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本发明提供一种全隔离型的NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法，该方法包括对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，形成P型阱区和N型阱区，形成N型漏极漂移区和P型漏极漂移区，形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构，形成位...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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