处理装置、溅射装置和准直器制造方法及图纸

根据一个实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、准直器和温度调节单元。物体放置单元被配置以供物体放置。源放置单元被布置在与物体放置单元分离的位置上，并且被配置以供粒子源放置，粒子源能够朝向物体喷射粒子。准直器被配置为布置在物体放置单元与源放置单元之间，包括多个壁，并且设置有由所述多个壁形成并且从物体放置单元向源放置单元的方向延伸的通孔。温度调节单元被配置为调节准直器的温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理装置、溅射装置和准直器
本专利技术的实施例涉及处理装置、溅射装置和准直器(callimator)。
技术介绍
例如，用于在半导体晶片上形成金属膜的溅射装置包括用于调节待形成为膜的金属粒子的方向的准直器。准直器包括形成多个通孔的壁，并且允许在基本垂直于诸如半导体晶片的待处理物体的方向上飞行的粒子穿过其中并且阻挡倾斜飞行的粒子。在先技术文献专利文献专利文献1：JP2000-216092A。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题在诸如溅射的处理中涉及各种条件，并且随着该条件改变而处理的结果改变。解决问题的手段根据一个实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、准直器和温度调节单元。物体放置单元被配置以供物体放置。源放置单元被布置为与所述物体放置单元分离并且被配置以供粒子源放置，所述粒子源能够朝向所述物体喷出粒子。所述准直器被配置为布置在所述物体放置单元与所述源放置单元之间，包括多个壁，并且设置有多个通孔，所述多个通孔由所述多个壁形成并且从物体放置单元向源放置单元的方向延伸。温度调节单元被配置为调节准直器的温度。附图说明图1是示意性地例示根据第一实施例的溅射装置的截面图。图2是例示第一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理装置，包括：物体放置单元，所述物体放置单元被配置以供物体放置；源放置单元，所述源放置单元被布置成与所述物体放置单元分离，并且被配置以供粒子源放置，所述粒子源能够朝向所述物体喷射粒子；准直器，所述准直器被配置为布置在所述物体放置单元与所述源放置单元之间，包括多个壁，并且设置有多个通孔，所述多个通孔由所述多个壁形成并且从所述物体放置单元向所述源放置单元的方向延伸；以及温度调节单元，所述温度调节单元被配置为调节所述准直器的温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.14 JP 2016-0502181.一种处理装置，包括：物体放置单元，所述物体放置单元被配置以供物体放置；源放置单元，所述源放置单元被布置成与所述物体放置单元分离，并且被配置以供粒子源放置，所述粒子源能够朝向所述物体喷射粒子；准直器，所述准直器被配置为布置在所述物体放置单元与所述源放置单元之间，包括多个壁，并且设置有多个通孔，所述多个通孔由所述多个壁形成并且从所述物体放置单元向所述源放置单元的方向延伸；以及温度调节单元，所述温度调节单元被配置为调节所述准直器的温度。2.根据权利要求1所述的处理装置，还包括：容器，设有能够气密地封闭的处理腔室，所述物体放置单元、所述源放置单元和所述准直器被配置为布置在所述处理腔室中，并且，所述温度调节单元被配置为降低所述准直器的温度。3.根据权利要求2所述的处理装置，其中，所述准直器设置有第一开口、第二开口以及穿过所述多个壁的内部并连接所述第一开口和所述第二开口的第一流动路径，并且所述温度调节单元被配置为使热介质通过所述第一开口流入所述第一流动路径中，并且冷却通过所述第二开口流出的所述热介质。4.根据权利要求3所述的处理装置，其中，所述第一流动路径包括第一部分和多个第二部分，所述多个第二部分在所述第一流动路径的路径中比所述第一部分更靠近所述第二开口且连接到所述第一部分。5.根据权利要求3所述的处理装置，其中：所述温度调节单元包括被配置为连接到所述第一开口的第一连接部和被配置为连接到所述第二开口的第二连接部，并且所述温度调节单元被配置为使所述热介质从所述第一连接部流入所述第一开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内将胜，加藤视红磨，青山德博，寺田贵洋，德田祥典，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP