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晶体管结构及存储单元阵列制造技术
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文档序号:18923786
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本实用新型提供一种晶体管结构及存储单元阵列,晶体管结构包括:半导体衬底,具有有源区;沟槽结构,位于有源区内;介质层,位于沟槽结构的底部及侧壁;字线表面层,位于介质层的底部及局部侧壁,顶端低于半导体衬底的上表面;字线实体层,位于字线表面层表面...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。
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