具有垂直连接器的集成电路芯片制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有垂直连接器的集成电路芯片
本专利技术大体上涉及一种具有垂直连接器的集成电路(IC)芯片，且更具体来说，涉及一种具有由垂直导线形成的垂直连接器的IC芯片。
技术介绍
电子封装(或简称“封装”)可指内建到电子产品(例如集成电路(IC)芯片)中的外壳及保护性特征。电子封装适用于终端产品及组件两者。电子系统的封装必须考虑防止机械损坏、冷却、射频噪音发射、静电放电保护、维护、操作员便利性及成本。半导体封装可为含有一或多个半导体电子组件的金属、塑料、玻璃或陶瓷壳体。在封装中切割及组装之前，通常在硅晶片中蚀刻个别离散组件。封装防止碰撞及腐蚀且耗散装置中产生的热量。扁平无引线封装(例如四边扁平无引线(QFN)、双边扁平无引线(DFN))将IC芯片物理连接且电连接到衬底，例如印刷电路板(PCB)。扁平无引线，也称为微引线框(MLF)及SON(小型无引线)，是一种表面安装技术，是在无通孔的情况下将IC连接到PCB的表面的若干封装技术中的一者。扁平无引线是使用平面铜引线框衬底制成的近芯片级封装的塑料囊封封装。封装底部上的外围引线可提供与PCB的电连接。扁平无引线封装包含暴露热焊盘以...
【技术保护点】
一种集成电路IC芯片，其包括：裸片，其具有导电耦合到引线框的互连件，其中所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分；囊封材料，其模制在所述裸片及所述引线框上，所述囊封材料形成所述IC芯片的另一表面，其中所述IC芯片的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对；及垂直导线，其沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料，且所述垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的垂直连接器，其中所述垂直连接器耦合到所述裸片上的所述互连件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.31 US 14/985,9471.一种集成电路IC芯片，其包括：裸片，其具有导电耦合到引线框的互连件，其中所述引线框形成所述IC芯片的给定表面的部分；囊封材料，其模制在所述裸片及所述引线框上，所述囊封材料形成所述IC芯片的另一表面，其中所述IC芯片的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对；及垂直导线，其沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料，且所述垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的垂直连接器，其中所述垂直连接器耦合到所述裸片上的所述互连件。2.根据权利要求1所述的IC芯片，其中所述裸片的有源侧背对所述IC芯片的所述给定侧。3.根据权利要求2所述的IC芯片，其中所述IC芯片是扁平无引线IC芯片。4.根据权利要求2所述的IC芯片，其中所述垂直导线从所述引线框的引线延伸。5.根据权利要求4所述的IC芯片，其中导线结合将所述裸片的所述互连件耦合到所述引线框的所述引线。6.根据权利要求2所述的IC芯片，其中所述裸片热耦合到沿所述IC芯片的所述给定表面延伸的暴露裸片焊盘。7.根据权利要求1所述的IC芯片，其中所述垂直导线从所述裸片的所述互连件延伸。8.根据权利要求1所述的IC芯片，其中外部组件耦合到所述垂直连接器。9.根据权利要求8所述的IC芯片，其中所述垂直连接器耦合到横杆及后退部分以形成高功率连接器。10.根据权利要求9所述的IC芯片，其中所述高功率连接器呈U形。11.根据权利要求9所述的IC芯片，其中所述高功率连接器是由带结合形成。12.根据权利要求1所述的IC芯片，其中所述垂直导线是给定垂直导线，且所述垂直连接器是给定垂直连接器，所述IC芯片进一步包括：另一垂直导线，其沿基本上垂直于所述IC芯片的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料，且所述另一垂直导线突出穿过所述IC芯片的所述另一表面以形成用于所述IC芯片的另一垂直连接器，其中所述另一垂直连接器耦合到所述裸片上的所述互连件。13.根据权利要求12所述的IC芯片，其中在所述IC芯片外部的电路组件耦合到所述给定垂直导线及所述另一垂直导线。14.根据权利要求13所述的IC芯片，其中所述外部组件是无源电感器。15.根据权利要求1所述的IC芯片，其中所述裸片的有源侧面对所述IC芯片的所述给定侧。16.根据权利要求15所述的IC芯片，其中所述引线框的引线耦合到所述裸片的所述互连件且耦合到所述垂直...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·M·卡斯特罗，史蒂文·库默尔，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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