芯片的封装结构及其封装方法技术

一种芯片的封装方法及其封装结构，其中封装方法包括：提供载板，所述载板表面具有贴装膜，所述贴装膜表面贴装有第一芯片，所述第一芯片包括相对的第一面和第二面，所述第二面与贴装膜的表面贴合；提供若干个第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一区；使第三面朝向第一面贴装第二芯片，所述第二芯片的第一区与部分第一芯片重叠，且所述第一面与第一区第三面之间具有凸点；贴装所述第二芯片之后，熔融所述凸点，使第二芯片与第一芯片电连接。所述方法形成的封装结构性能较好。

【技术实现步骤摘要】
芯片的封装结构及其封装方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路封装的密度不断增大、芯片的尺寸不断减小，I/O端子数不断增加，而在有效尺寸的芯片上要求的功能却越来越多，同时为了避免高密度下二维封装所带来的问题，可考虑在Z方向上进行3D封装。采用3D封装技术可增大封装密度、提高产品性能、降低功耗，减小噪声，实现电子设备的多功能化和小型化。然而，现有3D封装工艺形成的封装结构的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种芯片的封装结构及其封装方法，以提高封装结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种芯片的封装方法，包括：提供载板，所述载板表面具有贴装膜，所述贴装膜表面贴装有第一芯片，所述第一芯片包括相对的第一面和第二面，所述第二面与贴装膜的表面贴合；提供若干个第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一区；使第三面朝向第一面贴装第二芯片，所述第二芯片的第一区与部分第一芯片重叠，且所述第一面与第一区第三面之间具有凸点；贴装所述第二芯片之后，熔融所述凸点，使第二芯片与第一芯片电连接。可选的，所述凸点仅位于部分第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供载板，所述载板表面具有贴装膜，所述贴装膜表面贴装有第一芯片，所述第一芯片包括相对的第一面和第二面，所述第二面与贴装膜的表面贴合；提供若干个第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一区；使第三面朝向第一面贴装第二芯片，所述第二芯片的第一区与部分第一芯片重叠，且所述第一面与第一区第三面之间具有凸点；贴装所述第二芯片之后，熔融所述凸点，使第二芯片与第一芯片电连接。

【技术特征摘要】
1.一种芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供载板，所述载板表面具有贴装膜，所述贴装膜表面贴装有第一芯片，所述第一芯片包括相对的第一面和第二面，所述第二面与贴装膜的表面贴合；提供若干个第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一区；使第三面朝向第一面贴装第二芯片，所述第二芯片的第一区与部分第一芯片重叠，且所述第一面与第一区第三面之间具有凸点；贴装所述第二芯片之后，熔融所述凸点，使第二芯片与第一芯片电连接。2.如权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述凸点仅位于部分第一面；或者，所述凸点仅位于第三面；或者所述第一面和第三面均具有凸点，且贴装第二芯片之后，位于第一面的凸点与位于第一区第三面的凸点一一对应。3.如权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述凸点的材料包括：铜、锡、锡银合金、锡银铜合金或者锡铅合金。4.如权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述凸点的高度为：10微米～300微米。5.如权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，第一芯片的厚度为：20微米～900微米。6.如权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述第二芯片还包括第二区，所述第二区第三面还具有输出柱。7.如权利要求6所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述第二芯片还包括与第三面相对的第四面；贴装若干所述第二芯片之后，所述封装方法还包括：对第一芯片和第二芯片进行塑封处理，形成塑封膜；形成所述塑封膜之后，去除载板和贴装膜，暴露出第一芯片第二面；暴露出第一芯片第二面之后，对所述塑封膜进行减薄处理，直至暴露出第二芯片的第四面；暴露出第二芯片的第四面之后，在输出柱顶部形成焊球。8.如权利要求7所述的芯片的封装方法，其特征在于，当输出柱的高度大于或者等于第一芯片的厚度与凸点的高度之和时，所述贴装膜为弹性材料。9.如权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱原，陈传兴，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32