装置的横截面图。图5示出根据本专利技术的各种方面的实例半导体装置的横截面图。图6示出根据本专利技术的各种方面的实例半导体装置的横截面图。图7示出根据本专利技术的各种方面的实例半导体装置的横截面图。具体实施方式以下论述通过提供本专利技术的实例来呈现本专利技术的各种方面。此类实例是非限制性的，且因此本专利技术的各种方面的范围应不必受所提供实例的任何特定特性限制。在以下论述中，短语“举例来说”、“例如”及“示范性”是非限制性的且通常与“借助于实例而非限制”、“例如而非限制”及其类似者同义。如本文中所使用，“及/或”意指由“及/或”联结的列表中的项目中的任何一项或多项。作为实例，“x及/或y”意指三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。换句话说，“x及/或y”意指“x及y中的一个或两个”。作为另一实例，“x、y及/或z”意指七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。换句话说，“x、y及/或z”意指“x、y及z中的一个或多个”。本文中所使用的术语仅出于描述特定实例的目的，且并不意图限制本专利技术。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”及其类似者当在本说明书中使用时，表示所陈述特征、整体、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件及/或其群组的存在或添加。将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用以描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用以将一个元件与另一元件区分开。因此，例如，在不脱离本专利技术的教示的情况下，下文论述的第一元件、第一组件或第一区段可被称为第二元件、第二组件或第二区段。类似地，例如“上部”、“上方”、“下部”、“下方”、“侧”、“侧向”、“水平”、“垂直”及其类似者的各种空间术语可用于以相对方式将一个元件与另一元件区分开。然而，应理解，组件可以不同方式定向，例如在不脱离本专利技术的教示的情况下，半导体装置可侧向转动使得其“顶部”表面水平地面向且其“侧”表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。

【技术特征摘要】
2016.12.09 US 15/373,7131.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径到所述顶部衬底表面。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述包封材料完全填充所述金属平面的所述第二孔径。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述包封材料延伸到所述金属平面的所述第一孔径中。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面的任何部分都不在所述半导体裸片正下方。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面的任何部分都不低于所述半导体裸片。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部金属平面表面。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括导电立柱，所述导电立柱从所述金属平面朝上延伸且包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部立柱表面。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面的侧表面从所述包封材料暴露。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其包括耦合到所述金属平面的所述侧表面的导电屏蔽物。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面且以所述包封材料填充的多个额外孔径。12.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属层，其在所述顶部衬底表面上，所述金属层包括第一区段，其包括完全延伸通过所述第一区段的第一孔径及第二孔径；及第二区段，其与所述第一区段电隔离且包括完全延伸通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩意书，李泰勇，新及补，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US