【技术实现步骤摘要】
三维存储器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造，特别地涉及三维存储器件及其制造方法。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。与2D结构的NAND存储器类似，3D结构的NAND存储器总体上包括核心区域和外围区域，存储单元形成在核心区域中，支持存储单元的电路形成在外围区域中。3D结构的NAND存储器与2D结构的NAND存储器的不同之处在于，三维存储器采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现了存储单元的立体式堆叠，其在同等体积下提供更多的存储空间而成为业界的焦点。3D结构的NAND存储器大体上具有两种制造方法。一种方法是独立进行三维制造工艺，另一种方法是NAND存储器件与外围电路器件一同集成的工艺。独立进行三维器件制造的工艺，是指NAND存储器件不与外围电路一起集成制造，NAND存储器件与外围电路分别在不同的晶片上制造，而后将这两个晶片键合连...
【技术保护点】
1.一种用于制造三维存储器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上定义核心区域和外围区域；在所述衬底的外围区域形成外围电路；在所述衬底的核心区域和外围区域共形地形成第一材料层，覆盖所述外围电路和所述衬底表面；在所述第一材料层上共形地形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述第一材料层；在所述第二材料层上形成第三材料层，所述第三材料层覆盖所述第二材料层，且所述第三材料层的上表面为平坦表面；在所述第三材料层上形成堆叠结构，所述堆叠结构至少覆盖所述衬底的核心区域；在所述衬底的核心区域上形成所述三维存储器件的存储单元。
【技术特征摘要】
1.一种用于制造三维存储器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上定义核心区域和外围区域；在所述衬底的外围区域形成外围电路；在所述衬底的核心区域和外围区域共形地形成第一材料层，覆盖所述外围电路和所述衬底表面；在所述第一材料层上共形地形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述第一材料层；在所述第二材料层上形成第三材料层，所述第三材料层覆盖所述第二材料层，且所述第三材料层的上表面为平坦表面；在所述第三材料层上形成堆叠结构，所述堆叠结构至少覆盖所述衬底的核心区域；在所述衬底的核心区域上形成所述三维存储器件的存储单元。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一材料层之前，清洁所述衬底表面；所述清洁所述衬底表面的步骤包括：对所述衬底表面进行氧化处理在所述衬底表面形成牺牲氧化物层；去除所述牺牲氧化物层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层和所述第三材料层包含氧化物，所述第二材料层包含氮化物。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料层的厚度在200-400埃之间。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层对应于所述衬底的外围区域的部分用作所述外围电路的栅介质层，所述第一材料层对应于所述衬底的核心区域的部分用作所述三维存储器件的底部选择栅与所述衬底的隔离层。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料层对应于所述衬底的外围区域的部分用作绝缘层或蚀刻停止层，所述第二材料层对应于所述衬底的核心区域的部分用于形成所述三维存储器件的底部选择栅。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三材料层对应于所述衬底的外围区域的部分用作隔离层，所述第三材料层对应于所述衬底的核心区域的部分用作所述三维存储器件的位于相邻层的所述存储单元的层间电介质层。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第三材料层的步骤包括：在所述第二材料层上沉积用于构成所述第三材料层的第三材料，使所述第三材料相对于所述衬底底面的最小高度大于所述外围电路的栅极表面相对于所述衬底底面的高度；对所述第三材料的上表面进行化学机械研磨，形成具有平坦上表面的第三材料层。9.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张富山，肖亮，华文宇，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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