硬掩模用组合物制造技术

本发明专利技术提供一种硬掩模用组合物，该硬掩模用组合物包含芳香族化合物的聚合物、含有通式1所表示的化合物的交联剂、和溶剂。通式1中，R各自独立地为氢、或碳原子数1或2的烷基，n为2～10的整数。利用该交联剂能够形成耐热性和涂布性同时提高的硬掩模。通式1

【技术实现步骤摘要】
硬掩模用组合物
本专利技术涉及硬掩模用组合物。更详细而言，本专利技术涉及包含芳香族缩合物或化合物的硬掩模用组合物。
技术介绍
例如，在半导体制造、微电子等领域中，电路、配线、绝缘图案之类的结构物的集成度正在持续增大。因此，用于上述结构物的微细图案化的光刻工序也被一同开发。一般而言，在蚀刻对象膜上涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层，通过曝光及显影工序而形成光致抗蚀剂图案。接着，将上述光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，将上述蚀刻对象膜部分地去除，从而能够形成预定的图案。在进行对于上述蚀刻对象膜的图像转印后，上述光致抗蚀剂图案可以通过灰化(ashing)和/或剥离(strip)工序而被去除。为了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间形成防反射涂布(anti-refractivecoating；ARC)层。该情况下，会追加对于上述ARC层的蚀刻，因此上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的消耗量或蚀刻量会增加。此外，上述蚀刻对象膜的厚度增加或形成期望的图案时所需的蚀刻量增大的情况下，可能无法确保所要求的上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的充分的耐蚀刻性。因此，为了确保用于形成期望的图案的光致抗蚀剂的耐蚀刻性和蚀刻选择比，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间追加抗蚀剂下部膜。上述抗蚀剂下部膜具有对于高温工序的耐热性和耐化学性，例如，有必要通过旋涂工序以均匀的厚度形成。韩国公开专利第10-2010-0082844号公开了抗蚀剂下部膜形成组合物的一例。现有技术文献专利文献韩国公开专利第10-2010-0082844号
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的一课题在于提供可以形成具有优异的机械、化学特性的硬掩模的硬掩模用组合物。解决课题的方法1.一种硬掩模用组合物，包含芳香族化合物的聚合物、含有下述通式1所表示的化合物的交联剂、和溶剂，[通式1](通式1中，R各自独立地为氢、或碳原子数1或2的烷基，n为2～10的整数)。2.如1所述的硬掩模用组合物，上述通式1中，n为2～4的整数。3.如1所述的硬掩模用组合物，上述交联剂包含下述化学式1～化学式3所表示的化合物中的至少一种，[化学式1][化学式2][化学式3]4.如1所述的硬掩模用组合物，上述芳香族化合物的聚合物包含下述结构式1所表示的重复单元，[结构式1](结构式1中，A1为选自下述化学式A1-1～化学式A1-6中的至少一种，[化学式A1-1][化学式A1-2][化学式A1-3][化学式A1-4][化学式A1-5][化学式|A1-6]A1为非取代、或被碳原子数1～6的烷基、羟基、甲氧基或苯基进一步取代，结构式1的B和化学式A1-5的Ra各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、或碳原子数6～30的芳基(aryl)，B包含苯环的情况下，上述苯环为非取代、或者被碳原子数1～6的烷基、羟基、甲氧基或苯基进一步取代，n为1～200的整数)。5.如4所述的硬掩模用组合物，上述结构式1的A1来源于下述化学式p-1-1～化学式p-1-5、化学式p-2-1和化学式p-2-2所表示的化合物中的至少一种，[化学式p-1-1][化学式p-1-2][化学式p-1-3][化学式p-1-4][化学式p-1-5][化学式p-2-1][化学式p-2-2]6.如4所述的硬掩模用组合物，上述结构式1的B来源于下述化学式p-3所表示的化合物，[化学式p-3]7.如1所述的硬掩模用组合物，上述芳香族化合物的聚合物的重均分子量为1,000～5,000。8.如1所述的硬掩模用组合物，进一步包含催化剂和表面活性剂中的至少一种。专利技术效果使用根据本专利技术的实施例的硬掩模用组合物，能够形成耐热性和涂布均匀性同时提高的硬掩模。根据本专利技术的实施例的硬掩模用组合物包含具有高碳含量或碳比率的芳香族交联剂，因此能够确保硬掩模用组合物的期望的涂布性，并且更加提高硬掩模的蚀刻选择比和耐热性。此外，使用由上述硬掩模用组合物形成的硬掩模，能够实现高高分辨率的光刻工序，并且能够形成期望的微细线宽的目标图案。具体实施方式本专利技术的实施例提供包含芳香族化合物的聚合物、含有芳香族单元的交联剂和溶剂的硬掩模用组合物。上述硬掩模用组合物例如可以涂布在光致抗蚀剂层与蚀刻对象膜之间而形成用作抗蚀剂下部膜的硬掩模膜。通过光致抗蚀剂图案将上述硬掩模膜部分地去除从而可以形成硬掩模，可以将上述硬掩模作为追加的蚀刻掩模来使用。上述硬掩模膜或硬掩模例如可以用作旋涂硬掩模(Spin-OnHardmask：SOH)。以下，对本专利技术的实施例的硬掩模用组合物进行详细说明。芳香族化合物的聚合物本专利技术的实施例的硬掩模用组合物中，可以没有特别限制地使用本
中公知的碳系SOH组合物中所包含的高分子或树脂物质。根据例示的实施例，为了确保硬掩模膜的耐热性，可以使用至少一种芳香族化合物的聚合物(例如，缩聚物)作为上述硬掩模用组合物的基体物质。一部分实施例中，上述芳香族化合物的聚合物可以包含结构式1所表示的重复单元。[结构式1]结构式1中，A1可以为选自下述化学式A1-1～化学式A1-6中的至少一种。此外，包含彼此不同的A1的重复单元可以有序或无规地排列。[化学式A1-1][化学式A1-2][化学式A1-3][化学式A1-4][化学式A1-5](Ra可以包括氢原子、碳原子数1～6的烷基或碳原子数6～30的芳基(Aryl))[化学式A1-6]A1可以被碳原子数1～6的烷基、羟基、甲氧基或苯基进一步取代。此外，结构式1的B可以为氢原子、碳原子数1～6的烷基或碳原子数6～30的芳基(aryl)。此外，B包含苯环的情况下，上述苯环可以被碳原子数1～6的烷基、羟基、甲氧基或苯基进一步取代。n可以为1～200的整数。一部分实施例中，化学式A1-1～化学式A1-5各自可以来源于化学式p-1-1～化学式p-1-5所表示的化合物。[化学式p-1-1][化学式p-1-2][化学式p-1-3][化学式p-1-4][化学式p-1-5]此外，化学式A1-6例如可以来源于下述化学式p-2-1和/或化学式p-2-2所表示的化合物。[化学式p-2-1][化学式p-2-2]化学式p-2-1和化学式p-2-2的各苯环各自独立地可以被碳原子数1～6的烷基、甲氧基或苯基进一步取代。一部分实施例中，结构式1中，B可以来源于下述化学式p-3的化合物：[化学式p-3]如上所述，B为氢原子、碳原子数1～6的烷基或碳原子数6～30的芳基，B包含苯环的情况下，上述苯环可以被碳原子数1～6的烷基、羟基、甲氧基或苯基进一步取代。例如，上述化学式p-3的化合物可以由下述化学式p-3-1表示。[化学式p-3-1]一个实施例中，结构式1的重复单元或包含该重复单元的聚合物(共聚物)可以通过选自由化学式p-1-1～化学式p-1-5组成的组中的化合物与上述化学式p-3的化合物的缩合反应来制造。一个实施例中，结构式1的重复单元或包含该重复单元的聚合物(共聚物)可以通过选自由化学式p-2-1和化学式p-2-2组成的组中的化合物与上述化学式p-3的化合物的缩合反应来制造。一个实施例中，结构式1的重复单元或包含该重复单元的聚合物(共聚物)可以通过选自由化学式p-1-1～化学式p-1-5组成的组中的化合物、选自由化学式p-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硬掩模用组合物，其包含芳香族化合物的聚合物、含有下述通式1所表示的化合物的交联剂、和溶剂，通式1

【技术特征摘要】
2016.11.22 KR 10-2016-01558461.一种硬掩模用组合物，其包含芳香族化合物的聚合物、含有下述通式1所表示的化合物的交联剂、和溶剂，通式1通式1中，R各自独立地为氢、或者碳原子数1或2的烷基，n为2～10的整数。2.根据权利要求1所述的硬掩模用组合物，所述通式1中，n为2～4的整数。3.根据权利要求1所述的硬掩模用组合物，所述交联剂包含下述化学式1～化学式3所表示的化合物中的至少一种，化学式1化学式2化学式34.根据权利要求1所述的硬掩模用组合物，所述芳香族化合物的聚合物包含下述结构式1所表示的重复单元，结构式1结构式1中，A1为选自下述化学式A1-1～化学式A1-6中的至少一种，化学式A1-1化学式A1-2化学式A1-3化学式A1-4化学式A1-5化学式A1-6A1为非取代、或者被碳原子数1～6的烷基、羟基、甲氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁敦植，梁振锡，朴根永，崔汉永，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR