提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存技术

本发明专利技术实施例公开了一种提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存。本发明专利技术实施例方法包括：确定对NAND闪存的访问操作；当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的ECC错误比特是否可纠正，若否，则记录所述读操作的对象页处于老化状态；当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页，若是，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。本发明专利技术实施例能够解决NAND反复写入/擦除导致数据存储不可靠的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存。
技术介绍
多层单元闪存(英文：Multi-Level Cell NAND，MLC NAND)的特点是容量大成本低，存储不稳定，出错的几率较大，需要进行错误修正才能使用。大容量的MLC NAND一般采用可以纠错的错误检查和纠正(英文：Error Correcting Code，缩写：ECC)编码来保证存储数据的完整性。然而，随着MLC NAND的存储单元进行写擦除操作的次数增多，MLC NAND的寿命会逐渐降低，导致MLC NAND中数据存储不可靠。固态存储设备(英文：Solid State Drive，缩写：SSD)中的NAND常用的一种解决方法如下。假定距离SSD的一些数据的上次写入已有一段时间，当SSD加电时，在SSD中启动后台任务来扫描NAND中所有数据。在该后台任务中，在驱动器的空闲时期内，驱动器的整个内容都被读取。当某个位置被读取时，如果在施加对错误的校正之前该位置的错误比特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，包括：确定对NAND闪存的访问操作；当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的错误检查和纠正编码(ECC)错误比特是否可纠正，若否，则记录所述读操作的对象页处于老化状态；当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页，若是，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。

【技术特征摘要】
1.一种提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，包括：
确定对NAND闪存的访问操作；
当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的错误检查和纠
正编码(ECC)错误比特是否可纠正，若否，则记录所述读操作的对象页处
于老化状态；
当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含
处于老化状态的页，若是，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。
2.根据权利要求1所述的提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，
所述方法还包括：
若所述读操作的对象页的ECC错误比特可纠正，则判断所述读操作的对
象页的ECC错误比特值是否大于等于预置数值，若是，则记录所述读操作的
对象页处于老化状态。
3.根据权利要求1所述的提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，
所述方法还包括：
若所述擦除操作的对象块不包含处于老化状态的页，则执行擦除操作；
若所述擦除操作不成功，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。
4.根据权利要求1所述的提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，
所述NAND闪存中每个存储单元大于或者等于2比特。
5.一种NAND闪存，其特征在于，包括：
确定模块，用于确定对NAND闪存的访问操作；
判断...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨艳伟，罗新法，
申请(专利权)人：上海华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31