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本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种深沟槽的功率半导体器件，其中，包括：半导体基板被划分为有源区和终端保护区，有源区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，终端保护区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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