晶体管结构及存储单元阵列制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶体管结构及存储单元阵列，晶体管结构包括：半导体衬底，具有有源区；沟槽结构，位于有源区内；介质层，位于沟槽结构的底部及侧壁；字线表面层，位于介质层的底部及局部侧壁，顶端低于半导体衬底的上表面；字线实体层，位于字线表面层表面，包括填充部及凸起部，凸起部的顶端高于字线表面层顶端且低于半导体衬底上表面，凸起部的外侧壁与介质层之间形成有侧沟；填孔绝缘层，填充于沟槽结构的上部，且底部覆盖字线实体层的顶端以及侧沟顶端以形成空气腔。通过上述方案，本实用新型专利技术通过沉积及湿法刻蚀工艺制备晶体管结构，形成具有绝缘侧沟的晶体管，改变了电容的中间介质层，从而降低了寄生电容，还可以减小晶体管的电阻。

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构及存储单元阵列
本技术属于集成电路制造
，特别是涉及一种晶体管结构及其制备方法。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，且存储单元会排列成阵列形式，每一个存储单元通过字线与位线彼此电性连接。随着电子产品日益朝向轻、薄、短、小发展，动态随机存取存储器组件的设计也必须符合高集成度、高密度的要求朝小型化发展的趋势发展，为提高动态随机存取存储器的积集度以加快组件的操作速度，以及符合消费者对于小型化电子装置的需求，近年来发展出埋入式栅极字线动态随机存取存储器，以满足上述种种需求。然而，上述结构中，存储器的晶体管结构中所存在的寄生电容仍然对器件结构造成很大的影响，另外，随着动态随机存储器的阵列不断减小，所述埋入式栅极字线的电阻逐渐增加，影响了器件的最终性能。因此，如何提供一种晶体管结构、存储单元及其构成的存储单元阵列以及上述结构的制备方法以解决上述问题实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有有源区；沟槽结构，位于所述半导体衬底的所述有源区内；介质层，位于所述沟槽结构的底部及侧壁；字线表面层，位于所述介质层的底部及局部侧壁，且所述字线表面层的顶端低于所述半导体衬底的上表面；字线实体层，位于所述字线表面层的表面，所述字线实体层包括结合于所述字线表面层内的填充部及位于所述填充部顶上的凸起部，所述凸起部的顶端高于所述字线表面层的顶端且低于所述半导体衬底的上表面，所述凸起部的外侧壁与所述介质层之间形成有侧沟；以及填孔绝缘层，填充于所述沟槽结构的上部，且所述填孔绝缘层的底部覆盖所述字线实体层的顶端以及所述侧沟的顶端以形成位于所述凸起部两侧...

【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有有源区；沟槽结构，位于所述半导体衬底的所述有源区内；介质层，位于所述沟槽结构的底部及侧壁；字线表面层，位于所述介质层的底部及局部侧壁，且所述字线表面层的顶端低于所述半导体衬底的上表面；字线实体层，位于所述字线表面层的表面，所述字线实体层包括结合于所述字线表面层内的填充部及位于所述填充部顶上的凸起部，所述凸起部的顶端高于所述字线表面层的顶端且低于所述半导体衬底的上表面，所述凸起部的外侧壁与所述介质层之间形成有侧沟；以及填孔绝缘层，填充于所述沟槽结构的上部，且所述填孔绝缘层的底部覆盖所述字线实体层的顶端以及所述侧沟的顶端以形成位于所述凸起部两侧的空气腔。2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述字线表面层的厚度介于0.8～5纳米，用以限定所述空气腔的宽度。3.根据权利要求2所述的晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34