闪存制备方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存制备方法，包括：提供一具有逻辑区和存储区的衬底，所述存储区上形成有多个闪存栅极结构，每个所述闪存栅极结构包括隧道氧化层；在所述衬底以及多个闪存栅极结构上形成第一层多晶硅；采用硅酸乙酯在所述第一层多晶硅表面形成氧化硅保护层；去除所述存储区上方的氧化硅保护层以暴露出所述存储区上方的第一层多晶硅；在所述存储区上方的第一层多晶硅上以及所述逻辑区上方的氧化硅保护层上形成第二层多晶硅；去除部分所述多晶硅使得剩余的多晶硅达到所需高度；对所述逻辑区上剩余的多晶硅进行离子注入。形成的氧化硅保护层能轻松刻蚀去除，并且还可以减少刻蚀的时间，从而减少隧道氧化层的损失，增加闪存的存储功能。

【技术实现步骤摘要】
闪存制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种闪存制备方法。
技术介绍
存储器用于存储大量数字信息，最近据调查显示，在世界范围内，存储器芯片大约占了半导体交易的30％，多年来，工艺技术的进步和市场需求催生越来越多高密度的各种类型存储器。其中，闪存存储器成为非易失性半导体存储技术的主流，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息，闪存存储器具有成本低、密度大的特点。嵌入式闪存(Embedded-Flash)技术将闪存存储器电路嵌入到标准的逻辑或混合电路工艺中，由于高效集成的优势，已被广泛应用到各种消费电子产品、工业应用、个人电脑和有线通讯设备。然而，现有的闪存器件的性能还有待提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存制备方法，以提高闪存的性能。为了达到上述目的，本专利技术提供了提供一种闪存制备方法，包括：一具有逻辑区和存储区的衬底，所述存储区上形成有多个闪存栅极结构，每个所述闪存栅极结构包括隧道氧化层；在所述衬底以及多个闪存栅极结构上形成第一层多晶硅，所述存储区上方的第一层多晶硅中具有沟壑；采用硅酸乙酯在所述第一层多晶硅表面形成氧化硅保护层以至少填充所述第一层多晶硅中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存制备方法，其特征在于，包括：提供一具有逻辑区和存储区的衬底，所述存储区上形成有多个闪存栅极结构，每个所述闪存栅极结构包括隧道氧化层；在所述衬底以及多个闪存栅极结构上形成第一层多晶硅，所述存储区上方的第一层多晶硅中具有沟壑；采用硅酸乙酯在所述第一层多晶硅表面形成氧化硅保护层以至少填充所述第一层多晶硅中的沟壑；去除所述存储区上方的氧化硅保护层以暴露出所述存储区上方的第一层多晶硅；在所述存储区上方的第一层多晶硅上以及所述逻辑区上方的氧化硅保护层上形成第二层多晶硅以填充所述第一层多晶硅中的沟壑；去除部分所述第一层多晶硅和部分所述第二层多晶硅使得剩余的多晶硅达到所需高度；以及对所述逻辑区上剩...

【技术特征摘要】
1.一种闪存制备方法，其特征在于，包括：提供一具有逻辑区和存储区的衬底，所述存储区上形成有多个闪存栅极结构，每个所述闪存栅极结构包括隧道氧化层；在所述衬底以及多个闪存栅极结构上形成第一层多晶硅，所述存储区上方的第一层多晶硅中具有沟壑；采用硅酸乙酯在所述第一层多晶硅表面形成氧化硅保护层以至少填充所述第一层多晶硅中的沟壑；去除所述存储区上方的氧化硅保护层以暴露出所述存储区上方的第一层多晶硅；在所述存储区上方的第一层多晶硅上以及所述逻辑区上方的氧化硅保护层上形成第二层多晶硅以填充所述第一层多晶硅中的沟壑；去除部分所述第一层多晶硅和部分所述第二层多晶硅使得剩余的多晶硅达到所需高度；以及对所述逻辑区上剩余的多晶硅进行离子注入。2.如权利要求1所述的闪存制备方法，其特征在于，所述衬底上还形成有一浮栅氧化层，所述第一层多晶硅和所述闪存栅极结构位于所述浮栅氧化层上。3.如权利要求1所述的闪存制备方法，其特征在于，所述闪存栅极结构还包括依次位于所述衬底上的浮栅、绝缘层、控制栅、闪存保护层以及位于所述浮栅、所述绝缘层、所述控制栅和所述闪存保护层的侧面的氮化硅保护层，所述隧道氧化层位于所述浮栅、所述绝缘层、所述控制栅和所述闪存保护层的侧面并且所述隧道氧化层位于所述氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超然，周俊，李赟，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42