半导体封装制造技术

本发明专利技术公开一种半导体封装，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述加强环包括横跨所述中间体的加强筋。采用这种方式，使用加强环和加强筋对半导体晶粒进行加固，减少对半导体晶粒的覆盖和封闭，半导体晶粒产生的热量不会被其他阻挡物阻挡而影响半导体封装的散热，从而提高半导体封装的散热速度和散热能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装。
技术介绍
在集成电路(IC，integratedcircuit)的运行期间，IC芯片产生热量，从而加热了包含芯片的整个电子器件封装。由于IC芯片的性能随着温度升高而降低，并且由于高热应力(thermalstresse)降低了电子器件封装的结构完整性(structuralintegrity)，所以这种热量必须散出。通常，电子器件封装使用金属盖(lid)来散热。来自芯片的热量通过芯片/盖子接口传递到金属盖。然后通过对流将热量从金属盖传递到周围的空气，或者传递到安装在金属盖上的散热器。随着每个新一代微处理器的晶粒功耗、晶粒尺寸和热密度的增加，散热成为一个挑战。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装，以提高半导体封装的散热速度和散热能力。根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体封装，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述加强环包括横跨所述中间体的加强筋。根据本专利技术的第二个方面，公开一种半导体封装，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；模塑料，封装所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒；以及加强环，固定到所述封装基板的上表面，其中所述加强环包括横跨所述模塑料的加强筋。根据本专利技术的第三个方面，公开一种半导体封装，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒，安装在所述中间体上；加强环，固定到所述封装基板的上表面，其中加强环围绕所述第一半导体晶粒；以及散热器，直接接合到所述第一半导体晶粒的背面表面。根据本专利技术的第四个方面，公开一种半导体封装，包括：封装基板，具有上表面和底表面；重分布层结构，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述重分布层结构上；模塑料，封装所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒；以及加强环，固定到所述封装基板的上表面，其中所述加强环包括横跨所述模塑料的加强筋。本专利技术提供的半导体封装由于包括加强环，第一半导体晶粒和第二半导体晶粒安装在中间体上，并且加强环围绕第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，加强环包括横跨中间体的加强筋。采用这种方式，使用加强环和加强筋对半导体晶粒进行加固，减少对半导体晶粒的覆盖和封闭，半导体晶粒产生的热量不会被其他阻挡物阻挡而影响半导体封装的散热，从而提高半导体封装的散热速度和散热能力。在阅读了随后以不同附图展示的优选实施例的详细说明之后，本专利技术的这些和其它目标对本领域普通技术人员来说无疑将变得明显。附图说明图1是根据本专利技术一个实施例的半导体封装的俯视示意图；图2是沿着图1中的虚线I-I'截取的横截面示意图；图3是沿着图2中的虚线II-II'截取的横截面示意图；图4是根据本专利技术另一个实施例的半导体封装的俯视示意图；图5是沿着图4中的虚线I-I'截取的横截面示意图；图6是沿着图4中的虚线II-II'截取的横截面示意图；图7是根据本专利技术另一个实施例的半导体封装的俯视示意图；图8是沿着图7中的虚线I-I'截取的横截面示意图；图9是根据本专利技术另一个实施例的半导体封装的俯视示意图；图10是沿着图9中的虚线I-I'截取的横截面示意图；图11是根据本专利技术另一个实施例的半导体封装的俯视示意图；图12是沿着图11中的虚线I-I'截取的横截面示意图；图13是沿着图11中的虚线II-II'截取的横截面示意图；图14是根据本专利技术另一个实施例的半导体封装的俯视示意图；图15是沿着图14中的虚线I-I'的截取的横截面示意图；图16是根据本专利技术另一个实施例的半导体封装的俯视示意图；图17是沿着图16中的虚线I-I'的截取的横截面示意图；图18是根据本专利技术又一个实施例的半导体封装的俯视示意图，其中加强筋沿着水平方向延伸；图19是根据本专利技术又一实施例的半导体封装的俯视示意图，其中加强筋与周围的加强环形成八边形结构；图20是根据本专利技术另一实施例的半导体封装的俯视示意图，其中加强筋沿水平方向延伸。图21是根据本专利技术又一实施例的半导体封装的俯视示意图；图22是沿着图21中的虚线I-I'截取的横截面示意图。具体实施方式在说明书和随后的权利要求书中始终使用特定术语来指代特定组件。正如本领域技术人员所认识到的，制造商可以用不同的名称指代组件。本文件无意于区分那些名称不同但功能相同的组件。在以下的说明书和权利要求中，术语“包含”和“包括”被用于开放式类型，因此应当被解释为意味着“包含，但不限于...”。此外，术语“耦合”旨在表示间接或直接的电连接。因此，如果一个设备耦合到另一设备，则该连接可以是直接电连接，或者经由其它设备和连接的间接电连接。以下描述是实施本专利技术的最佳设想方式。这一描述是为了说明本专利技术的一般原理而不是用来限制的本专利技术。本专利技术的范围通过所附权利要求书来确定。下面将参考特定实施例并且参考某些附图来描述本专利技术，但是本专利技术不限于此，并且仅由权利要求限制。所描述的附图仅是示意性的而并非限制性的。在附图中，为了说明的目的，一些元件的尺寸可能被夸大，而不是按比例绘制。在本专利技术的实践中，尺寸和相对尺寸不对应于实际尺寸。请参阅图1至图3。图1是根据本专利技术一个实施例的半导体封装的俯视示意图。图2是沿着图1中的虚线I-I'截取的横截面示意图。图3是沿着图1中的虚线II-II'截取的横截面示意图。如图1至图3所示，提供一种半导体封装1a。半导体封装1a可以是2.5D半导体封装。半导体封装1a包括具有上表面10a和底表面10b的封装基板10。中间体(interposer)20安装在封装基板10的上表面10a上。根据一个实施例，中间体20可以包括硅中间体或RDL(RedistributionLayer，重分布层)中间体，但是不限于这两种方式。在底表面10b上，可以提供多个连接元件102。例如，多个连接元件102可以是焊球(solderball)。通过多个连接元件102，半导体封装件1a可以安装到印刷电路板(printedcircuitboard)或系统板(systemboard)，但是不限于这两种方式。第一半导体晶粒(die)31和第二半导体晶粒32以并排(side-by-side)的方式安装在中间体20的上表面20a上。第一半导体晶粒31和第二半导体晶粒32可以是倒装芯片(flipchip)，第一半导体晶粒31和第二半导体晶粒32的有源表面(activesurface)31a和32a朝向下方的中间体20。第一半导体晶粒31和第二半导体晶粒32可以分别通过在有源表面31a上的凸块310和在有源表面32a上的凸块320连接到中间体20。中间体20提供第一半导体晶粒31和第二半导体晶粒32与封装基板10之间的电连接，并且可能提供第一半导体晶粒31与第二半导体晶粒32之间的电连接。根据一个实施例，第一半导体晶粒31可以包括专用集成芯片(ASIC，application-specificin本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述加强环包括横跨所述中间体的加强筋。

【技术特征摘要】
2017.03.08 US 62/468,431;2018.01.08 US 15/863,9841.一种半导体封装，其特征在于，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述加强环包括横跨所述中间体的加强筋。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括：散热器，直接接合在所述第一半导体晶粒的背面表面和所述第二半导体晶粒的背面表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述散热器通过热界面材料层直接接合到所述第一半导体晶粒的背面表面和所述第二半导体晶粒的背面表面。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋通过下沉部分一体地连接到所述加强环。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋与所述中间体的上表面直接接触。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋延伸穿过所述第一半导体晶粒与所述第二半导体晶粒之间的空间。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋沿着所述中间体的侧边缘延伸。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋未与所述第一半导体晶粒或所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泰宇，许文松，郭圣良，潘麒文，陈仁川，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71