半导体封装制造技术

本发明专利技术公开一种半导体封装，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述加强环包括横跨所述中间体的加强筋。采用这种方式，使用加强环和加强筋对半导体晶粒进行加固，减少对半导体晶粒的覆盖和封闭，半导体晶粒产生的热量不会被其他阻挡物阻挡而影响半导体封装的散热，从而提高半导体封装的散热速度和散热能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装。
技术介绍
在集成电路(IC，integratedcircuit)的运行期间，IC芯片产生热量，从而加热了包含芯片的整个电子器件封装。由于IC芯片的性能随着温度升高而降低，并且由于高热应力(thermalstresse)降低了电子器件封装的结构完整性(structuralintegrity)，所以这种热量必须散出。通常，电子器件封装使用金属盖(lid)来散热。来自芯片的热量通过芯片/盖子接口传递到金属盖。然后通过对流将热量从金属盖传递到周围的空气，或者传递到安装在金属盖上的散热器。随着每个新一代微处理器的晶粒功耗、晶粒尺寸和热密度的增加，散热成为一个挑战。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装，以提高半导体封装的散热速度和散热能力。根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体封装，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述加强环包括横跨所述中间体的加强筋。

【技术特征摘要】
2017.03.08 US 62/468,431;2018.01.08 US 15/863,9841.一种半导体封装，其特征在于，包括：封装基板，具有上表面和底表面；中间体，安装在所述封装基板的上表面上；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，以并排的方式安装在所述中间体上；以及加强环，安装在所述封装基板的上表面，其中所述加强环围绕所述第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述加强环包括横跨所述中间体的加强筋。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括：散热器，直接接合在所述第一半导体晶粒的背面表面和所述第二半导体晶粒的背面表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述散热器通过热界面材料层直接接合到所述第一半导体晶粒的背面表面和所述第二半导体晶粒的背面表面。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋通过下沉部分一体地连接到所述加强环。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋与所述中间体的上表面直接接触。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋延伸穿过所述第一半导体晶粒与所述第二半导体晶粒之间的空间。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋沿着所述中间体的侧边缘延伸。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述加强筋未与所述第一半导体晶粒或所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泰宇，许文松，郭圣良，潘麒文，陈仁川，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71