The utility model belongs to the field of physical vapor deposition, discloses a field auxiliary anode magnetron sputtering device, the device comprises a vacuum chamber, the disc and at least two by magnetron sputtering power supply of power supply, between adjacent magnetron sputtering target is provided with an anode power supply of water, forming a closed loop structure in vacuum cavity. The utility model combines the high water cooling anode and the magnetron sputtering target to enhance the ionization rate and improve the uniformity of the plasma in the chamber.
【技术实现步骤摘要】
本技术属于物理气相沉积领域,涉及一种增强空间等离子体的离化率和等离子体均匀性,进而提高薄膜结合力和性能的阳极场辅磁控溅射镀膜装置,可以用于真空金属薄膜、氮化物薄膜和碳化物薄膜的生长。
技术介绍
磁控溅射是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。工业生产过程中,被镀工件门对门的过程中,要经历等离子清洗、金属粘结层和功能层三个基本步骤。目前常用的有离子源清洗,分为霍尔离子源、线性离子源、空心阴极离子源等,其中前两种离子源多用于光学镀膜和聚合物表面镀膜处理,对结合力要求不高。空心阴极离子源多用于工具镀膜,但是其作用距离短,且需要电磁场辅助,因此设备一般不能超过700mm的大小。磁控溅射由于远离靶时离化率急剧下降,制备的薄膜往往空隙率大,尤其是在批量镀膜时,工件会经历离化率的波浪式变化,在靶附近薄膜质量高,远离靶质量差,因此有必要提高磁控溅射的空间离化率。目前提高空间离化率的方法有闭合场磁控溅射,如英国Teer公司的闭合场磁控溅射(英国专利号2258343、美国专利号5554519、欧洲专利号0521045),利用了非平衡磁控溅射外延的磁场,通过合理的设计使相邻的磁场闭合,形成电子通道,电子延这些磁力线旋转,与中性粒子碰撞提高离化率。在国内,技术专利ZL201210161364.9,专利201210474290.4,专利201220233276.0公开了闭合场磁控 ...
【技术保护点】
一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置,包括真空腔体、工件盘(4)和至少两个由电源Ⅰ(3)供电的磁控溅射靶(1),其特征在于在相邻的磁控溅射靶(1)之间设有由电源Ⅱ(5)供电的水冷阳极(2),在真空腔体内形成闭环结构。
【技术特征摘要】
1.一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置,包括真空腔体、工件盘(4)和至少两个由电源Ⅰ(3)供电的磁控溅射靶(1),其特征在于在相邻的磁控溅射靶(1)之间设有由电源Ⅱ(5)供电的水冷阳极(2),在真空腔体内形成闭环结构。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于所述磁控溅射靶(1)为矩形或旋转柱靶。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于所述磁控溅射靶(1)为金属或非金属靶。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员:张斌,张俊彦,高凯雄,强力,王健,
申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所,
类型:新型
国别省市:甘肃;62
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