一种深沟槽的功率半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种深沟槽的功率半导体器件，其中，包括：半导体基板被划分为有源区和终端保护区，有源区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，终端保护区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层，终端保护区内的第一导电类型外延层的上表面设有第二导电类型第一阱区，第二导电类型第一阱区内设有多个窄沟槽，在窄沟槽下端设有第二导电类型第二阱区。本实用新型专利技术提供的深沟槽的功率半导体器件能够降低有源区内最外围的沟槽底部的电场强度。

【技术实现步骤摘要】
一种深沟槽的功率半导体器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种深沟槽的功率半导体器件。
技术介绍
在功率半导体器件领域，深沟槽MOSFET能够明显提高沟道密度，降低特征导通电阻，因此，深沟槽MOSFET已经被广泛采用。目前深沟槽MOSFET的终端附近的耐压限制了器件的整体的耐压，尤其是当器件耐压达到200V及以上时，深沟槽MOSFET的击穿点往往出现在终端保护区附近。在器件耐压时，深沟槽MOSFET在有源区内最外围的沟槽底部的电场强度会明显高于有源区内其它沟槽底部的电场。因此，如何提供一种功率半导体器件以降低有源区内最外围的沟槽底部的电场强度成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种深沟槽的功率半导体器件，以解决现有技术中的问题。作为本技术的一个方面，提供一种深沟槽的功率半导体器件，其中，所述深沟槽的功率半导体器件包括：半导体基板被划分为有源区和终端保护区，所述有源区位于所述半导体基板的中心区，所述终端保护区位于所述有源区的外圈且环绕包围所述有源区，所述有源区包括与漏极相连的漏极金属，在所述漏极金属上设有第一导电类型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深沟槽的功率半导体器件，其特征在于，所述深沟槽的功率半导体器件包括：半导体基板被划分为有源区（01）和终端保护区（02），所述有源区（01）位于所述半导体基板的中心区，所述终端保护区（02）位于所述有源区（01）的外圈且环绕包围所述有源区（01），所述有源区（01）包括与漏极相连的漏极金属（1），在所述漏极金属（1）上设有第一导电类型硅衬底（2），第一导电类型硅衬底（2）上设有第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）的上表面设有第二导电类型体区（10），在所述第二导电类型体区（10）内设有沟槽（4），所述沟槽（4）位于所述第二导电类型体区（10）的表面，且伸入所述第二导电...

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽的功率半导体器件，其特征在于，所述深沟槽的功率半导体器件包括：半导体基板被划分为有源区（01）和终端保护区（02），所述有源区（01）位于所述半导体基板的中心区，所述终端保护区（02）位于所述有源区（01）的外圈且环绕包围所述有源区（01），所述有源区（01）包括与漏极相连的漏极金属（1），在所述漏极金属（1）上设有第一导电类型硅衬底（2），第一导电类型硅衬底（2）上设有第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）的上表面设有第二导电类型体区（10），在所述第二导电类型体区（10）内设有沟槽（4），所述沟槽（4）位于所述第二导电类型体区（10）的表面，且伸入所述第二导电类型体区（10）下方的第一导电类型外延层（3）内，所述沟槽（4）内的中心区填充有导电多晶硅（6）以及位于所述导电多晶硅（6）外圈的第一类绝缘介质体（5），所述终端保护区（02）包括与漏极相连的漏极金属（1），在所述漏极金属（1）上设有第一导电类型硅衬底（2），所述第一导电类型硅衬底（2）上设有第一导电类型外延层（3），所述终端保护区（02）内的第一导电类型外延层（3）的上表面设有第二导电类型第一阱区（15），所述第二导电类型第一阱区（15）内设有多个窄沟槽（17），在所述窄沟槽（17）下端设有第二导电类型第二阱区（14）。2.根据权利要求1所述的深沟槽的功率半导体器件，其特征在于，位于所述终端保护区（02）内的且靠近所述有源区（01）的所述窄沟槽（17）的下端的所述第二导电类型第二阱区（14）与位于所述有源区（01）内的且靠近所述终端保护区（02）的沟槽（4）的下端接触。3.根据权利要求2所述的深沟槽的功率半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型第二阱区（14）和所述第二导电类型第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，周锦程，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32