厚铜电路板的蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种厚铜电路板的蚀刻方法。所述厚铜电路板的蚀刻方法包括褪膜、第一次蚀刻、翻转、回传及第二次蚀刻等步骤。与相关技术相比，本发明专利技术的厚铜电路板的蚀刻方法能有效减小两面蚀刻的线宽差异且成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及电路板加工
，尤其设及一种。
技术介绍
覆盖于印刷电路板两面的铜层厚度通常为册ZQialfounce,半盎司，IOZ= 28. 35g)或IOZ(ounce,盎司），随着电子技术的高速发展，厚铜（铜层厚度为20ZW上）电 路板的需求急剧增大，厚铜电路板在大电流基板中发挥着重要的作用，具有W下优点： 1、可向基板外传递元器件所产生的热量，因此可实现大功率电器高密度互联目 的； 2、在汽车、电源、电力及电子等应用领域中W厚铜锥大电流基板替代传统的电缆 配线、金属板排条等输电形式，既提高了生产效率，又降低了布线的工时成本、电缆与配件 成本、维护管理成本等； 3、厚铜锥大电流基板可有效降低印刷电路板（PrintedCircuitBoard，PCB)的热 负荷，实现品质均一化，使得使用大电流PCB的终端整机产品的可靠性进一步提高； 4、金属铜比侣的导热率更高，因此W厚铜电路板充当散热底板的PCB相比侣基 PCB的导热效果更佳。W厚铜作为内忍层结构多层板已成为解决基板散热问题的一种常规 的产品形式，且已发展成特殊多层板的重要品种。目前PCB的内外层线路加工工艺中，均采用酸性、碱性蚀刻的工艺方法来制作内 外层线路，一次蚀刻即完成线路制作。采用此工艺制作内外层线路将导致电路板板面状况 存在差异：比如板面无孔、板面孔径的大小不一或板面的孔呈不同分布等，同时蚀刻药水在 板面上还存在不同程度的水池效应，因此上板面与下板面蚀刻情况不一致，出现线宽差异。 对于铜层为册Z、IOZ的基板，运种差异在可接受的范围内，但对于铜层厚度在20ZW上的厚 铜电路板，传统蚀刻工艺会造成上下两面的线宽差异大，超出线宽的公差要求，无法满足客 户的需要。 为了改善厚铜电路板蚀刻时上、下板面的线宽差异，行业内通常是通过调整蚀刻 缸上下的蚀刻喷压来完成，但运种方法实际上存在W下弊端： 1、蚀刻时上、下板面的线宽差异主要是由于上板面药水的水池效应造成，通过调 整蚀刻缸上下的蚀刻喷压不能完全消除运种效应，蚀刻后上下板面的线宽差异还是存在， 特别是对于厚铜电路板运种现象更明显； 2、蚀刻缸的压力频繁调整会影响到其它板的品质和制作效率，影响到整个蚀刻生 产线的产能和产出。 因此，有必要提供一种新的解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种有效降低蚀刻线宽差异的厚铜电路板的 蚀刻方法。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种厚铜电路板蚀刻方法，所述厚铜电路板的 蚀刻方法包括如下步骤： 稱膜：提供稱膜工位和待蚀刻的厚铜电路板，所述厚铜电路板包括顶层铜层和底 层铜层，所述厚铜电路板通过所述稱膜工位对所述顶层铜层和所述底层铜层进行稱膜； 第一次蚀刻：提供蚀刻工位，所述厚铜电路板通过所述蚀刻工位对稱膜后的所述 顶层铜层和所述底层铜层同时进行蚀刻，完成第一次蚀刻； 翻转：提供翻转装置，所述翻转装置将完成第一次蚀刻后的所述厚铜电路板进行 180°翻转； 回传：提供回传装置，所述回传装置将翻转后的所述厚铜电路板传送至所述蚀刻 工位的入口； 第二次蚀刻：所述蚀刻工位对翻转后的所述厚铜电路板的顶层铜层及底层铜层进 行第二次蚀刻，完成所述厚铜电路板的蚀刻。 优选的，所述第一次蚀刻和所述第二次蚀刻中蚀刻速度均为2. 1-2. 5m/min。 优选的，所述第一次蚀刻和所述第二次蚀刻中蚀刻溫度为40-45°C。 优选的，所述蚀刻工位包括若干用于喷淋蚀刻液的喷头，所述喷头与所述厚铜电 路板间隔设置，并分布于所述厚铜电路板的上方和下方。 优选的，所述喷头在蚀刻过程中持续摆动。 优选的，所述第一次蚀刻和所述第二次蚀刻中的喷淋压力为0. 75-0. 8化g/m3。 优选的，所述厚铜电路板的每面铜锥厚度为20Z W上。优选的，所述厚铜电路板在传送过程中采用聚四氣乙締材料作为传送支撑物。 