基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法制造方法及图纸

公开的是一种基板处理装置和工艺流体处理装置。基板处理装置包括：工艺腔室，该工艺腔室利用包含臭氧的工艺流体处理基板；排放管道，连接至工艺腔室以排放用来处理基板的工艺流体；和工艺流体处理装置，该工艺流体处理装置与排放管道连接。工艺流体处理装置包括：具有内部空间的壳体，该内部空间具有容纳工艺流体的设定容积；和喷嘴，该喷嘴与排放管道和壳体的内部空间连接。

Substrate processing device, process fluid treatment device and ozone decomposition method

Disclosed is a substrate processing device and a process fluid treatment device. The substrate processing device includes a process chamber, which uses a process fluid processing substrate containing ozone, a discharge pipe, and a connection to a process chamber to discharge the process fluid for processing the substrate; and a process fluid treatment device, which is connected with a discharge pipe. A process fluid treatment device consists of a shell with internal space, which has a set volume to accommodate a process fluid, and a nozzle, which is connected to the internal space of the discharge pipe and the shell.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法
本文所描述的专利技术构思的实施例涉及一种基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法。
技术介绍
对基板进行各种工艺来制造半导体器件或者液晶显示器，该各种工艺例如为光刻、刻蚀、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洗等。在这些工艺中，刻蚀工艺用于从形成在基板上的薄膜中去除不需要的区域，并且该薄膜需要高刻蚀选择性和高刻蚀速率。在刻蚀或清洗工艺中，通常按顺序在基板上执行化学处理步骤、冲洗步骤以及干燥步骤。在化学处理步骤中，向基板供应化学品来刻蚀形成在基板上的薄膜或者去除基板上的外来物质，并在冲洗步骤中，向基板供应冲洗溶液，例如去离子(DI)水。此外，用于处理基板的流体可以包括臭氧。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了一种有效地处理基板的基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法。根据实施例的一方面，基板处理装置包括：工艺腔室，该工艺腔室利用包含臭氧的工艺流体处理基板；排放管道，该排放管道连接至工艺腔室以排放用于处理基板的工艺流体；以及工艺流体处理装置，该工艺流体处理装置与排放管道连接。工艺流体处理装置包括：具有内部空间的壳体，该内部空间具有容纳工艺流体的设定容积；以及喷射喷嘴，该喷射喷嘴连接排放管道和壳体的内部空间。喷射喷嘴可向下喷射工艺流体。喷射喷嘴可包括多个喷孔，工艺流体通过该多个喷孔喷射。喷射喷嘴可通过喷雾法喷射工艺流体。工艺流体处理装置还可包括挡板，该挡板位于壳体的内部，这样挡板的顶侧面向通过喷射喷嘴喷射的工艺流体。工艺流体处理装置还可包括气体供应管道，该气体供应管道将包含氧气的气体供应到壳体的内部空间。工艺流体处理装置还可包括循环管线，该循环管线具有连接到壳体的相对两端，并允许从壳体排放的工艺流体再次流入到壳体中。工艺流体处理装置还可包括气体供应管道，该气体供应管道将包含氧气的气体供应到壳体的内部空间。工艺流体处理装置还可包括挡板，该挡板位于壳体的内部，这样挡板的顶侧面向通过喷射喷嘴喷射的工艺流体，气体供应管道可包括上喷射部，该上喷射部朝向壳体的内部空间延伸，并将气体喷射到喷射喷嘴和挡板之间的空间中。气体供应管道可包括下喷射部，该下喷射部朝向壳体的内部空间延伸，并将气体喷射至壳体的内部空间所容纳的工艺流体中。