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本发明提供了一种闪存制备方法，包括：提供一具有逻辑区和存储区的衬底，所述存储区上形成有多个闪存栅极结构，每个所述闪存栅极结构包括隧道氧化层；在所述衬底以及多个闪存栅极结构上形成第一层多晶硅；采用硅酸乙酯在所述第一层多晶硅表面形成氧化硅保护层...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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