用于制造纳米结构的方法技术

用于制造纳米结构的方法，包括以下步骤：在衬底上生长第一纳米线；在衬底上形成电介质层，电介质层围绕第一纳米线，其中，电介质层的厚度小于第一纳米线的长度；以及从电介质层移除第一纳米线，从而暴露电介质层中的孔。

A method for manufacturing nanostructures

A method used in the manufacture of nanostructures, including the following steps: the growth of the first nanowires on the substrate, the formation of the dielectric layer on the substrate, and the dielectric layer around the first nanowires, in which the thickness of the dielectric layer is less than the length of the first nanowire, and the first nanowire is removed from the dielectric layer, thus exposing the dielectric layer. A hole in the hole.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造纳米结构的方法
本公开涉及用于制造纳米结构的方法，具体地涉及用于制造纳米线激光结构的方法。
技术介绍
纳米结构，特别是纳米线，近来备受关注并且可在新型电子与计算装置的小型化和改进中发挥重要作用。例如，第III族至第V族的半导体纳米线由于其操作为单模光学波导、以共振的方式使光场再循环以及提供增益的能力而为创造新一代激光和芯片上相干光源提供巨大的潜力。然而，由于纳米结构(诸如，位于半导体衬底上的纳米线)的尺寸小且精确度高，其中，纳米结构的精确度需要满足通常非常精密的参数规格，所以纳米结构的制造具有挑战性。许多纳米结构应用需要在厚的电介质层中制造具有在100nm或明显更小的范围内的尺寸的孔。有时，需要在半导体衬底上制造这种具有仔细限定的尺寸且位于精确限定的位置处的孔的较大阵列。制造这种孔图案的难点主要由于在蚀刻过程期间选择在图案转移上具有高选择性的适当抗蚀层。不存在那么多适当的抵抗很深孔的蚀刻的抗蚀层，并且抗蚀剂时常会比其下方期望的电介质层更容易被蚀刻。需要允许在厚的电介质层中容易、快速且以高精度制造超薄孔的制造技术。
技术实现思路
该目标通过根据独立权利要求1的用于制造纳米结构的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造纳米结构的方法，包括：在衬底(18)上生长第一纳米线(24)；在所述衬底(18)上形成电介质层(14)，所述电介质层(14)围绕所述第一纳米线(24)，其中，所述电介质层(14)的厚度(t)小于所述第一纳米线(24)的长度；以及从所述电介质层(14)移除所述第一纳米线(24)，从而暴露所述电介质层(14)中的孔(10；121‑124)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.15 EP 15185295.11.用于制造纳米结构的方法，包括：在衬底(18)上生长第一纳米线(24)；在所述衬底(18)上形成电介质层(14)，所述电介质层(14)围绕所述第一纳米线(24)，其中，所述电介质层(14)的厚度(t)小于所述第一纳米线(24)的长度；以及从所述电介质层(14)移除所述第一纳米线(24)，从而暴露所述电介质层(14)中的孔(10；121-124)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一纳米线(24)从位于所述衬底(18)上的种晶生长。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，生长所述第一纳米线(24)包括：在所述衬底(18)上形成掩膜层(16)；在所述掩膜层(16)中形成开口(22)，其中，所述开口(22)延伸至所述衬底(18)；以及在所述开口(22)中的所述衬底(18)上生长所述第一纳米线(24)。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述掩膜层(16)形成为不大于80nm的厚度，优选地不大于50nm，且具体地不大于30nm。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电介质层(14)以至少100nm的厚度(t)形成在所述衬底(18)上，优选地至少150nm，且具体地至少200nm。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述纳米结构适于发射波长为λ的激光信号，其中，所述电介质层(14)的厚度(t)是λ/(2·n)的整数倍，其中，n表示所述电介质层(14)的折射率。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一纳米线(24)通过热分解和/或选择蚀刻来移除，所述选择蚀刻具体为湿化学蚀刻和/或干化学蚀刻。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括以下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：格雷戈尔·科比穆勒，贝内迪克特·梅耶尔，乔纳森·芬利，格哈德·埃博斯特瑞特，
申请(专利权)人：慕尼黑科技大学，
类型：发明
国别省市：德国,DE