电子装置及其制造方法制造方法及图纸

电子装置及其制造方法。本发明专利技术涉及一种电子装置，其包含讯号分布结构，其具有顶侧和底侧；第一电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；第二电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；导电屏蔽构件，其耦合至讯号分布结构的顶侧且被直接地定位在第一电子组件和第二电子组件之间；囊封材料，其覆盖讯号分布结构的顶侧的至少一部分、第一电子组件和第二电子组件的横向侧的至少一部分及导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其在囊封材料的顶侧及导电屏蔽构件的顶侧上，其中电磁干扰屏蔽层电性地耦合至导电屏蔽构件的顶侧。本揭露的各种态样提供包含一个或多个导电屏蔽构件和EMI屏蔽层的一种半导体装置，以及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制造方法
本专利技术关于一种电子装置及其制造方法。
技术介绍
目前的半导体装置及制造半导体装置的方法是不足的，例如会导致制造过程太耗时及/或太昂贵、会导致半导体封装具有不可靠连接及/或互连结构具有次优的尺寸…等等。经由比较习知和传统方法与如在本申请的其余部分中参看图式阐述的本专利技术的一些态样，习知和传统方法的进一步限制和缺点将对本领域的技术人士变得显而易见。
技术实现思路
本揭露的各种态样提供一种半导体装置和制造半导体装置的方法。作为非限制性的范例，本揭露的各种态样提供包含一个或多个导电屏蔽构件和EMI屏蔽层的一种半导体装置以及其制造方法。本专利技术的一态样为一种制造电子装置的方法，所述方法包含：形成导电屏蔽构件于载体的顶侧上；附接第一电子组件到所述载体的所述顶侧；附接第二电子组件到所述载体的所述顶侧，其中所述导电屏蔽构件被直接横向地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；形成囊封材料，其覆盖所述载体的所述顶侧的至少一部分、所述第一电子组件的横向侧的至少一部分、所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；在所述囊封材料、所述第一电子组件、所述第二电子组件以及所述导电屏蔽构件的每一个的个别的底侧上形成讯号分布结构；以及形成电磁干扰(EMI)屏蔽层于所述囊封材料的顶侧上以及所述导电屏蔽构件的顶侧上，其中所述电磁干扰屏蔽层是电性耦合至所述导电屏蔽构件的所述顶侧。所述方法包含在前述形成所述讯号分布结构之前移除所述载体的至少一部分。所述方法中所述导电屏蔽构件是壁形的。所述方法包含形成至少多个额外的导电屏蔽构件于所述载体的所述顶侧上，其中所述导电屏蔽构件和所述额外的导电屏蔽构件被定位成一列，并且其中前述形成所述电磁干扰屏蔽层包含将所述电磁干扰屏蔽层直接地形成在所述导电屏蔽构件和所述多个额外的导电屏蔽构件的每一个的个别的顶侧上。所述方法中所述导电屏蔽构件是无焊料的。所述方法中所述导电屏蔽构件被连接至所述讯号分布结构而没有使用焊料，并且所述导电屏蔽构件被连接至所述电磁干扰屏蔽层而没有使用焊料。所述方法中前述形成所述囊封材料包含形成所述囊封材料以覆盖所述第一电子组件的顶侧、所述第二电子组件的顶侧以及所述导电屏蔽构件的顶侧。所述方法包含在前述形成所述电磁干扰屏蔽层之前，薄化所述囊封材料以暴露所述导电屏蔽构件的至少所述顶侧。在所述方法中，前述附接所述第一电子组件包含附接所述第一电子组件的第一组件终端至所述载体的所述顶侧；前述附接所述第二电子组件包含附接所述第二电子组件的第二组件终端至所述载体的所述顶侧；以及所述方法包含移除所述载体，其中在移除所述载体之后，所述第一组件终端、所述第二组件终端、所述第一导电屏蔽构件和所述囊封材料的每一个的个别的底表面是共平面。在所述方法中，所述囊封材料包含多个横向侧，所述横向侧中的每一个与所述讯号分布结构的个别的横向侧共平面；以及前述形成所述电磁干扰屏蔽层包含形成所述电磁干扰屏蔽层于所述囊封材料的横向侧上以及所述讯号分布结构的横向侧上。本专利技术的另一态样为一种制造电子装置的方法，所述方法包含：形成导电屏蔽构件，前述导电屏蔽构件包含底侧种子层以及形成于所述种子层上的至少一个导电层；安装第一组件，其包含第一底侧组件终端；安装第二组件，其包含第二底侧组件终端，其中所述导电屏蔽构件被直接横向地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；形成囊封材料，其覆盖所述第一电子组件的横向侧的至少一部分、所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；形成讯号分布结构于所述囊封材料、所述第一电子组件、所述第二电子组件以及所述导电屏蔽构件的每一个的个别的底侧上；以及形成电磁干扰(EMI)屏蔽层于所述囊封材料的顶侧上以及所述导电屏蔽构件的顶侧上，其中所述电磁干扰屏蔽层电性地耦合至所述导电屏蔽构件的所述顶侧。在所述方法中，前述形成所述导电屏蔽构件包含形成所述导电屏蔽构件于载体的顶侧上；前述安装所述第一组件包含附接所述第一底侧组件终端至所述载体；前述安装所述第二组件包含附接所述第二底侧组件终端至所述载体；以及前述形成所述囊封材料包含形成所述囊封材料，其覆盖所述载体的所述顶侧的至少一部分。所述方法包含在前述形成所述讯号分布结构之前移除所述载体的至少一部份。在所述方法中，所述第一组件终端、所述第二组件终端、所述导电屏蔽构件以及所述囊封材料的每一个的个别的表面是共平面。在所述方法中，所述种子层被所述囊封材料横向地围绕。在所述方法中，所述导电屏蔽构件是无焊料的；所述导电屏蔽构件被连接至所述讯号分布结构而没有使用焊料；以及所述第一导电屏蔽构件被连接至所述电磁干扰屏蔽层而没有使用焊料。在所述方法中，前述形成所述囊封材料包含形成所述囊封材料以覆盖所述第一电子组件的顶侧、所述第二电子组件的顶侧以及所述导电屏蔽构件的顶侧；以及所述方法包含在前述形成所述电磁干扰屏蔽层之前薄化所述囊封材料以暴露所述导电屏蔽构件的至少所述顶侧。在所述方法中，所述囊封材料包含多个横向侧，所述横向侧的每一个与所述讯号分布结构的个别的横向侧共平面；以及前述形成所述电磁干扰屏蔽层包含以所述电磁干扰屏蔽层围绕所述囊封材料的所有横向侧和所述讯号分布结构的所有横向侧。本专利技术的另一态样为一种电子装置，其包含讯号分布结构，其具有顶侧和底侧；第一电子组件，其耦合至所述讯号分布结构的所述顶侧；第二电子组件，其耦合至所述讯号分布结构的所述顶侧；导电屏蔽构件，其耦合至所述讯号分布结构的所述顶侧并且被直接地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；囊封材料，其覆盖所述讯号分布结构的所述顶侧的至少一部分、所述第一电子组件和所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；以及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其在所述囊封材料的顶侧以及所述导电屏蔽构件的顶侧上，其中所述电磁干扰屏蔽层电性地耦合至所述导电屏蔽构件的所述顶侧。在所述电子装置中，在所述第一电子组件和所述讯号分布结构之间没有中间层，并且在所述第二电子组件和所述讯号分布结构之间没有中间层。在所述电子装置中，所述导电屏蔽构件包含种子层和形成在所述种子层上的导电层；并且所述第一电子组件、所述第二电子组件、所述种子层以及所述囊封材料的每一个的个别的表面是共平面。在所述电子装置中，所述导电屏蔽构件是无焊料的；所述导电屏蔽构件被直接地连接至所述讯号分布结构而没有使用焊料；并且所述导电屏蔽构件被直接地连接至所述电磁干扰屏蔽层而没有使用焊料。附图说明图1显示根据本专利技术的各种态样的制造半导体装置的范例性方法的流程图。图2A-2I显示横截面图，其说明根据本专利技术的各种态样的制造半导体装置的范例性方法的各种步骤和藉由其所制造的半导体装置。图3A显示根据本专利技术的各种态样的范例性半导体装置的平面图。图3B显示根据本专利技术的各种态样的范例性半导体装置的平面图。具体实施方式以下的讨论是藉由提供本揭露内容的各种态样的范例来呈现该些特点。此种范例并非限制性的，并且因此本揭露内容的各种态样之范畴不应该是受限于所提供的例子之任何特定的特征。在以下的讨论中，该措辞"例如"、"譬如"以及"范例的"并非限制性的，并且大致与"举例且非限制性的"、"例如且非限制性的"、及类似者为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造电子装置的方法，所述方法包含：形成导电屏蔽构件于载体的顶侧上；附接第一电子组件到所述载体的所述顶侧；附接第二电子组件到所述载体的所述顶侧，其中所述导电屏蔽构件被直接横向地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；形成囊封材料，其覆盖所述载体的所述顶侧的至少一部分、所述第一电子组件的横向侧的至少一部分、所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；在所述囊封材料、所述第一电子组件、所述第二电子组件以及所述导电屏蔽构件的每一个的个别的底侧上形成讯号分布结构；以及形成电磁干扰屏蔽层于所述囊封材料的顶侧上以及所述导电屏蔽构件的顶侧上，其中所述电磁干扰屏蔽层是电性耦合至所述导电屏蔽构件的所述顶侧。

【技术特征摘要】
2017.03.24 US 15/469,0081.一种制造电子装置的方法，所述方法包含：形成导电屏蔽构件于载体的顶侧上；附接第一电子组件到所述载体的所述顶侧；附接第二电子组件到所述载体的所述顶侧，其中所述导电屏蔽构件被直接横向地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；形成囊封材料，其覆盖所述载体的所述顶侧的至少一部分、所述第一电子组件的横向侧的至少一部分、所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；在所述囊封材料、所述第一电子组件、所述第二电子组件以及所述导电屏蔽构件的每一个的个别的底侧上形成讯号分布结构；以及形成电磁干扰屏蔽层于所述囊封材料的顶侧上以及所述导电屏蔽构件的顶侧上，其中所述电磁干扰屏蔽层是电性耦合至所述导电屏蔽构件的所述顶侧。2.如权利要求1的方法，其包含在前述形成所述讯号分布结构之前移除所述载体的至少一部分。3.如权利要求1的方法，其中所述导电屏蔽构件是壁形的。4.如权利要求1的方法，其包含形成至少多个额外的导电屏蔽构件于所述载体的所述顶侧上，其中所述导电屏蔽构件和所述额外的导电屏蔽构件被定位成一列，并且其中前述形成所述电磁干扰屏蔽层包含将所述电磁干扰屏蔽层直接地形成在所述导电屏蔽构件和所述多个额外的导电屏蔽构件的每一个的个别的顶侧上。5.如权利要求1的方法，其中所述导电屏蔽构件是无焊料的。6.如权利要求5的方法，其中所述导电屏蔽构件被连接至所述讯号分布结构而没有使用焊料，并且所述导电屏蔽构件被连接至所述电磁干扰屏蔽层而没有使用焊料。7.如权利要求1的方法，其中前述形成所述囊封材料包含形成所述囊封材料以覆盖所述第一电子组件的顶侧、所述第二电子组件的顶侧以及所述导电屏蔽构件的顶侧。8.如权利要求7的方法，其包含在前述形成所述电磁干扰屏蔽层之前，薄化所述囊封材料以暴露所述导电屏蔽构件的至少所述顶侧。9.如权利要求1的方法，其中：前述附接所述第一电子组件包含附接所述第一电子组件的第一组件终端至所述载体的所述顶侧；前述附接所述第二电子组件包含附接所述第二电子组件的第二组件终端至所述载体的所述顶侧；以及所述方法包含移除所述载体，其中在移除所述载体之后，所述第一组件终端、所述第二组件终端、所述第一导电屏蔽构件和所述囊封材料的每一个的个别的底表面是共平面。10.如权利要求1的方法，其中：所述囊封材料包含多个横向侧，所述横向侧中的每一个与所述讯号分布结构的个别的横向侧共平面；以及前述形成所述电磁干扰屏蔽层包含形成所述电磁干扰屏蔽层于所述囊封材料的横向侧上以及所述讯号分布结构的横向侧上。11.一种制造电子装置的方法，所述方法包含：形成导电屏蔽构件，前述导电屏蔽构件包含底侧种子层以及形成于所述种子层上的至少一个导电层；安装第一组件，其包含第一底侧组件终端；安装第二组件，其包含第二底侧组件终端，其中所述导电屏蔽构件被直接横向地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；形成囊封材料，其覆盖所述第一电子组件的横向侧的至少一部分、所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩意书，李泰勇，柳智妍，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US