SiC复合基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明专利技术，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。

SiC composite substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC复合基板及其制造方法
本专利技术涉及高温、高频、大电力下的电力控制中使用的肖特基势垒二极管、pn二极管、pin二极管、电场效应型晶体管、绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor、IGBT)等半导体元件的制造以及氮化镓、金刚石、纳米碳薄膜的生长中使用的、在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板及其制造方法，特别涉及没有起因于应力的形状变化、具有低缺陷密度的单晶SiC表面的大口径尺寸的复合基板及其制造方法。
技术介绍
目前为止，作为半导体用基板，单晶硅基板已被广泛地使用。但是，由于其物理上的限度，逐渐无法满足工作温度的高温化、耐压的提高以及高频化等的要求，开始使用单晶SiC基板、单晶GaN基板等价格高的新原材料基板。例如，通过使用采用了作为禁带宽度比硅(Si)宽的半导体材料的碳化硅(SiC)的半导体元件构成逆变器、AC/DC变换器等电力变换装置，从而实现了对于使用了硅的半导体元件而言未能实现的电力损失的减小。通过使用采用SiC的半导体元件，除了与以往相比，电力变换所附带的损失减小以外，也促进装置的轻质化、小型化、高可靠性。在这样的单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
SiC复合基板，是在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板，其特征在于，上述多晶SiC基板与单晶SiC层邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面，上述单晶SiC层具有平滑的表面，而且在与多晶SiC基板的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板中的多晶SiC的结晶的最密面以单晶SiC层的表面的法线方向为基准无规地取向。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.14 JP 2015-1806371.SiC复合基板，是在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板，其特征在于，上述多晶SiC基板与单晶SiC层邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面，上述单晶SiC层具有平滑的表面，而且在与多晶SiC基板的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板中的多晶SiC的结晶的最密面以单晶SiC层的表面的法线方向为基准无规地取向。2.根据权利要求1所述的SiC复合基板，其特征在于，上述单晶SiC层在与多晶SiC基板的界面侧具有的凹凸面的构成其凹凸的倾斜面以该单晶SiC层的表面的法线方向为基准在无规的方向上定向。3.根据权利要求1或2所述的SiC复合基板，其特征在于，上述多晶SiC基板为化学气相沉积膜。4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC复合基板，其特征在于，上述多晶SiC基板的多晶SiC为立方晶，其最密面为{111}面。5.SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在保持基板的主面设置了单晶SiC薄膜后，对于该单晶SiC薄膜，通过机械加工将其表面粗面化，进而将起因于该机械加工的缺陷除去，制成该面成为了与保持基板侧的表面相比具有凹凸、并且构成该凹凸的倾斜面以保持基板侧表面的法线方向为基准在无规的方向上定向的凹凸面的单晶SiC层，接下来，采用化学气相沉积法在该单晶SiC层的凹凸面沉积多晶SiC，形成该多晶SiC的结晶的最密面以单晶SiC层的保持基板侧表面的法线方向为基准无规地取向的多晶SiC基板，然后将上述保持基板以物理方式和/或化学方式除去。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田芳宏，秋山昌次，长泽弘幸，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，CUSIC股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP