半导体存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本申请涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：连接部件，包含半导体材料；第一电极膜，设置在所述连接部件的至少上方；第一绝缘膜，设置在所述第一电极膜上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由第二电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述第二电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间、及所述连接部件与所述第一电极膜之间；以及电荷储存层，设置在所述第三绝缘膜中的至少所述第二电极膜与所述半导体柱之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置及其制造方法分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2015年2月6日、申请号为201510064937.X、专利技术名称为“半导体存储装置及其制造方法”的专利技术专利申请案。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。
技术介绍
一直以来，半导体存储装置的高集成化不断发展，但通过提升光刻技术来提高集成度的方法正不断接近极限。因此，提出了如下积层型存储装置：使电极膜与绝缘膜交替积层而形成积层体，在该积层体中一次性形成贯通孔，在贯通孔的内表面上形成存储器膜之后，在贯通孔的内部形成硅柱。在积层型存储装置中，由于在硅柱与电极膜的每一个交叉部分形成以存储器膜为电荷储存部件的存储单元，因此存储单元呈三维排列。作为该种积层型存储装置的第一例，提出了如下I字柱形存储装置：在积层体之下设置源极线，在积层体之上设置位线，并且将硅柱的下端连接到源极线，将上端连接到位线。然而，当制造I字柱形存储装置时，为了在贯通孔的内表面上形成存储器膜之后将硅柱连接到源极线，而必须通过蚀刻等将存储器膜从贯通孔的底部去除，但此时，有对已形成在贯通孔的侧面上的存储器膜、也就是构成存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：连接部件，包含半导体材料；第一绝缘膜，设置在所述连接部件上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；以及第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间，且至少包含设置在所述电极膜与所述半导体柱之间的电荷储存层；在所述连接部件中形成着在所述积层方向延伸的贯通孔；在所述贯通孔之中形成着支持部。

【技术特征摘要】
2014.02.06 JP 2014-0217471.一种半导体存储装置，其特征在于包括：连接部件，包含半导体材料；第一绝缘膜，设置在所述连接部件上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；以及第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间，且至少包含设置在所述电极膜与所述半导体柱之间的电荷储存层；在所述连接部件中形成着在所述积层方向延伸的贯通孔；在所述贯通孔之中形成着支持部。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述贯通孔呈周期性排列。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述半导体柱咬入至所述支持部。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：相邻的所述支持部间的距离长于相邻的所述半导体柱间的距离。5.一种半导体存储装置，其特征在于包括：连接部件，包含半导体材料；第一绝缘膜，设置在所述连接部件上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；以及第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间，且至少包含设置在所述电极膜与所述半导体柱之间的电荷储存层；所述第三绝缘膜还设置在所述半导体柱的下表面。6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：利用所述第三绝缘膜使所述半导体柱与所述积层体绝缘。7.一种半导体存储装置，其特征在于包括：连接部件，包含半导体材料；第一绝缘膜，设置在所述连接部件上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间，且至少包含设置在所述电极膜与所述半导体柱之间的电荷储存层；布线部件，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜，与所述连接部件连接；以及第四绝缘膜，设置在所述布线部件与所述积层体之间；所述布线部件具有在所述积层方向上至少一处成为不连续形状的肩部。8.根据权利要求5或7所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述连接部件中形成着在所述积层方向延伸的贯通孔；所述贯通孔呈周期性排列。9.根据权利要求1或8所述的半导体存储装置，其特征在于：还包括设置在所述连接部件与所述第一绝缘膜间的第一电极膜；在所述贯通孔内配置着所述第一电极膜的一部分。10.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：福住嘉晃，荒井伸也，辻大毅，青地英明，田中启安，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP