酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：提供经过湿法刻蚀的晶圆；向晶圆通入用于干法刻蚀的气体；使气体与晶圆中的残留水发生反应，以在晶圆表面聚积为稠密缺陷；统计稠密缺陷的量；基于稠密缺陷的量，判断残留水的量；以及以及基于残留水的量，判断酸槽制程干燥能力。通过该方法可以容易的测定出晶圆干燥之后的残留水的量。

Verification method and verification device for drying capacity of acid bath process

The invention discloses a method to verify the drying capacity of acid groove process, which is characterized by providing a wafer through a wet etching, entering a gas for dry etching to the crystal, and reacting the gas to the residual water in the wafer to accumulate as a dense defect on the wafer surface; to count the amount of dense defects; based on the density deficiency. The amount of residual water is determined, and the drying capacity of acid tank is judged based on the amount of residual water. By this method, the amount of residual water after wafer drying can be easily determined.

【技术实现步骤摘要】
酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置
本专利技术涉及一种干燥能力的验证方法及验证装置，特别涉及一种酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置。
技术介绍
在湿法刻蚀过程中，干燥是最后一步，也是必不可少的一步。随着技术节点的提高，刻蚀孔的深宽比越来越大，由于刻蚀孔深度提高，刻蚀孔底部的水难以被完全干燥，所以对湿法刻蚀的干燥能力也提出了挑战。现有技术中，没有比较好的方式去监测机台干燥的好坏。现有技术中的常规方法包括：直接检查水痕的方式，但是这种方法只能用于干燥很不好的情况。而且也只能看到晶圆表面问题，对于深的刻蚀孔或深孔里是否有水气，完全没有办法监测。即便使用TEM，也很难找到深孔中水气的印迹。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置，从而克服现有技术的缺点。为实现上述目的，本专利技术提供了一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：提供经过湿法刻蚀的晶圆；向晶圆通入用于干法刻蚀的气体；使气体与晶圆中的残留水本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：提供经过湿法刻蚀的晶圆；向所述晶圆通入用于干法刻蚀的气体；使所述气体与所述晶圆中的残留水发生反应，以在所述晶圆表面聚积为稠密缺陷；统计所述稠密缺陷的量；基于所述稠密缺陷的量，判断所述残留水的量；以及基于所述残留水的量，判断所述酸槽制程干燥能力。

【技术特征摘要】
1.一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：提供经过湿法刻蚀的晶圆；向所述晶圆通入用于干法刻蚀的气体；使所述气体与所述晶圆中的残留水发生反应，以在所述晶圆表面聚积为稠密缺陷；统计所述稠密缺陷的量；基于所述稠密缺陷的量，判断所述残留水的量；以及基于所述残留水的量，判断所述酸槽制程干燥能力。2.如权利要求1所述的验证方法，其特征在于：在基于所述稠密缺陷的量，判断所述残留水的量之前，所述验证方法还包括：建立所述稠密缺陷的量与所述残留水的量之间的关系。3.如权利要求1所述的验证方法，其特征在于：如果所述稠密缺陷的量较多，则判断所述残留水的量较多。4.如权利要求1所述的验证方法，其特征在于：如果所述稠密缺陷的量较少，则判断所述残留水的量较少。5.一种酸槽制程干燥能力的验证装置，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李君，蒋杨波，吴关平，吴稼祺，郑晓芬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42