The invention provides a manufacturing method for fully isolated NLDMOS devices and LDMOS power devices, which includes lithography of the dielectric layer to remove the excess dielectric layer to form a field effect oxide layer, forming a P-well region and a N-well region, forming a N-drain drift region and a P-drain drift region, and forming a P below the N-drain drift region. The P-type isolation structure is formed under the P-type drain drift region. The doping concentration of the P-type isolation structure below the N-type drain drift region is higher than that of the P-type isolation structure below the P-type drain drift region. The gate structure is formed above the field effect oxide layer. The invention simplifies the manufacturing process of semiconductor devices with a surface field effect oxide layer structure.
【技术实现步骤摘要】
NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种全隔离型的NLDMOS器件的制造方法和全隔离型的LDMOS功率器件的制造方法。
技术介绍
横向扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，LDMOS)器件，导通电阻是其中一个重要的指标，其影响了LDMOS器件的性能。在LDMOS功率器件，为了提高LDMOS器件的性能，通常在LDMOS器件的NLDMOS器件区设置表面场氧化层代替嵌入式场氧化层，在PLDMOS器件区仍然采用嵌入式场氧化层，其中NLDMOS是指N型LDMOS，PLDMOS是指P型LDMOS。请参考图1，现有的NLDMOS器件包括形成在衬底(未图示)上的N型埋层NBL和P型埋层PBL，形成在NBL和PBL之上的外延层EPI，分别形成在EPI内的多个P型漏极漂移区Pdrift和多个N型漏极漂移区Ndrift，以及分别形成在Pdrift和Ndrift之内的P型阱区Pwell和Nwell，重掺杂的P型和N型离子注入区P+和N+，形成在EPI表面上的场效应氧化层G...
【技术保护点】
1.一种全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成N型埋层和P型埋层；在N型埋层和P型埋层之上形成外延层；对外延层进行光刻、蚀刻和化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构；在位于N型埋层之上的外延层的表面进行介质层沉积；采用同一掩模板对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，以及对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区和N型阱区；采用NGRD光罩通过N型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，采用PGRD光罩通过P型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；通过N型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在...
【技术特征摘要】
1.一种全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成N型埋层和P型埋层；在N型埋层和P型埋层之上形成外延层；对外延层进行光刻、蚀刻和化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构；在位于N型埋层之上的外延层的表面进行介质层沉积；采用同一掩模板对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，以及对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区和N型阱区；采用NGRD光罩通过N型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，采用PGRD光罩通过P型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；通过N型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在N型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构，通过P型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在P型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构，位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度大于位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度；在场效应氧化层之上形成栅极结构。2.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成P型阱区和N型阱区的步骤顺序包括：首先，对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区；其次，对外延层进行光刻和离子注入形成N型阱区；形成所述P型阱区和N型阱区的离子注入的离子源不同。3.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成P型阱区和N型阱区的步骤顺序包括：首先，对外延层进行光刻和离子注入形成N型阱区；其次，对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区；形成所述P型阱区和N型阱区的离子注入的离子源不同。4.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成N型漏极漂移区和形成P型漏极漂移区的步骤顺序包括：首先，采用NGRD光罩通过N型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区；其次，采用PGRD光罩通过P型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区。5.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMO...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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