工艺流体处理装置还可包括循环管线，该循环管线具有连接到壳体的相对两端，并允许从壳体排放的工艺流体再次流入到壳体中。循环管线可在其内具有湍流生成部，以允许流过循环管线的工艺流体变为湍流。湍流生成部可具有带一个或多个流动孔的板形。流动孔可形成为关于循环管线的轴向方向倾斜。湍流生成部可包括第一板和第二板，该第一板和第二板阻挡循环管线内的流动通道的一部分，并定位成关于循环管线的轴向方向具有不同的斜度。在所述循环管线上可设有泵。在所述循环管线上可设有加热器。在所述循环管线的一端可设有循环喷嘴，流过循环管线的工艺流体通过循环喷嘴再次流入到壳体中。循环喷嘴可向下喷射工艺流体。工艺流体处理装置还可包括挡板，该挡板位于壳体的内部，这样挡板的顶侧面向通过喷射喷嘴喷射的工艺流体。工艺流体处理装置还可包括气体供应管道，该气体供应管道将包括氧气的气体供应到壳体的内部空间。根据实施例的另一方面，工艺流体处理装置包括：壳体，该壳体具有内部空间，该内部空间具有容纳包含臭氧的工艺流体的设定容积；排放管道，该排放管道连接至壳体，以将工艺流体供应到壳体的内部空间；以及挡板，该挡板位于由排放管道引入的工艺流体的移动路径中。工艺流体处理装置还可包括喷射喷嘴，该喷射喷嘴位于排放管道的端部，以将工艺流体喷射至壳体的内部空间。根据实施例的另一方面，工艺流体处理装置包括：壳体，该壳体具有内部空间，该内部空间具容纳包含臭氧的工艺流体的设定容积；排放管道，该排放管道连接至壳体，以将工艺流体供应到壳体的内部空间；以及循环管线，该循环管线具有连接至壳体的相对两端，并允许从壳体排放的工艺流体再次流入到壳体内。循环管线可在其内具有湍流生成部以允许流过循环管线的工艺流体变为湍流。在所述循环管线上可设有泵。在所述循环管线上可设有加热器。喷射工艺流体的循环喷嘴可位于循环管线的一端，流过循环管线的工艺流体通过循环喷嘴再次流入到壳体中。根据实施例的另一方面，分解包含在工艺流体中的臭氧的方法包括：将包含臭氧并已用于处理基板的工艺流体回收至壳体的内部空间，在这种情况下，工艺流体通过喷雾法喷射到壳体的内部空间中。工艺流体可朝向设置在壳体的内部空间中的挡板喷射。该方法还可包括：通过循环管线对喷射到壳体内的工艺流体进行循环，并在循环过程中通过使用施加到工艺流体的力对臭氧进行分解。工艺流体可流过循环管线同时产生湍流。工艺流体可在流过循环管线时被加热。包含氧气的气体可被供应至壳体的内部空间中。气体可被供应至所述壳体的被工艺流体喷射到的部分中。气体可被供应至喷射后容纳在壳体中的工艺流体中。根据本专利技术构思的实施例，可以提供一种能够有效处理基板的基板处理装置、工艺流体处理装置和臭氧分解方法。附图说明通过以下参照下面附图的描述，以上和其他的目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有规定，各附图中相同的附图标记指代相同的部件，其中：图1为根据本专利技术构思实施例的基板处理装置的平面图；图2示出了用于将工艺流体供应到工艺腔室的构件与用于从工艺腔室回收工艺流体的构件之间的连接关系；图3示出了工艺流体处理装置；图4示出了喷射喷嘴；图5为循环管线的部分剖视图；图6为湍流生成部的纵向剖面图；图7为根据另一实施例的循环管线的部分剖视图；图8示出了根据另一实施例的工艺流体处理装置。具体实施方式下文中，将参照附图对本专利技术构思的实施例进行更详细地描述。然而，本专利技术构思可以以不同的形式实施，并且不应当被解释为局限于本文所阐述的实施例。而是，提供这些实施例，使得对于本领域技术人员而言，本公开将更加透彻和完整并且将更充分地表达本专利技术构思的范围。附图中，构件的尺寸被放大以更清楚的示出。图1为根据本专利技术构思实施例的基板处理装置的平面图。参见图1，基板处理装置1包括索引模块10和工艺模块20。索引模块10具有多个装载端口11和传输框架14。装载端口11、传输框架14和工艺模块20顺序地布置成一排。在下文中，装载端口11、传输框架14和工艺模块20排布的方向称为第一方向2。从上方看时，垂直于第一方向2的方向称为第二方向3，且垂直于包括第一方向2和第二方向3的平面的方向称为第三方向4。该多个装载端口11上分别放置有在内部容纳基板W的载体13。该多个装载端口11沿第二方向3排成一排。图1示出了4个装载端口11。但是，装载端口11的数量可根据条件增加或者减少，该条件例如为工艺模块20的效率和占地面积。每个载体13具有形成在其内以支撑基板W的边缘的多个狭槽(未示出)。该多个狭槽在第三方向4上布置，且基板W位于载体13中以便在第三方向4上彼此堆叠，且基板之间具有空间间隙。前开式晶圆盒(FOUP)可用作载体13。工艺模块20具有缓冲单元22、传输腔室25和工艺腔室26。传输腔室25设置为其长度方向平行于第一方向2。工艺腔室26沿第二方向3设置于传输腔室25的相对两侧。位于传输腔室25一侧的工艺腔室26与位于传输腔室25的相对侧的工艺腔室26关于传输腔室25对称设置。一些工艺腔室26沿传输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，配置为利用包含臭氧的工艺流体处理基板；排放管道，连接至所述工艺腔室以排放用于处理所述基板的工艺流体；和工艺流体处理装置，与所述排放管道连接，其中，所述工艺流体处理装置包括：壳体，所述壳体具有内部空间，所述内部空间具有容纳所述工艺流体的设定容积；和喷射喷嘴，配置为将所述排放管道与所述壳体的内部空间连接。

