具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，它包括基岛和引脚，所述引脚包括平面部分和侧壁部分，所述侧壁部分位于平面部分外侧，所述平面部分与侧壁部分之间通过弧形部分过渡连接，所述弧形部分的凸面朝向外下侧，所述基岛正面设置有芯片，所述基岛、引脚以及芯片外围区域包封有第一塑封料，所述第一塑封料上设置有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层上设置有第二塑封料，所述引脚中有部分引脚的侧壁部分高于第一塑封料，并且电性连接于第一屏蔽层，其余引脚的侧壁部分低于第一屏蔽层。本实用新型专利技术在载板蚀刻形成的凹槽中电镀直接形成具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁的引脚，所以电磁屏蔽层可以直接电性连接引脚的侧壁来实现接地，而不用另外形成金属柱或导电通孔，从而降低了制造成本和时间。

Electromagnetic shielding packaging structure with pin side wall climbing function

The utility model relates to an electromagnetic shielding packaging structure with a pin side wall tin climbing function, which comprises a base island and a pin. The pin comprises a plane part and a side wall part, the side wall part is located outside the plane part, and the plane part and the side wall part are transitively connected by an arc part, and the arc part is arranged. The convex surface of the first plastic sealing material is arranged on the first plastic sealing material, and the second plastic sealing material is arranged on the first shielding layer, and the side wall part of some pins in the pin is higher than the first plastic sealing material. The side wall portion of the other pins is lower than the first shielding layer. In the groove formed by the etching of the carrier plate, the utility model directly forms a pin with an outer convex arc and a side wall which is connected with the plastic sealing material and has a certain height, so the electromagnetic shielding layer can directly electrically connect the side wall of the pin to realize the grounding without forming a metal column or conductive through hole in addition, thereby. The manufacturing cost and time are reduced.

【技术实现步骤摘要】
具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构
本技术涉及一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，属于半导体封装

