溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种溅射装置，其包括：镀膜腔体，包括平行面对的顶壁和底壁；第一靶材安装座，设置于镀膜腔体内的上半部分且其靶材安装面朝向顶壁；第一基板安装座，设置于第一靶材安装座与顶壁之间且其基板放置面朝向第一靶材安装座的靶材安装面；第二靶材安装座，设置于镀膜腔体内的下半部分且其靶材安装面朝向底壁；第二基板安装座，设置于第二靶材安装座与底壁之间且其基板放置面朝向第二靶材安装座的靶材安装面。本发明专利技术的溅射装置具有背向排列设置的孪生靶材安装座，每个靶材安装座上安装的靶材单独控制和形成一块被镀膜基板的等离子体(Plasma)区域，极大提高成膜均匀性及可控性，此外两块被镀膜同时成膜，大大提高溅射装置的镀膜效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种溅射装置，具体地讲，涉及一种具有至少一对孪生靶材安装座的磁控溅射装置。
技术介绍
直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导电材料，不适于绝缘材料。这是因为轰击绝缘靶材时绝缘靶材表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，从而导致溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法(RF)。在采用孪生靶磁控溅射技术中，溅射源为两个并列安装的平面磁控靶，电源为中频电源，其有两个输出端，这两个输出端分别连接在两个完全相同的并列安装的平面磁控靶上，双靶同时工作。采用孪生靶磁控溅射技术的优点是解决了在镀制绝缘膜时由于靶边缘沉积覆盖绝缘膜而导致放电打弧现象以及由于阳极表面沉积覆盖绝缘膜(阳极消退)而导致等离子体弧不稳定现象。但是，采用孪生靶磁控溅射技术的缺点是：并列靶之间的间距决定两个靶材在工作时等离子体(Plasma)形成的区域会产生重复或者架空，直接影响整个基板成膜的均匀性。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种溅射装置，其包括：镀膜腔体，包括平行面对的顶壁和底壁；第一靶材安装座，设置于所述镀膜腔体内的上半部分且其靶材安装面朝向所述顶壁；第一基板安装座，设置于所述第一靶材安装座与所述顶壁之间且其基板放置面朝向所述第一靶材安装座的靶材安装面；第二靶材安装座，设置于所述镀膜腔体内的下半部分且其靶材安装面朝向所述底壁；第二基板安装座，设置于所述第二靶材安装座与所述底壁之间且其基板放置面朝向所述第二靶材安装座的靶材安装面。进一步地，当所述溅射装置进行溅射工艺时，所述第一靶材安装座用于安装由阴极材料制成的靶材，所述第二靶材安装座用于安装由阳极材料制成的靶材，或者所述第一靶材安装座用于安装由阳极材料制成的靶材，所述第二靶材安装座用于安装由阴极材料制成的靶材。进一步地，所述镀膜腔体还包括侧壁，所述侧壁设置于所述顶壁和所述底壁之间，所述侧壁与所述顶壁和所述底壁分别连接。进一步地，所述溅射装置还包括：至少一个抽气口和至少一个充气口，所述抽气口和所述充气口均设置于所述侧壁上，且所述抽气口和所述充气口均与所述镀膜腔体内连通。进一步地，所述溅射装置还包括中高频电源，所述中高频电源分别连接到所述第一靶材安装座和所述第二靶材安装座，以分别向所述第一靶材安装座和所述第二靶材安装座提供中高频交流电。进一步地，当所述溅射装置进行溅射工艺时，所述中高频电源同时向所述第一靶材安装座和所述第一靶材安装座提供中高频交流电，以使所述第一靶材安装座和所述第一靶材安装座同时工作。进一步地，所述溅射装置还包括：第一溅射挡板、第二溅射挡板；第一溅射挡板设置于所述第一靶材安装座和所述第一基板安装座之间，第二溅射挡板设置于所述第二靶材安装座和所述第二基板安装座之间。进一步地，所述第一靶材安装座的数量为两个或多个，所述第一基板安装座的数量为两个或多个，两个或多个第一靶材安装座并列设置，两个或多个第一基板安装座并列设置，所述第一靶材安装座与所述第一基板安装座一一相对对应。进一步地，所述第二靶材安装座的数量为两个或多个，所述第二基板安装座的数量为两个或多个，两个或多个第二靶材安装座并列设置，两个或多个第二基板安装座并列设置，所述第二靶材安装座与所述第二基板安装座一一相对对应。进一步地，所述第一靶材安装座的数量为一个，所述第一基板安装座的数量为一个；所述第二靶材安装座的数量为一个，所述第二基板安装座的数量为一个。本专利技术的有益效果：本专利技术的溅射装置具有背向排列设置的孪生靶材安装座，每个靶材安装座上安装的靶材单独控制和形成一块被镀膜基板的等离子体(Plasma)区域，极大提高成膜均匀性及可控性，此外两块被镀膜同时成膜，大大提高溅射装置的镀膜效率。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的第一实施例的溅射装置的结构示意图；图2是根据本专利技术的第二实施例的溅射装置的结构示意图；图3是根据本专利技术的第三实施例的溅射装置的结构示意图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。图1是根据本专利技术的第一实施例的溅射装置的结构示意图。参照图1，根据本专利技术的第一实施例的溅射装置包括：镀膜腔体10、第一靶材安装座20、第二靶材安装座30、第一基板安装座40、第二基板安装座50、中高频电源60。具体而言，镀膜腔体10包括顶壁11、底壁12、左侧壁13和右侧壁14。顶壁11和底壁12彼此平行面对，左侧壁13和右侧壁14彼此平行面对。左侧壁13和右侧壁14均设置于顶壁11和底壁12之间，其中，左侧壁13与顶壁11和底壁12的左端分别连接，右侧壁14与顶壁11和底壁12的右端分别连接。这样，顶壁11、底壁12、左侧壁13和右侧壁14合围形成镀膜腔体10。第一靶材安装座20、第二靶材安装座30、第一基板安装座40、第二基板安装座50均安装于镀膜腔体10内。而中高频电源60被设置于镀膜腔体10外。具体地，第一靶材安装座20被安装在镀膜腔体10的上半部分。第一靶材安装座20具有用于安装靶材的靶材安装面21，当第一靶材安装座20被安装在镀膜腔体10的上半部分时，第一靶材安装座20的靶材安装面21面向顶壁11。第一基板安装座40被安装在第一靶材安装座20与顶壁11之间。第一基板安装座40具有用于安装被镀膜基板的基板安装面41，当第一基板安装座40被安装在第一靶材安装座20与顶壁11之间时，第一基板安装座40的基板安装面41面向第一靶材安装座20的靶材安装面21。第二靶材安装座30被安装在镀膜腔体10的下半部分。第二靶材安装座30具有用于安装靶材的靶材安装面31，当第二靶材安装座30被安装在镀膜腔体10的下半部分时，第二靶材安装座30的靶材安装面31面向底壁12。第一基板安装座40被安装在第二靶材安装座30与底壁12之间。第二基板安装座50具有用于安装被镀膜基板的基板安装面51，当第二基板安装座50被安装在第二靶材安装座30与底壁12之间时，第二基板安装座50的基板安装面51面向第二靶材安装座30的靶材安装面31。当根据本专利技术的第一实施例的溅射装置进行溅射工艺时，第一靶材安装座20的靶材安装面21安装由阴极材料制成的靶材，第二靶材安装座30的靶材安装面31安装由阳极材料制成的靶材。或者，当根据本专利技术的第一实施例的溅射装置进行工作时，第一靶材安装座20的靶材安装面21安装由阳极材料制成的靶材，第二靶材安装座30的靶材安装面31安装由阴极材料制成的靶材。中高频电源60分别连接到第一靶材安装座20和第二基板安装座50，用于向第一靶材安装座20和第二基板安装座50提供中高频交流电，以使第一靶材安装座20和第二基板安装座50进行工作。当根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射装置，其特征在于，包括：镀膜腔体，包括平行面对的顶壁和底壁；第一靶材安装座，设置于所述镀膜腔体内的上半部分且其靶材安装面朝向所述顶壁；第一基板安装座，设置于所述第一靶材安装座与所述顶壁之间且其基板放置面朝向所述第一靶材安装座的靶材安装面；第二靶材安装座，设置于所述镀膜腔体内的下半部分且其靶材安装面朝向所述底壁；第二基板安装座，设置于所述第二靶材安装座与所述底壁之间且其基板放置面朝向所述第二靶材安装座的靶材安装面。

【技术特征摘要】
1.一种溅射装置，其特征在于，包括：镀膜腔体，包括平行面对的顶壁和底壁；第一靶材安装座，设置于所述镀膜腔体内的上半部分且其靶材安装面朝向所述顶壁；第一基板安装座，设置于所述第一靶材安装座与所述顶壁之间且其基板放置面朝向所述第一靶材安装座的靶材安装面；第二靶材安装座，设置于所述镀膜腔体内的下半部分且其靶材安装面朝向所述底壁；第二基板安装座，设置于所述第二靶材安装座与所述底壁之间且其基板放置面朝向所述第二靶材安装座的靶材安装面。2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，当所述溅射装置进行溅射工艺时，所述第一靶材安装座用于安装由阴极材料制成的靶材，所述第二靶材安装座用于安装由阳极材料制成的靶材，或者所述第一靶材安装座用于安装由阳极材料制成的靶材，所述第二靶材安装座用于安装由阴极材料制成的靶材。3.根据权利要求1或2所述的溅射装置，其特征在于，所述镀膜腔体还包括侧壁，所述侧壁设置于所述顶壁和所述底壁之间，所述侧壁与所述顶壁和所述底壁分别连接。4.根据权利要求3所述的溅射装置，其特征在于，所述溅射装置还包括：至少一个抽气口和至少一个充气口，所述抽气口和所述充气口均设置于所述侧壁上，且所述抽气口和所述充气口均与所述镀膜腔体内连通。5.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述溅射装置还包括中高频电源，所述中高频电源分别连接到所述第一靶材安装座和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李楚，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44