【技术特征摘要】
2016.10.26 KR 10-2016-01402611.一种基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，配置为利用包含臭氧的工艺流体处理基板；排放管道，连接至所述工艺腔室以排放用于处理所述基板的工艺流体；和工艺流体处理装置，与所述排放管道连接，其中，所述工艺流体处理装置包括：壳体，所述壳体具有内部空间，所述内部空间具有容纳所述工艺流体的设定容积；和喷射喷嘴，配置为将所述排放管道与所述壳体的内部空间连接。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷射喷嘴配置为向下喷射所述工艺流体。3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷射喷嘴包括多个喷孔，所述工艺流体通过所述多个喷孔喷射。4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷射喷嘴配置为通过喷雾法喷射所述工艺流体。5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺流体处理装置还包括：挡板，所述挡板位于所述壳体的内部，以使所述挡板的顶侧面向通过所述喷射喷嘴喷射的所述工艺流体。6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺流体处理装置还包括：气体供应管道，所述气体供应管道配置为将包含氧气的气体供应至所述壳体的内部空间。7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺流体处理装置还包括：循环管线，所述循环管线具有连接至所述壳体的相对两端，且所述循环管线配置为允许从所述壳体排放的工艺流体再次流入到所述壳体中。8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺流体处理装置还包括：气体供应管道，所述气体供应管道配置为将包含氧气的气体供应至所述壳体的内部空间。9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺流体处理装置还包括：挡板，所述挡板位于所述壳体的内部，这样所述挡板的顶侧面向通过所述喷射喷嘴喷射的所述工艺流体，以及其中所述气体供应管道包括上喷射部，所述上喷射部朝向所述壳体的内部空间延伸，并配置为将所述气体喷射至所述喷射喷嘴与所述挡板之间的空间内。10.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供应管道包括下喷射部，所述下喷射部朝向所述壳体的内部空间延伸，并配置为将所述气体喷射至所述壳体的内部空间所容纳的工艺流体中。11.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺流体处理装置还包括：循环管线，所述循环管线具有连接至所述壳体的相对两端，所述循环管线配置为允许从所述壳体排放的工艺流体再次流入至所述壳体中。12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述循环管线在其内具有湍流生成部，以允许流过所述循环管线的工艺流体变为湍流。13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述湍流生成部具有带一个或多个流动孔的板形。14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述流动孔形成为关于所述循环管线的轴向方向倾斜。15.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述湍流生成部包括第一板和第二板，所述第一板和所述第二板配置为阻挡所述循环管线内的流动通道的一部分，并定位成关于所述循环管线的轴向方向具有不同的斜度。16.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，在所述循环管线上设有泵。17.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹遵喜，赵乘桓，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR