硅片湿刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种能够对湿刻工艺过程中化学试剂实现自动添加的硅片湿刻装置。该硅片湿刻装置，包括储水箱、HF储存箱、HNO3储存箱以及沿硅片输送方向依次布置的去PSG槽、刻蚀槽、第一清洗槽、碱洗槽、酸中和槽、第二清洗槽、酸洗槽、第三清洗槽；所述储水箱分别与刻蚀槽、第一清洗槽以及第二清洗槽通过带流量计的电磁阀连通；所述HF储存箱分别与去PSG槽、刻蚀槽通过带流量计的电磁阀连通；所述HNO3储存箱分别与刻蚀槽、酸洗槽通过带流量计的电磁阀连通。采用该硅片湿刻装置能够实现对应工艺槽内相应液体化学试剂的自动添加，并且保证添加的计量，保证工艺槽内相应溶液的配比。

【技术实现步骤摘要】
硅片湿刻装置
本专利技术涉及太阳能电池片的湿刻领域，尤其是一种硅片湿刻装置。
技术介绍
众所周知的：太阳能光伏发电以其清洁、源源不断、安全等显著优势，已成为保障我国能源供应战略安全，大幅减少排放和保证可持续发展的重大战略举措。而利用太阳能发电，离不开太阳能电池片，从而离不开生产电池片的重要工序——湿刻。现有技术中，如中国专利技术专利申请，申请号201410699196.8公开了一种太阳能电池片的湿法蚀刻方法及装置，该装置包括依次放置的蚀刻槽、第一清洗槽、碱洗槽、第二清洗槽、酸洗槽及第三清洗槽；第一清洗槽的入口及出口处分别装设有第一水刀及第二水刀；该装置还包括第一储液槽及第二储液槽，分别通过连接管道与第三清洗槽及第二水刀相连，当第三清洗槽中的液体达到预设水位时，排放多余的液体至第二储液槽，第二储液槽为第二水刀供液；第一储液槽通过连接管道分别与第一清洗槽及蚀刻槽相连，第一清洗槽为第一水刀供液，当第一清洗槽中的液体达到预设水位时，排放多余的液体至第一储液槽，第一储液槽中的液体用于为蚀刻槽补水及配液。虽然上述一种太阳能电池片的湿法蚀刻方法及装置可以有效减少含氮废水的排放，降低生产成本。但是上本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅片湿刻装置，其特征在于：包括储水箱(300)、HF储存箱(200)、HNO3储存箱(400)以及沿硅片输送方向依次布置的去PSG槽(100)、刻蚀槽(101)、第一清洗槽(102)、碱洗槽(103)、酸中和槽(104)、第二清洗槽(105)、酸洗槽(106)、第三清洗槽(107)；所述储水箱(300)分别与刻蚀槽(101)、第一清洗槽(102)以及第二清洗槽(105)通过带流量计的电磁阀(500)连通；所述HF储存箱(200)分别与去PSG槽(100)、刻蚀槽(101)通过带流量计的电磁阀(500)连通；所述HNO3储存箱(400)分别与刻蚀槽(101)、酸洗槽(106)通过带流量计的电磁阀...

【技术特征摘要】
1.硅片湿刻装置，其特征在于：包括储水箱(300)、HF储存箱(200)、HNO3储存箱(400)以及沿硅片输送方向依次布置的去PSG槽(100)、刻蚀槽(101)、第一清洗槽(102)、碱洗槽(103)、酸中和槽(104)、第二清洗槽(105)、酸洗槽(106)、第三清洗槽(107)；所述储水箱(300)分别与刻蚀槽(101)、第一清洗槽(102)以及第二清洗槽(105)通过带流量计的电磁阀(500)连通；所述HF储存箱(200)分别与去PSG槽(100)、刻蚀槽(101)通过带流量计的电磁阀(50...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈五奎，刘强，徐文州，
申请(专利权)人：乐山新天源太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51