一种线性蒸发源侦测装置及其侦测方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种线性蒸发源侦测装置，应用于蒸镀工艺中的蒸镀装置上，所述侦测装置设有至少一组，该侦测装置固定于蒸镀腔室的腔壁上；其中，每组所述侦测装置包括多个侦测器，同组中所述侦测器与所述蒸镀腔室中所述蒸镀装置上的线性蒸发源的距离一致；所述侦测装置用于间歇式检测线性蒸发源的喷嘴堵塞情况和/或蒸镀腔室的气流情况。本发明专利技术还公开了一种线性蒸发源侦测装置的侦测方法。

【技术实现步骤摘要】
一种线性蒸发源侦测装置及其侦测方法
本专利技术涉及真空镀膜监控等领域，具体为一种线性蒸发源侦测装置及其侦测方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,UIVOLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。目前，由于有机发光二极管(OLED)有广视角、宽色域、高对比度、色彩鲜艳、还原度高等优点，其应用愈发广泛。而有机发光二极管(OLED)的生产制造工艺还是以热蒸镀为主，蒸发源的性能显得尤为重要，而提高材料利用率，降低生产成本，提高器件显示效果，如改善成膜均匀性是恒久的主题。在有机发光二极管(OLED)的生产制造是，要得到均匀的膜层，就要对蒸发源的蒸镀速率实现精准全面的监控。线性蒸发源速率检测的传统方法是在线性蒸发源的一端或两端安装石英晶振监控系统(QuartzCrystalMonitor，QCM)来实时监测和控制整个线性蒸发源的蒸镀速率。这种监测方法的弊端是只能监控到局部的速率和均匀性，如发生个别喷嘴(nozzle)堵塞的情况无法及时发现，在量产过程中就有可能发生批量报废。
技术实现思路
本专利技术的第一目的是：提供一种线性蒸发源侦测装置，通过间歇式检测线性蒸发源多个位置的速率，可以判断出坩埚是否发生喷嘴堵塞、腔体是否有突发气流扰动等异常，以避免因成膜的均匀性、成膜品质带来的变化造成产品报废。实现上述目的的技术方案是：一种线性蒸发源侦测装置，应用于蒸镀工艺中的蒸镀装置上，所述侦测装置设有至少一组，该侦测装置固定于蒸镀腔室的腔壁上；其中，每组所述侦测装置包括多个侦测器，同组中所述侦测器与所述蒸镀腔室中所述蒸镀装置上的线性蒸发源的距离一致；所述侦测装置用于间歇式检测线性蒸发源的喷嘴堵塞情况和/或蒸镀腔室的气流情况。在本专利技术一较佳实施例中，所述侦测装置设有两组，分别位于所述线性蒸发源的一侧。在本专利技术一较佳实施例中，每一侧的所述侦测装置中的侦测器成直线排列。在本专利技术一较佳实施例中，每一侧的所述侦测器所在直线平行于所述蒸镀装置的长边方向，并垂直于所述线性蒸发源的往复运动扫描方向。在本专利技术一较佳实施例中，所述的线性蒸发源侦测装置还包括晶振片，设于所述蒸镀装置上，所述侦测器为石英晶振检测器，所述石英晶振检测器通过所述晶振片获取所述线性蒸发源的蒸镀速率。在本专利技术一较佳实施例中，所述晶振片一直保持监控状态。在本专利技术一较佳实施例中，所述蒸镀装置设有多个。在本专利技术一较佳实施例中，所述的线性蒸发源侦测装置还包括警报系统，信号连接于所述侦测装置，当线性蒸发源的喷嘴堵塞情况和/或蒸镀腔室的气流情况发生异常，所述警报系统用于发出警报。本专利技术的第二目的在于，提供一种线性蒸发源侦测装置的侦测方法。实现上述目的的技术方案是：一种线性蒸发源侦测装置的侦测方法，包括以下步骤：步骤S1)定义线性蒸发源的蒸镀速率差值的阈值；步骤S2)获取每一侦测器检测到的线性蒸发源的实时蒸镀速率；步骤S3)计算所有实时蒸镀速率之间的最大差值；步骤S4)比较所述最大差值与所设阈值，当所述最大差值达到所设阈值，则判定线性蒸发源的喷嘴异常。在本专利技术一较佳实施例中，所述步骤S1)中所述的蒸镀速率差值的阈值为2％-10％。本专利技术的优点是：本专利技术的线性蒸发源侦测装置及其侦测方法,将侦测器固定在腔壁上，监测运行更稳定；可以同时监测一个蒸发装置(坩埚)或一组蒸发源蒸镀速率是否有发生堵孔等异常；能够对蒸镀速率实现间歇式监控，节省晶振片及维护成本；有效的避免了因成膜的均匀性、成膜品质带来的变化造成产品报废现象。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是本专利技术实施例的线性蒸发源侦测装置结构示意图。图2是本专利技术实施例的线性蒸发源侦测装置往复运动扫描状态图。图3是本专利技术实施例的线性蒸发源侦测装置侦测方法步骤流程图。其中，1侦测器；2蒸镀装置；3蒸镀腔室；4晶振片；21线性蒸发源；5玻璃基板。具体实施方式以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。实施例：如图1、图2所示，一种线性蒸发源侦测装置，应用于蒸镀工艺中的蒸镀装置2上，其中，所述侦测装置设有至少一组，本实施例中设置有两组。每组侦测装置包括多个侦测器1，本实施例中设置有3个。该侦测装置固定于蒸镀腔室3的腔壁上。同组中所述侦测器1与所述蒸镀腔室3中所述蒸镀装置2上的线性蒸发源21的距离一致；所述侦测装置用于间歇式检测线性蒸发源21的喷嘴堵塞情况和/或蒸镀腔室3的气流情况。本实施例中，所述侦测装置在所述蒸镀腔室3中作往复运动的扫描，位于所述侦测装置作往复运动的两侧的蒸镀腔室3的腔壁为相互平行的平面，每组侦测装置包括多个侦测器1，同组的多个侦测器1设置于同一个腔壁的平面上，多个侦测器1相互排列成一条直线，该腔壁每一侧的平面的所述侦测器1所在直线平行于所述蒸镀装置2的长边方向，并垂直于所述线性蒸发源21的往复运动扫描方向。这样就容易使线性蒸发源21到每个侦测器1的距离基本保持一致。如此，当侦测器1侦测线性蒸发源21的蒸镀速率时，能够有效的减少误差。本实施例中，两组所述侦测装置相对设置，即分别设置在两个相互平行的腔壁的平面上。这样，两组所述侦测装置分别对蒸镀装置2进行侦测，以保证侦测数据的精确性。本实施例中，同一个蒸镀腔室3中分布多个蒸镀装置2，该蒸镀装置2为坩埚等等，本实施例对此不作限定。这样，所述蒸镀腔室3中的侦测装置可以对多个蒸镀装置2上的线性蒸发源21进行侦测，在保证侦测数据精确性的同时，有效提高侦测的效率。本实施例中，所述的线性蒸发源21侦测装置还包括晶振片4，设于所述蒸镀装置2上。图中有3个线性坩埚，构成一组蒸发源2，每一个坩埚前后两端各有一个晶振片4监控坩埚本身的蒸镀速率，两端的晶振片4与坩埚固定在一起做往返扫描运动。所述侦测器1为石英晶振检测器，是用来监测线性坩埚(长条形)各处的蒸镀速率是否一致，如不一致则发生报警。侦测器1也是晶振片监控。但是侦测器1的工作状态与晶振片4的工作状态没有必然联系。也就是说蒸发源运动到侦测器1附近，侦测器1才能监测到速率，而晶振片4是可以一直监控着蒸发源的蒸镀速率。本实施例中，所述晶振片4的检测频率与所述线性蒸发源21的复运动扫描频率保持一致。由于所述线性蒸发源21作往复运动扫描，因此，所述线性蒸发源21与材料(玻璃基板5)接触为间歇式的，因此，所述侦测器1并不需要时刻对所述线性蒸发源21进行侦测，只需在所述线性蒸发源21实际作蒸镀工作时，所述侦测器1对该述线性蒸发源21进行侦测即可。这样有效的减少了晶振片4的工作量和工作时间，进一步提高了晶振片4的使用寿命，同时节省能源。本实施例中，所述线性蒸发源21侦测装置还包括警报系统，信号连接于所述侦测装置，当所述线性蒸发源21的喷嘴堵塞情况发生异常，所述警报系统用于发出警报。本实施例中，所述侦测装置还可以对蒸镀腔室3中的气流情况进行侦测，当蒸镀腔室3中的气流发生紊乱，或出现其他的异常情况，所述警报系统发出警报。如图3所示，基于上述的线性蒸发源21侦测装置而实现的侦测方法，具体包括以下步骤。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线性蒸发源侦测装置，应用于蒸镀工艺中的蒸镀装置上，其特征在于，所述侦测装置设有至少一组，该侦测装置固定于蒸镀腔室的腔壁上；其中，每组所述侦测装置包括多个侦测器，同组中所述侦测器与所述蒸镀腔室中所述蒸镀装置上的线性蒸发源的距离一致；所述侦测装置用于间歇式检测线性蒸发源的喷嘴堵塞情况和/或蒸镀腔室的气流情况。

【技术特征摘要】
1.一种线性蒸发源侦测装置，应用于蒸镀工艺中的蒸镀装置上，其特征在于，所述侦测装置设有至少一组，该侦测装置固定于蒸镀腔室的腔壁上；其中，每组所述侦测装置包括多个侦测器，同组中所述侦测器与所述蒸镀腔室中所述蒸镀装置上的线性蒸发源的距离一致；所述侦测装置用于间歇式检测线性蒸发源的喷嘴堵塞情况和/或蒸镀腔室的气流情况。2.根据权利要求1所述的线性蒸发源侦测装置，其特征在于，所述侦测装置设有两组，分别位于所述线性蒸发源的一侧。3.根据权利要求2所述的线性蒸发源侦测装置，其特征在于，每一侧的所述侦测装置中的侦测器成直线排列。4.根据权利要求3所述的线性蒸发源侦测装置，其特征在于，每一侧的所述侦测器所在直线平行于所述蒸镀装置的长边方向，并垂直于所述线性蒸发源的往复运动扫描方向。5.根据权利要求1所述的线性蒸发源侦测装置，其特征在于，还包括晶振片，设于所述蒸镀装置上，所述侦测器为石英晶振检测器，所述石英晶振检测器通过所述晶振片获取所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹新，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42