NOR和NAND闪存性能测评方法技术

本发明专利技术公开了一种NOR和NAND闪存性能测评方法，用于解决现有闪存性能测评方法综合运行能力差的技术问题。技术方案是首先测试闪存读写速度U

Performance evaluation methods for NOR and NAND flash memory

The invention discloses a performance evaluation method for NOR and NAND flash memory, which is used to solve the technical problems of poor comprehensive operation ability of existing flash memory performance evaluation methods. The technical solution is to first test the read and write speed of the flash memory U

【技术实现步骤摘要】
NOR和NAND闪存性能测评方法
本专利技术涉及一种闪存性能测评方法，特别是涉及一种NOR和NAND闪存性能测评方法。
技术介绍
文献“NOR型FLASH存储器测试技术，电子与封装，2016年3月，Vol16(3)，p15-19”公开了采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量进行Flash测试的方法，该方法采用硬件电路对闪存的硬件层进行测试，首先按照J750EX标准方法完成对闪存系统通道及引脚的设置，而后编写测试矢量通过微控制指令设置数据传送触发点向特定引脚发送数据，最后通过判定特定引脚的数据评测闪存硬件情况。此方法是针对Flash的硬件层进行的测试，无法全面地评价闪存的性能。对于闪存的诸如擦除、挂载时间长、能耗特性，该测试无法反映，且无能耗性能测评方面的研究。针对上述问题，本专利技术通过在对闪存文件系统指标、闪存硬件驱动层指标及闪存能耗指标进行建立及测试的基础上综合考虑，建立了综合的闪存性能测评体系。
技术实现思路
为了克服现有闪存性能测评方法综合运行能力差的不足，本专利技术提供一种NOR和NAND闪存性能测评方法。该方法首先测试闪存读写速度U1，再依次测试闪存挂载时间U2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NOR和NAND闪存性能测评方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、测试闪存读写速度U

【技术特征摘要】
1.一种NOR和NAND闪存性能测评方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、测试闪存读写速度U1，计算表达式如公式(1)所示，其中，Speed是指读/写速度，TotalSize是指实际传输文件大小，TotalTime是指实际测量时间；Speed＝TotalSize/TotalTime(1)步骤二、测试闪存挂载时间U2，采用多次循环挂载并卸载相应文件系统，求其平均值；挂载时间表达式如公式(2)所示，其中，End_time是在文件系统挂载结束点时间，Start_Time是文件系统挂载起始点时间，M_time为一次文件系统挂载时间；M_time＝End_Time-Start_Time(2)步骤三、测试闪存平均损耗U3，计算方法如公式(3)、公式(4)所示；磨损均衡差值ε用于定义闪存中擦除次数最多块与擦除次数最少块之间的擦除次数差值；ε值越小，代表闪存系统寿命更长；标准偏差S作为另一个评价平均损耗性能指标，其中n代表闪存的可擦除块数，Ei代表每块的擦除次数，E代表平均地擦除次数，Emax为E最大值Emin为E最小值；ε＝Emax-Emin(3)步骤四、测试闪存内存消耗U4，通过读取Linux内核下/proc/meminfo文件动态获取此时系统的内存使用情况；测试模块大小时，调用系统调用函数mount挂载文件系统后，对比前后内存空间消耗情况；步骤五、测试闪存硬件读/写速度U5，计算表达式如公式(5)所示，其中，Speed是指读/写速度，TotalSize是指实际传输文件大小，TotalTime是指实际测量时间；...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱怡安，李联，任佩琪，徐帅，罗殊彦，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61