技术介绍
随着电子元件的运算速度、传输信号频率越来越高，由于集成电路容易与其他内部或外部电子元件相互产生电磁干扰现象，例如串扰、传输损耗与信号反射等等，使得集成电路的运作效能受到削减。所以电子元件对于电磁干扰(electromagneticinterference,EMI)防护的要求也在不断的提升。如何保护半导体封装中的芯片不受电磁干扰显得相当重要。一种降低EMI的方法是将半导体封装屏蔽起来。例如在塑封料的背面设置一层电磁屏蔽层，并将电磁屏蔽层与外部形成接地来完成屏蔽。当来自于半导体封装体内部的电磁放射作用在金属层的内表面时，部份的电磁放射被电性短路，从而降低电磁放射的程度，避免电磁放射通过壳体而负面地影响邻近的半导体组件的运作。同样的，当来自于邻近的半导体组件的电磁放射作用在金属层的外表面时，电磁放射可被电性短路，从而减少对封装件内半导体装置的电磁干扰。然而上述的电磁屏蔽方式在使屏蔽层接地时却比较困难，其需在基板上另外形成金属柱（参见图1）、电子元件或通过TSV工艺在塑封料上形成通孔后在填充金属填料来形成导通柱，无论是哪种方法都需增加额外的制程，而增加了制造成本与时间。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其引脚具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁，所以电磁屏蔽层可以直接电性连接引脚的侧壁来实现接地，而不用另外形成金属柱或导电通孔，从而降低了制造成本和时间。本技术一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其引脚具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁，在焊接PCB时焊锡可以沿竖直侧壁爬升到较高的高度，并且由于其引脚侧壁是突出于塑封料的，所以可以进一步增加焊锡与引脚的结合面积，其爬锡状态直接从外观就能清晰地看出，另外在爬锡的同时引脚的外凸弧形结构可以使引脚处的空气沿外凸弧形排出，从而可以避免在焊锡中残留有气泡从而影响引脚与PCB的结合，可以提高产品的焊接性能与焊接的可靠性。本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，它包括基岛和引脚，所述引脚包括平面部分和侧壁部分，所述侧壁部分位于平面部分外侧，所述平面部分与侧壁部分之间通过弧形部分过渡连接，所述弧形部分的凸面朝向外下侧，所述基岛正面设置有芯片，所述基岛、引脚以及芯片外围区域包封有第一塑封料，所述第一塑封料上设置有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层上设置有第二塑封料，所述引脚中有部分引脚的侧壁部分高于第一塑封料，并且电性连接于第一屏蔽层，其余引脚的侧壁部分低于第一屏蔽层。一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，它包括基岛和引脚，所述引脚包括平面部分和侧壁部分，所述侧壁部分位于平面部分外侧，所述平面部分与侧壁部分之间通过弧形部分过渡连接，所述弧形部分的凸面朝向外下侧，所述基岛正面设置有芯片，所述基岛、引脚以及芯片外围区域包封有第一塑封料，所述第一塑封料上设置有第一屏蔽层，所述引脚中有部分引脚的侧壁部分高于第一塑封料，并且电性连接于第一屏蔽层，其余引脚的侧壁部分低于第一屏蔽层。所述基岛和引脚为电镀形成的金属线路层。一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，它包括引脚，所述引脚包括平面部分和侧壁部分，所述侧壁部分位于平面部分外侧，所述平面部分与侧壁部分之间通过弧形部分过渡连接，所述弧形部分的凸面朝向外下侧，所述引脚上通过金属球倒装有芯片，所述引脚以及芯片外围区域包封有第一塑封料，所述第一塑封料上设置有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层上设置有第二塑封料，所述引脚中有部分引脚的侧壁部分高于第一塑封料，并且电性连接于第一屏蔽层，其余引脚的侧壁部分低于第一屏蔽层。一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，它包括引脚，所述引脚包括平面部分和侧壁部分，所述侧壁部分位于平面部分外侧，所述平面部分与侧壁部分之间通过弧形部分过渡连接，所述弧形部分的凸面朝向外下侧，所述引脚上通过金属球倒装有芯片，所述引脚以及芯片外围区域包封有第一塑封料，所述第一塑封料上设置有第一屏蔽层，所述引脚中有部分引脚的侧壁部分高于第一塑封料，并且电性连接于第一屏蔽层，其余引脚的侧壁部分低于第一屏蔽层。所述引脚为电镀形成的金属线路层。与现有技术相比，本技术的优点在于：1、本技术的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其在载板蚀刻形成的凹槽中电镀直接形成具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁的引脚，所以电磁屏蔽层可以直接电性连接引脚的侧壁来实现接地，而不用另外形成金属柱或导电通孔，从而降低了制造成本和时间；2、本技术的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其在载板蚀刻形成的凹槽中电镀直接形成具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁的引脚，在焊接PCB时焊锡可以沿竖直侧壁爬升到较高的高度，从而增加焊锡与引脚的结合面积，其爬锡状态直接从外观就能清晰地看出，另外在爬锡的同时引脚的外凸弧形结构可以使引脚处的空气沿外凸弧形排出，从而可以避免在焊锡中残留有气泡从而影响引脚与PCB的结合，可以提高产品的焊接性能与焊接的可靠性；3、本技术的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其基岛和引脚为电镀形成的线路层，具有更小的封装体积；4、本技术的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其不用进行切割所以只需要去除载板就可以实现原本阵列式的塑封体单体化，所以其可以节省切割成本。附图说明图1为现有的电磁屏蔽封装结构示意图。图2为本技术一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构实施例1的立体示意图。图3为图2的K-K剖视图。图4为图2的L-L剖视图。图5~图27为本技术一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构制造工艺的流程示意图，其中图10为图9沿A-A的截面视图，图12为图11沿C-C的截面视图，图13为图11沿D-D的截面视图，图16为图15沿E-E的截面视图，图17为图15沿F-F的截面视图，图19为图18沿G-G的截面视图，图20为图18沿H-H的截面视图，图22为图21沿I-I的截面视图，图23为图21沿J-J的截面视图；图24、图26为图22去除金属载板后的示意图，图25、图27为图23去除金属载板后的示意图。图28为本专利技术一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构实施例2的立体示意图。图29为图28的M-M剖视图。图30为图28的N-N剖视图。图31为本专利技术一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构实施例3的立体示意图。图32为图31的O-O剖视图。图33为图31的P-P剖视图。图34为本专利技术一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构实施例4的立体示意图。图35为图34的Q-Q剖视图。图36为图34的R-R剖视图。其中：基岛1引脚2平面部分2.1弧形部分2.2侧壁部分2.3粘结物质或焊料3芯片4金属焊线5第一塑封料6第一屏蔽层7第二塑封料8金属球9。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。实施例1：单层屏蔽层内埋&芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其特征在于：它包括基岛（1）和引脚（2），所述引脚（2）包括平面部分（2.1）和侧壁部分（2.3），所述侧壁部分（2.3）位于平面部分（2.1）外侧，所述平面部分（2.1）与侧壁部分（2.3）之间通过弧形部分（2.2）过渡连接，所述弧形部分（2.2）的凸面朝向外下侧，所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述基岛（1）、引脚（2）以及芯片（4）外围区域包封有第一塑封料（6），所述第一塑封料（6）上设置有第一屏蔽层（7），所述第一屏蔽层（7）上设置有第二塑封料（8），所述引脚（2）中有部分引脚（2）的侧壁部分（2.3）高于第一塑封料（6），并且电性连接于第一屏蔽层（7），其余引脚（2）的侧壁部分（2.3）低于第一屏蔽层（7）。

【技术特征摘要】
1.一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其特征在于：它包括基岛（1）和引脚（2），所述引脚（2）包括平面部分（2.1）和侧壁部分（2.3），所述侧壁部分（2.3）位于平面部分（2.1）外侧，所述平面部分（2.1）与侧壁部分（2.3）之间通过弧形部分（2.2）过渡连接，所述弧形部分（2.2）的凸面朝向外下侧，所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述基岛（1）、引脚（2）以及芯片（4）外围区域包封有第一塑封料（6），所述第一塑封料（6）上设置有第一屏蔽层（7），所述第一屏蔽层（7）上设置有第二塑封料（8），所述引脚（2）中有部分引脚（2）的侧壁部分（2.3）高于第一塑封料（6），并且电性连接于第一屏蔽层（7），其余引脚（2）的侧壁部分（2.3）低于第一屏蔽层（7）。2.一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其特征在于：它包括基岛（1）和引脚（2），所述引脚（2）包括平面部分（2.1）和侧壁部分（2.3），所述侧壁部分（2.3）位于平面部分（2.1）外侧，所述平面部分（2.1）与侧壁部分（2.3）之间通过弧形部分（2.2）过渡连接，所述弧形部分（2.2）的凸面朝向外下侧，所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述基岛（1）、引脚（2）以及芯片（4）外围区域包封有第一塑封料（6），所述第一塑封料（6）上设置有第一屏蔽层（7），所述引脚（2）中有部分引脚（2）的侧壁部分（2.3）高于第一塑封料（6），并且电性连接于第一屏蔽层（7），其余引脚（2）的侧壁部分（2.3）低于第一屏蔽层（7）。3.根据权利要求1或2所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其特征在于：所述基岛（1）和引脚（2）为电镀形...

【专利技术属性】
技术研发人员：章春燕，刘恺，王亚琴，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32