The invention belongs to the field of semiconductor technology, and discloses a carbon nitride film field-effect transistor. The field effect transistor comprises a gate, a dielectric layer, a carbon nitride channel layer, and a source and a drain distributed on both sides of the carbon nitride channel layer, wherein the dielectric layer completely separates the gate from the carbon nitride channel layer, and the gate and the dielectric layer together constitute the substrate of the transistor. Carbon nitride channel layer is deposited on the dielectric layer by precursor sublimation in-situ polymerization, and then the source and drain poles are prepared to obtain carbon nitride field effect transistors. This kind of carbon nitride transistor is cheap, easy to obtain, low pollution, and can be produced on a large scale. It can be used in the field of organic optoelectronic devices.
【技术实现步骤摘要】
氮化碳薄膜场效应晶体管
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种氮化碳薄膜场效应晶体管。
技术介绍
现今，大多数集成电路都是基于硅的，然而，随着集成电路特征尺寸的逐渐减小，现有的硅材料和工艺已接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战。有机半导体材料与传统材料不同，具备一系列特有的物理和化学性质。其不受尺寸限制，制备流程相对简易，条件要求不高。同时，其可应用于生产大面积柔性设备而被人们广泛的研究，而其在有机发光、有机太阳能电池、有机存储设备等众多领域也具有潜在的应用前景。举例说明，在2001年，美国国际商用机器（IBM）公司率先用碳纳米管开发了有机晶体管，其晶体管的性能甚至比传统的硅材料更优秀（Science,2001,292,706-709）。而在2002年，美国康奈尔大学和哈佛大学的科学家成功将大小相当于单个有机分子的原子团簇置于两个电极之间，制造出大小仅为1nm左右的晶体管（Nature,2002,417,722-725）。虽然其展现出非常大的潜在优势，但到目前为止，其制备手段仍非常有限。氮化碳是有机半导体材料，其制备手段容易。传统的氮化碳材料的带隙约为2.7e...
【技术保护点】
1.氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底。
【技术特征摘要】
1.氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底。2.如权利要求1所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：所述氮化碳沟道层的制备方法为：将氮化碳的前驱体装入耐高温反应器中，将衬底置于反应器出口，介质层面朝出口；通过气相升华原位聚合法，在衬底上沉积氮化碳薄膜。3.如权利要求2所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：所述的氮化碳的前驱体包括三聚氰胺，三聚硫氰酸，尿素，硫脲，氨基硫脲，硫氰酸氨，草酰氨，甲基胍胺，二聚氰胺中的一种或几种。4.如权利要求2所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：在氮化碳的前驱体中可以引入具有给电子或...
【专利技术属性】
技术研发人员：王心晨，方元行，陈惠鹏，李晓春，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35
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