存储器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种存储器及其制作方法，包括在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构，在所有结构的表面上形成ONO介质层，在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层，进行所述逻辑区的阱区光刻、离子注入，进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出；生长出ONO介质层之后，在该ONO介质层上沉积隔离多晶硅层；可以有效的保护ONO介质层在存储器的制作过程中不受阱区光刻返工及GOX光刻返工的影响，使得ONO介质层的厚度稳定，进而了提高了存储器的性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制作方法
本专利技术涉及带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)
，尤其涉及一种存储器及其制作方法。
技术介绍
目前，embededEEPROM(embeddedElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，嵌入式的带电可擦可编程只读存储器)的结构包括存储区、高压区和逻辑区。其通常的制作方法是，待ONO(Oxide-SiN-Oxide，氧化硅-氮化硅-氧化硅)隔离介质层做好之后，在存储区、高压区覆盖光阻，对逻辑区进行阱区光刻、离子注入，以及栅氧(GOX)光刻、刻蚀等，以获取逻辑区的阱、栅等结构。在实际的批量生产中，由于仪器、产线的问题，可能会导致逻辑区的阱、栅结构的尺寸偏差。此时需要进行阱区光刻及GOX光刻的返工(rework)，即洗掉光阻，重复上述光刻过程。该返工的过程会导致存储区的ONO介质层被损耗，造成其厚度不稳定，缩短存储器的使用寿命甚至将其损坏。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种存储器及其制作方法，有效的保护ONO介质层在存储器制作过程中的结构稳定性，提高存储器的性能。一种存储器的制作方法，包括：在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构；在所有结构的表面上形成ONO介质层；在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层；进行所述逻辑区的阱区光刻、离子注入；进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出。在其中一个实施例中，所述在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的栅极结构的步骤还包括：定义出高压区，刻蚀形成高压区结构。在其中一个实施例中，所述在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层的步骤具体为：在所述ONO介质层上沉积掺杂隔离多晶硅层。在其中一个实施例中，所述掺杂隔离多晶硅层为磷掺杂隔离多晶硅层，掺杂浓度为1e20-5e20。在其中一个实施例中，所述进行逻辑区的光刻、刻蚀的步骤具体为：对所述逻辑区进行光刻和刻蚀，去除逻辑区的第一氧化层、ONO介质层和隔离多晶硅层，直至露出衬底。在其中一个实施例中，所述进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出的步骤之后，还包括：氧化，使所述存储区的隔离多晶硅层和所述逻辑区的衬底表面部分氧化；在所有结构的表面上形成第二多晶硅层；刻蚀，形成存储区的第二栅极结构和逻辑区的逻辑区结构，所述第二栅极结构位于所述第一栅极结构的上方。在其中一个实施例中，所述存储区的第一栅极结构包括呈水平方向分隔布置的选择栅和浮栅，所述第二栅极结构为控制栅，位于浮栅的上方。一种存储器，包括存储区和逻辑区，所述存储区包括第一栅极结构和第一栅极结构上方的第二栅极结构，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间形成有ONO介质层，所述ONO介质层上形成有隔离多晶硅层。在其中一个实施例中，所述隔离多晶硅层为掺杂隔离多晶硅层。在其中一个实施例中，所述掺杂隔离多晶硅层为磷掺杂隔离多晶硅层，掺杂浓度为1e20-5e20。在其中一个实施例中，所述隔离多晶硅层包括表面部分被氧化的部分多晶硅氧化层和位于所述部分多晶硅氧化层下面的部分多晶硅未氧化层。在其中一个实施例中，所述存储器还包括高压区，所述高压区包括用于控制所述存储区工作的高压区结构，所述逻辑区包括逻辑区结构。在其中一个实施例中，所述第一栅极结构由第一多晶层构成，所述第二栅极结构由第二多晶层构成，所述高压区结构由第一多晶层构成，所述逻辑区结构由第二多晶层构成。在其中一个实施例中，所述存储区的第一栅极结构包括呈水平方向分隔布置的选择栅和浮栅，所述第二栅极结构为控制栅，位于浮栅的上方。上述存储器及其制作方法，生长出ONO介质层之后，在该ONO介质层上沉积隔离多晶硅层；可以有效的保护ONO介质层在存储器的制作过程中不受阱区光刻返工及GOX光刻返工的影响，使得ONO介质层的厚度稳定，进而了提高了存储器的性能稳定性。附图说明图1为一实施例中存储器的制作方法的方法流程图；图2为另一实施例中存储器的制作方法的方法流程图；图3为一实施例中存储器的制作过程的工序示意图；图4为一实施例中存储器的制作过程的工序示意图；图5为一实施例中存储器的制作过程的工序示意图；图6为一实施例中存储器的制作过程的工序示意图；图7为一实施例中存储器的制作过程的工序示意图；图8为一实施例中存储器的制作过程的工序示意图；图9为一实施例中存储器的制作过程的工序示意图。具体实施方式实施例一参见图1，图1为一实施例中存储器的制作方法的方法流程图。在本实施例中，该存储器的制作方法包括如下步骤：S101，在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构。S102，在所有结构的表面上形成ONO介质层。在上述工艺的基础上，在存储器的所有结构，包括存储区和逻辑区表面上生长出ONO介质层。S103，在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层。S104，进行所述逻辑区的阱区光刻、离子注入。现有技术中，待ONO介质层做好之后，在ONO介质层上覆盖光阻，然后对逻辑区进行阱区光刻，以获取逻辑区的阱。但是在实际的生产过程中，由于仪器、产线的问题，可能会导致逻辑区的阱尺寸有偏差，此时需要洗掉光阻，重复上述阱区光刻过程，即需要返工(rework)。而清洗光阻则会对ONO介质层带来影响。本专利技术在ONO介质层上沉积了隔离多晶硅层之后，再进行逻辑区的阱区光刻，可以有效的避免清洗液直接接触到ONO介质层，保护其不受到阱区光刻返工带来的影响。S105，进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出。阱区形成之后需要对逻辑区进行光刻和刻蚀。在隔离多晶硅层上覆盖光阻，对逻辑区进行光刻和刻蚀，逻辑区的第一氧化层、第一氧化层上的ONO介质层和隔离多晶硅层被去除。若逻辑区光刻得到的区域尺寸有偏差，需要洗掉光阻，并重复上述光刻过程，即需要返工。现有技术中，光阻直接覆盖在ONO介质层上，逻辑区光刻多次返工带来的反复清洗过程，清洗液将多次直接接触到ONO介质层，清洗液中的成分会对ONO介质层造成腐蚀性的损耗，严重影响到其厚度稳定性。而本专利技术，在ONO介质层上沉积了隔离多晶硅层之后，再进行逻辑区的光刻，可以有效的避免清洗液直接接触到ONO介质层，保护其不受到逻辑区光刻返工带来的影响。保障ONO介质层的厚度稳定性，进而保障该存储器的性能稳定性。上述存储器的制作方法，生长出ONO介质层之后，在该ONO介质层上沉积隔离多晶硅层；可以有效的保护ONO介质层在存储器的制作过程中不受阱区光刻返工及逻辑区光刻返工的影响，使得ONO介质层的厚度稳定，进而了提高了存储器的性能稳定性。实施例二参见图2，图2为另一实施例中存储器的制作方法的方法流程图。在本实施例中，该存储器的制作方法包括如下步骤：S201，在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区、逻辑区和高压区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构和高压区结构。参见图3，在衬底10上生长出第一氧化层11，在该第一氧化层11上沉积第一多晶硅层，该第一多晶硅层为掺杂的多晶硅层，定义出存储区、逻辑区和高压区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构和高压区结构23，该第一栅极结构包括水平方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构；在所有结构的表面上形成ONO介质层；在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层；进行所述逻辑区的阱区光刻、离子注入；进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出。

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构；在所有结构的表面上形成ONO介质层；在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层；进行所述逻辑区的阱区光刻、离子注入；进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出。2.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的栅极结构的步骤还包括：定义出高压区，刻蚀形成高压区结构。3.根据权利要求1或2所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层的步骤具体为：在所述ONO介质层上沉积掺杂隔离多晶硅层。4.根据权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述掺杂隔离多晶硅层为磷掺杂隔离多晶硅层，掺杂浓度为1e20-5e20。5.根据权利要求1或2所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述进行逻辑区的光刻、刻蚀的步骤具体为：对所述逻辑区进行光刻和刻蚀，去除逻辑区的第一氧化层、ONO介质层和隔离多晶硅层，直至露出衬底。6.根据权利要求1或2所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出的步骤之后，还包括：氧化，使所述存储区的隔离多晶硅层和所述逻辑区的衬底表面部分氧化；在所有结构的表面上形成第二多晶硅层；刻蚀，形成存储区的第二栅极结构和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32