附载体的铜箔、覆铜积层板、印刷电路板、电子机器、及印刷电路板的制造方法技术

本发明专利技术涉及附载体的铜箔、覆铜积层板、印刷电路板、电子机器、及印刷电路板的制造方法，提供了一种实现良好的视认性及加工精度的附载体的铜箔。本发明专利技术是一种附载体的铜箔，其依序具有载体、中间层、及极薄铜层，并且上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔL为‑40以下。

Copper foil, copper clad laminate, printed circuit board, electronic machine, and printed circuit board manufacturing method

The invention relates to the manufacturing methods of copper foil, copper clad laminate, printed circuit board, electronic machine and printed circuit board, and provides a copper foil for realizing good recognition and processing precision. The present invention is an attached copper foil with a carrier, an intermediate layer and an extremely thin copper layer in order, and the color difference of JISZ8730 based on the surface of the thin copper layer above is below 40.

【技术实现步骤摘要】
附载体的铜箔、覆铜积层板、印刷电路板、电子机器、及印刷电路板的制造方法本专利技术是中国专利申请号为201480011096.X，专利技术名称为“附载体的铜箔、覆铜积层板、印刷电路板、电子机器、及印刷电路板的制造方法”，申请日为2014年06月13日的进入中国的PCT专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种附载体的铜箔、覆铜积层板、印刷电路板、电子机器、及印刷电路板的制造方法。
技术介绍
就配线的容易性或轻量性方面而言，智慧型手机或平板PC等小型电子机器采用软性印刷电路板(以下记为FPC)。近年来，因这些电子机器的高功能化而要求FPC的多层化或者对印刷电路板要求导体图案的微细化(微间距化)。随着此种要求，以于配线上形成电路镀层为代表，于特定位置进行精度良好的加工变得更为重要。另一方面，应对微间距化，最近要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但此种极薄的铜箔的机械强度较低，于制造印刷电路板之时容易破裂或产生皱褶，因此出现了利用具有厚度的金属箔作为载体，于其上经由剥离层电镀极薄铜层而成的附载体的铜箔。于将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板而进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。通过于露出的极薄铜层上利用抗蚀剂形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process，改进半加成法)而形成微细电路。作为关于此种微细电路用途的附载体的铜箔的技术，例如可列举：WO2004/005588号(专利文献1)、日本特开2007-007937号公报(专利文献2)、日本专利特开2010-006071号公报(专利文献3)及日本专利特开2009-004423号公报(专利文献4)等。[专利文献1]WO2004/005588号[专利文献2]日本特开2007-007937号公报[专利文献3]日本特开2010-006071号公报[专利文献4]日本特开2009-004423号公报。
技术实现思路
[专利技术所欲解决的课题]于附载体的铜箔的开发中，迄今为止将重心置于确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度。因此，关于微间距化尚未进行充分的研究，关于由此产生的加工精度的提高的技术尚有改善的余地。因此，本专利技术的课题在于提供一种实现良好的加工精度的附载体的铜箔。本专利技术者等人反复进行努力研究，结果发现可提供一种通过控制附载体的铜箔的极薄铜层的特定色差、具体而言为极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔL，而实现良好的加工精度的附载体的铜箔。基于以上见解而完成的本专利技术于一方面中是一种附载体的铜箔，其依序具有载体、中间层、及极薄铜层，并且上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔL为-40以下。本专利技术于另一方面中是一种附载体的铜箔，其依序具有载体、中间层、及极薄铜层，并且上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔE＊ab为45以上。本专利技术的附载体的铜箔于一实施方案中，上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差Δa为20以下。本专利技术的附载体的铜箔于另一实施方案中，上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差Δb为20以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述中间层含有Ni，将上述附载体的铜箔于220℃加热2小时后，依据JISC6471将上述极薄铜层剥离时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5μg/dm2以上300μg/dm2以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，将上述附载体的铜箔于220℃加热2小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5μg/dm2以上250μg/dm2以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，将上述附载体的铜箔于220℃加热2小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5μg/dm2以上200μg/dm2以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，将上述附载体的铜箔于220℃加热2小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5μg/dm2以上150μg/dm2以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，将上述附载体的铜箔于220℃加热2小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5μg/dm2以上100μg/dm2以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述中间层的Ni含量为100μg/dm2以上5000μg/dm2以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，于上述中间层含有Cr的情形时，含有Cr5～100μg/dm2，于含有Mo的情形时，含有Mo50μg/dm2以上1000μg/dm2以下，于含有Zn的情形时，含有Zn1μg/dm2以上120μg/dm2以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述中间层含有厚度为25nm以上80nm以下的有机物。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述有机物是由选自含氮的有机化合物、含硫的有机化合物及羧酸中的1种或2种以上构成的有机物。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糙度计测得的上述极薄铜层表面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上1.5μm以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糙度计测得的上述极薄铜层表面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上1.0μm以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糙度计测得的上述极薄铜层表面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上0.6μm以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述表面粗糙度Rz的标准偏差为0.6μm以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述表面粗糙度Rz的标准偏差为0.4μm以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述表面粗糙度Rz的标准偏差为0.2μm以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述表面粗糙度Rz的标准偏差为0.1μm以下。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，于常温常压下将绝缘基板贴附于上述附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，及/或通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220℃×2小时的加热而将绝缘基板热压接于上述附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，及/或通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220℃×2小时的加热而将绝缘基板热压接于上述附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，于氮气氛围中、于常压下进行2次180℃×1小时的加热后，于经热压接的状态下，依据JISC6471剥离上述极薄铜层时的剥离强度为2～100N/m。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述剥离强度为2～50N/m。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述剥离强度为2～20N/m。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，于上述载体的两个面依序具有上述中间层及上述极薄铜层。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，上述载体是由电解铜箔或压延铜箔形成。本专利技术的附载体的铜箔于又一实施方案中，于上述极薄铜层及上述载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种附载体的铜箔，其依序具有载体、中间层、及极薄铜层，并且该极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔE＊ab为45以上。

【技术特征摘要】
2013.06.13 JP 2013-1243981.一种附载体的铜箔，其依序具有载体、中间层、及极薄铜层，并且该极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔE＊ab为45以上。2.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，该极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差Δa为20以下。3.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，该极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差Δb为20以下。4.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，该中间层含有Ni，将该附载体的铜箔于220℃加热2小时后，依据JISC6471将该极薄铜层剥离时，该极薄铜层的该中间层侧表面的Ni附着量为5μg/dm2以上300μg/dm2以下。5.根据权利要求2或3所述的附载体的铜箔，其中，该中间层含有Ni，将该附载体的铜箔于220℃加热2小时后，依据JISC6471将该极薄铜层剥离时，该极薄铜层的该中间层侧表面的Ni附着量为5μg/dm2以上300μg/dm2以下。6.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糙度计测得的该极薄铜层表面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上1.5μm以下。7.根据权利要求2至4中任一项所述的附载体的铜箔，其中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糙度计测得的该极薄铜层表面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上1.5μm以下。8.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糙度计测得的该极薄铜层表面的表面粗糙度Rz的标准偏差为0.6μm以下。9.根据权利要求2至4、6中任一项所述的附载体的铜箔，其中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糙度计测得的该极薄铜层表面的表面粗糙度Rz的标准偏差为0.6μm以下。10.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，于常温常压下将绝缘基板贴附于该附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，及/或通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220℃×2小时的加热而将绝缘基板热压接于该附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，及/或通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220℃×2小时的加热而将绝缘基板热压接于该附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，于氮气氛围中、于常压下进行2次180℃×1小时的加热后，于经热压接的状态下，依据JISC6471剥离该极薄铜层时的剥离强度为2～100N/m。11.根据权利要求2至4、6、8中任一项所述的附载体的铜箔，其中，于常温常压下将绝缘基板贴附于该附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，及/或通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220℃×2小时的加热而将绝缘基板热压接于该附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，及/或通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220℃×2小时的加热而将绝缘基板热压接于该附载体的铜箔的极薄铜层侧表面后，于氮气氛围中、于常压下进行2次180℃×1小时的加热后，于经热压接的状态下，依据JISC6471剥离该极薄铜层时的剥离强度为2～100N/m。12.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其于该载体的两个面依序具有该中间层及该极薄铜层。13.根据权利要求2至4、6、8、10中任一项所述的附载体的铜箔，其于该载体的两个面依序具有该中间层及该极薄铜层。14.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其于该极薄铜层及该载体...

【专利技术属性】
技术研发人员：永浦友太，石井雅史，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP