【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路
,尤其涉及一种NAND闪存的数据读取方法、装置及NAND闪存。
技术介绍
NANDFLASH(NAND闪存)是一种非易失闪存,可以在给定的芯片尺寸内提供较高的容量。NANDFLASH以页为基本单元进行存储,以块为基本单元进行擦除,具有很快的写入和擦除速度,是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。随着NANDFLASH市场的发展,人们对NANDFLASH存储器的容量和读写速度的要求也越来越高。为了满足人们的需求,一方面需要通过增大每页中的字节(Byte)数和页地址的宽度来增大NANDFLASH的页容量;另一方面需要扩展NANDFLASH的接口速度,将其从单倍数据速率(SingleDataRate,SDR)扩展到双倍数据速率(DoubleDataRate,DDR)甚至是DDR2、DDR3,从而增大数据的吞吐率。在存储器中,不可避免的存在位线短路、开路等缺陷,所以必须使用冗余列替换有缺陷的位线(如图1所示),因此,在读取数据的过程中,需要通过指向正确的冗余列地址来控制地址的跳转,从而完成冗余列替换信息的读取。随着NANDFLASH页容量的增大,其冗余列资源也越来越多。不论是NANDFLSH冗余列资源的增多,还是NANDFLASH接口数据吞吐率的变大,都对NANDFLASH的冗余列资源读取速度提出了新的要求,当NANDFLASH接收到一个新的数据读取指令时,通常只有几个纳秒的时间来找出数据 ...
【技术保护点】
一种NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,包括:从访问请求中确定目标访问列地址;将所述目标访问列地址与标记为等待状态的列地址寄存器中的坏列地址进行比较;如果目标访问列为坏列,则根据所述等待状态的列地址寄存器对应的冗余列地址进行数据访问,并按照冗余列替换顺序,确定当前等待状态的列地址寄存器的下一个列地址寄存器,且将状态标记为等待,同时取消所述当前等待状态的列地址寄存器的等待状态标记。
【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,包括:
从访问请求中确定目标访问列地址;
将所述目标访问列地址与标记为等待状态的列地址寄存器中的坏列地址进
行比较;
如果目标访问列为坏列,则根据所述等待状态的列地址寄存器对应的冗余
列地址进行数据访问,并按照冗余列替换顺序,确定当前等待状态的列地址寄
存器的下一个列地址寄存器,且将状态标记为等待,同时取消所述当前等待状
态的列地址寄存器的等待状态标记。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,冗余列替换顺序为:按照
坏列在正常存储介质中的地址顺序,在所述冗余存储介质中递增或递减分配冗
余列。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述目标访问列地址与
标记为等待状态的列地址寄存器中的坏列地址进行比较之前,还包括:
如果不存在标记为等待状态的列地址寄存器,则将所述目标访问列地址与
各列地址寄存器中的坏列地址进行比较;
如果目标访问列为坏列,则根据比较结果确定的列地址寄存器对应的冗余
列进行数据访问,并按照冗余列替换顺序,确定当前列地址寄存器的下一个列
地址寄存器,且将状态标记为等待;如果目标访问列为正常列,则根据目标访
问列地址进行数据访问,并按照冗余列替换顺序,确定目标访问列的下一个列
地址寄存器,且将状态标记为等待。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,将所述目标访问列地址与
各列地址寄存器中的坏列地址进行比较包括:
将所述目标访问列地址与各列地址寄存器中的坏列地址同时进行比较。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,从访问列请求中确定目标
访问列地址包括:
获取用户的访问请求并根据所述访问请求确定目标访问列地址;
将所述目标访问列地址存储在访问地址寄存器中;
从所述访问地址寄存器中调用所述目标访问列地址。
6.一种NAND闪存的数据获取装置,其特征在于,包括:
访问地址确定模块,用于从访问请求中确定目标访问列地址;
第一地址比较模块,用于将所述目标访问列地址与标记为等待状态的列地
址寄存器中的坏列地址进行比较;
第一数据访问模块,用于如果...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘会娟,胡洪,
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。