与相关技术相比，本专利技术的所述中，将完成第一次蚀刻后 的所述厚铜电路板翻转180°进行第二次蚀刻即可有效减小蚀刻过程中两面的线宽差异， 具有成本低且操作方便的优点，使所述厚铜电路板两面的线宽差异改善程度大于60%;通 过控制蚀刻速度为2. 1-2. 5m/min，蚀刻中的喷淋压力为0. 75-0. 8化g/m3,提高蚀刻效率； 通过控制蚀刻溫度为40-45°C，降低蚀刻液中成分的挥发，防止蚀刻液组分比例失调；采用 聚四氣乙締材料作为所述厚铜电路板的传送支撑物，可W防止所述厚铜电路板被擦伤或划 伤。【附图说明】 图1为本专利技术的中的厚铜电路板蚀刻示意图； 图2为本专利技术的流程图。【具体实施方式】 下面将结合附图和实施方式对本专利技术作进一步说明。 请参阅图1，为本专利技术的中的厚铜电路板蚀刻示意图。所述 厚铜电路板1包括顶层铜层11、基板13及底层铜层15。所述顶层铜层11和所述底层铜层 15分别设于所述基板13的两侧面。 所述顶层铜层11及所述底层铜层15为厚铜锥，所述厚铜锥的厚度为20Z W上。 进行蚀刻加工的蚀刻生产线包括稱膜工位、蚀刻工位、稱锡工位、翻转装置（未图 示）W及回传装置（未图示）。所述厚铜电路板I沿蚀刻生产线水平传输，依次经过所述稱 膜工位及所述蚀刻工位完成蚀刻工艺。 在所述厚铜电路板1的传输过程中，采用聚四氣乙締材料作为所述厚铜电路板1 的传送支撑物。聚四氣乙締耐腐蚀性能好，可适应蚀刻工艺的工艺环境。与相关技术中采用 金属材料作为传送支撑物相比，聚四氣乙締材料不会碰伤或划伤铜锥，因此产品质量更佳。 所述翻转装置用于翻转所述厚铜电路板1。所述回传装置用于将所述厚铜电路板 1沿蚀刻生产线反向传送。 再请结合参阅图2,为本专利技术的流程图。所述厚铜电路板的 蚀刻方法包括如下步骤： 步骤SI,稱膜：提供所述稱膜工位和待蚀刻的所述厚铜电路板1，待蚀刻的所述厚 铜电路板1通过所述稱膜工位对所述顶层铜层11及所述底层铜层15进行稱膜； 具体的，所述稱膜工位提供稱膜液将覆盖于所述顶层铜层11表面和所述底层铜 层15表面的干膜稱除，露出未经线路加工的所述顶层铜层11及所述底层铜层15。 步骤S2,第一次蚀刻：提供所述蚀刻工位，所述厚铜电路板1通过所述蚀刻工位对 稱膜后的所述顶层铜层11和所述底层铜层15同时进行蚀刻，完成第一次蚀刻； 具体的，所述蚀刻工位设置若干用于喷淋蚀刻液的喷头2,所述喷头2与所述厚铜 电路板1间隔设置。所述喷头2包括位于所述蚀刻工位上方的上喷头21及位于所述蚀刻 工位下方的下喷头22,所述顶层铜层11靠近所述上喷头21，所述底层铜层15靠近所述下 喷头22,在所述厚铜电路板1的传输过程中，完成所述顶层铜层11和所述底层铜层15的同 时蚀刻，其中蚀刻速度为2. 1-2. 5m/min，蚀刻溫度为40-45°C，喷淋压力为0. 75-0. 8化g/m3。 当然，喷淋蚀刻液的喷淋装置并不仅限于所述喷头2,所有能均匀喷射蚀刻液的其 他装置均同理包含在本专利技术的保护范围之内。 为了提高蚀刻的均匀性，所述喷头2在蚀刻过程中持续摆动，W防止所述厚铜电 路板1的边缘未喷淋到蚀刻液，因此蚀刻质量更好。 所述喷当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种厚铜电路板的蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：褪膜：提供褪膜工位和待蚀刻的厚铜电路板，所述厚铜电路板包括顶层铜层和底层铜层，所述厚铜电路板通过所述褪膜工位对所述顶层铜层和所述底层铜层进行褪膜；第一次蚀刻：提供蚀刻工位，所述厚铜电路板通过所述蚀刻工位对褪膜后的所述顶层铜层和所述底层铜层同时进行蚀刻，完成第一次蚀刻；翻转：提供翻转装置，所述翻转装置将完成第一次蚀刻后的所述厚铜电路板进行180°翻转；回传：提供回传装置，所述回传装置将翻转后的所述厚铜电路板传送至所述蚀刻工位的入口；第二次蚀刻：所述蚀刻工位对翻转后的所述厚铜电路板的顶层铜层及底层铜层进行第二次蚀刻，完成所述厚铜电路板的蚀刻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱占植，蔡志浩，邵勇，陈家刚，
申请(专利权)人：深圳市五株科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44