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用于制造纳米结构的方法，包括以下步骤：在衬底上生长第一纳米线；在衬底上形成电介质层，电介质层围绕第一纳米线，其中，电介质层的厚度小于第一纳米线的长度；以及从电介质层移除第一纳米线，从而暴露电介质层中的孔。...
该专利属于慕尼黑科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过慕尼黑科技大学授权不得商用。

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